臺(tái)積電與格芯互控侵犯專利權(quán)案圓滿落幕，雙方就現(xiàn)有及未來10年將申請(qǐng)的半導(dǎo)體技術(shù)專利達(dá)成全球?qū)＠换ナ跈?quán)協(xié)議。
臺(tái)積電昨天公告，雙方專利交互授權(quán)協(xié)議將確保臺(tái)積電與格芯的營(yíng)運(yùn)不受限制，雙方客戶并可持續(xù)獲得兩公司各自完整的技術(shù)及服務(wù)。
格芯執(zhí)行長(zhǎng)柯斐德(Thomas Caulfield)表示，很高興能夠很快與臺(tái)積電達(dá)成協(xié)議，這項(xiàng)協(xié)議認(rèn)可了雙方智慧財(cái)產(chǎn)的實(shí)力，使兩公司能夠聚焦于創(chuàng)新，并為雙方各自的全球客戶提供更好的服務(wù)。
柯斐德說，協(xié)議也確保了格芯持續(xù)成長(zhǎng)的能力，對(duì)于身為全球經(jīng)濟(jì)核心的半導(dǎo)體業(yè)而言，也有利整個(gè)產(chǎn)業(yè)的成功發(fā)展。
臺(tái)積電副總經(jīng)理暨法務(wù)長(zhǎng)方淑華表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)一直以來都相當(dāng)激烈，驅(qū)使業(yè)者追求技術(shù)創(chuàng)新，以豐富全球數(shù)百萬人的生活。
臺(tái)積電已投入數(shù)百億美元資金進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，以達(dá)今日的領(lǐng)導(dǎo)地位。方淑華說，這項(xiàng)協(xié)議是相當(dāng)樂見的正面發(fā)展，使臺(tái)積電持續(xù)致力于滿足客戶的技術(shù)需求，維持創(chuàng)新活力，并使整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更加蓬勃昌盛。
格芯8月26日分別向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)、美國(guó)聯(lián)邦法院德拉瓦分院、德州西區(qū)分院及德國(guó)杜塞爾多夫地區(qū)法院和曼海姆地區(qū)法院控告臺(tái)積電使用的半導(dǎo)體製造技術(shù)侵犯其16項(xiàng)專利，掀起雙方訴訟爭(zhēng)端。
臺(tái)積電不甘示弱，于9月30日展開反擊，在美國(guó)、德國(guó)及新加坡控告格芯侵犯包括40納米、28納米、22納米、14納米及12納米等製程的25項(xiàng)專利。
現(xiàn)狀：臺(tái)積電先進(jìn)制程遙遙領(lǐng)先
在臺(tái)積電和格芯的專利戰(zhàn)背后，我們可以看到臺(tái)積電在這個(gè)市場(chǎng)的遙遙 領(lǐng) 先。而這種優(yōu)勢(shì)的進(jìn)一步擴(kuò)大來自于28nm時(shí)代的關(guān)鍵一役。
2009~2010年間，全球企業(yè)還籠罩在金融海嘯所帶來的傷害中，而不敢輕舉妄動(dòng)，當(dāng)時(shí)，公司卻大膽投資，2010年資本支出高達(dá)2,020.86億元，足足是2009年的964.68億元2倍多，這也造就了公司史上至賺錢的制程時(shí)代。
臺(tái)積28納米于2011年量產(chǎn)，當(dāng)年貢獻(xiàn)了1.5億美元(約43億新臺(tái)幣，以當(dāng)年匯率計(jì))，2013年成長(zhǎng)至60億美元(約1,765億元);到了2014年，臺(tái)積營(yíng)收突破7,500億新臺(tái)幣，較2013年激增28%，而28納米占營(yíng)收比重更超過3成，且公司在全球晶圓代工市場(chǎng)的市占率，也從2009年的45%，提高到五成(52%)以上。
市場(chǎng)也高度關(guān)心，這樣的榮景是否有機(jī)會(huì)再次重現(xiàn)?時(shí)間快轉(zhuǎn)到最近一次的法說會(huì)，里昂亞洲科技產(chǎn)業(yè)研究部門主管侯明孝于壓軸時(shí)提出類似疑問，他問到：「臺(tái)積電這次大幅度上調(diào)資本支出，就像2010年(28納米)做的事情，幾年過后，當(dāng)客戶往3納米、2奈走時(shí)，誰又會(huì)來填補(bǔ)這些產(chǎn)能?(指7納米、5納米部分)
對(duì)此問題，魏哲家回答，7納米、5納米采用EUV技術(shù)，與28納米用的High-K/Metal Gate(28納米高介電材料/金屬閘極專案)相比，技術(shù)屏障(technology barrier)高出非常非常多，而「我不評(píng)論對(duì)手的狀態(tài)」(暗指三星);弦外之音可聽出，臺(tái)積電在技術(shù)大幅領(lǐng) 先其他競(jìng)爭(zhēng)者，對(duì)這次大舉投資更是信心滿滿。
