藍(lán)色LED和藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器用基板有望采用鋁鎂酸鈧(ScAlMgO4,通稱:SCAM)。SCAM的特點(diǎn)是,與GaN的晶格失配度只有1.8%,便于抑制位錯(cuò)等結(jié)晶缺陷。與采用藍(lán)寶石基板相比,易于提高藍(lán)色LED的電流密度。
圖示:SCAM結(jié)晶成為GaNLED
以前的SCAM結(jié)晶不是單晶,而是多晶,且尺寸只有小拇指大小,現(xiàn)在福田結(jié)晶技術(shù)研究所成功開(kāi)發(fā)出了口徑為2英寸的高品質(zhì)SCAM單晶。采用的是“旋轉(zhuǎn)拉升法(CZ法)”。
出現(xiàn)了把SCAM結(jié)晶作為生長(zhǎng)GaN類半導(dǎo)體的基板使用的動(dòng)向。福田結(jié)晶技術(shù)研究所試制了口徑為2英寸的SCAM結(jié)晶。目前主要面向LED,將來(lái)還打算用于功率元件。
SCAM可通過(guò)裂解加工法從硅錠制作晶圓,因此有望實(shí)現(xiàn)低成本化。該研究所對(duì)試制的SCAM結(jié)晶進(jìn)行裂解加工,利用X射線衍射法評(píng)估了其C面,結(jié)果發(fā)現(xiàn)其半寬度為12.9秒,結(jié)晶品質(zhì)跟Si的完全結(jié)晶相當(dāng)。
福田結(jié)晶技術(shù)研究所預(yù)定2015年春銷售2英寸的SCAM基板。還將開(kāi)發(fā)4~6英寸的基板。
此外,該研究所還打算在SCAM結(jié)晶上形成低位錯(cuò)的厚GaN結(jié)晶,將這種GaN結(jié)晶作為形成電子元器件的“GaN獨(dú)立基板”。設(shè)想主要用于GaN功率元件的制造。