相較于28納米世代，臺(tái)積現(xiàn)在處于絕 佳狀態(tài)，主要擁有「技術(shù)領(lǐng) 先」、「良率穩(wěn)定」以及「半導(dǎo)體景氣復(fù)蘇」等三個(gè)有利條件。
1. 技術(shù)領(lǐng)先
臺(tái)積電在28納米打了漂亮一仗，2015年更靠著16納米「PK」掉三星，獨(dú)拿美系客戶手機(jī)處理器芯片大單，再一路向前挺進(jìn)到7納米、5納米，強(qiáng)勢(shì)挑戰(zhàn)龍頭Intel;反觀當(dāng)年一同競(jìng)爭(zhēng)28納米制程的格羅方德、聯(lián)電等大廠，卻是節(jié)節(jié)敗退，由于資金、技術(shù)上皆難以追趕，爾后相繼宣布退出先進(jìn)制程競(jìng)賽。
目前臺(tái)積電在先進(jìn)制程的對(duì)手僅剩下三星、Intel，兩大廠進(jìn)度相對(duì)落后。其中Intel于今年推出10納米產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)7納米;盡管三星宣稱要在2021年量產(chǎn)3納米、超車一哥，但其7納米制程卻屢次傳出掉包消息，顯見臺(tái)積電在邁向先進(jìn)制程的道路之上走得至快也最穩(wěn)。
2. 良率穩(wěn)定
EUV被視為摩爾定律續(xù)命丹，更是先進(jìn)制程的重要推手，不過，「水能載舟、亦能覆舟」，每增加一層EUV光罩，都有可影響生產(chǎn)效率;據(jù)傳，三星的7納米制程出現(xiàn)良率問題，就是因?yàn)樘e極使用EUV，顯見臺(tái)積電已克服技術(shù)難關(guān)。臺(tái)積日前也罕見發(fā)表新聞稿，宣布采用EUV的7納米加強(qiáng)版已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)，且良率與7納米相當(dāng)接近，頗有與三星較勁的味道。
一樣對(duì)比28納米的黃金年代，2011年量產(chǎn)，至2014年?duì)I收占比達(dá)30%以上，而7納米(指7納米、7+納米、6納米)在2018年量產(chǎn)，今年第3季營(yíng)收占比已來到27%，爆發(fā)性更勝一籌;市場(chǎng)推估，2020年7納米制程占營(yíng)收比重將超過30%。
隨7納米傳捷報(bào)，下一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)將延伸到5納米，據(jù)設(shè)備商透露，臺(tái)積下半年連續(xù)上調(diào)5納米產(chǎn)能規(guī)劃，自每月4.5萬片調(diào)至5萬片，再到7萬片，且5納米試產(chǎn)狀況非常好，良率也追上7納米，臺(tái)積電更多次于公開場(chǎng)合表示，5納米對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)度將更勝7納米，目前產(chǎn)能建置都是為因應(yīng)客戶需求。據(jù)了解，蘋果、華為海思都在5納米試產(chǎn)名單中。
3. 半導(dǎo)體明年可望復(fù)蘇
根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)WSTS、集邦產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)估，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)13.3%衰退，2020年在5G、AI等需求帶動(dòng)下回升，預(yù)估年增幅達(dá)5.4%;其中，晶圓代工今年預(yù)期衰退1.8%，明年可望年增3.8%。臺(tái)積電享有高市占及技術(shù)優(yōu)勢(shì)，可望復(fù)制往年趨勢(shì)，繳出遠(yuǎn)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均值的成績(jī)。
整體來看，與10年前相比，現(xiàn)在臺(tái)積競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更少、技術(shù)也更領(lǐng) 先，可說是站在制高點(diǎn)，營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能可期。雖然，在大舉投資后，明年折舊費(fèi)用料將較今年增加，惟受惠7納米達(dá)經(jīng)濟(jì)規(guī)模、5納米良率提升及產(chǎn)能利用率維持高 檔，毛利率可望優(yōu)于今年，公司也說，毛利率將朝50%的長(zhǎng)期目標(biāo)努力;法人則看好，明年臺(tái)積營(yíng)收、獲利皆可達(dá)到雙位數(shù)增長(zhǎng)，再開啟另一個(gè)黃金年代的新頁。
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