• <cite id="16666"><s id="16666"></s></cite>
      1. <dd id="16666"></dd>
      2. 

          5. 

          <address id="16666"><nav id="16666"></nav></address>
              <cite id="16666"></cite>
              <dd id="16666"></dd>
              
    
    
    
    
    
    
    
    
              
        
              
            
            
              
                
              最新研發(fā)的氧化鎵MOSFET耐壓超過1800V
              
                
              
                    2018/9/6 11:00:16
                    
                        
                        作者： 來源：www.semiconductor-today.
                        
                        
                    
                    
                
              
            
              
            
            
              摘要：紐約州立大學(xué)布法羅分校(University at Buffalo) 宣布研制出擊穿電壓超過1800V的β-Ga2O3 MOSFET [Ke Zeng et al, IEEE ElectronDevice Letters, published online 23 July 2018]，而在此之前的耐壓水平位于750V以下。
              
            
            

            
              
                
                
              　　氧化鎵(β-Ga2O3)單晶是一種直接帶隙超寬禁帶氧化物半導(dǎo)體，其禁帶寬度為4.8～4.9eV，具有獨特的紫外透過特性(吸收截止邊～260nm);擊穿電場強度高達(dá)8MV/cm，是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加優(yōu)值分別是SiC、GaN的10倍、4倍以上，并且可以采用熔體法生長大尺寸體單晶，因此β-Ga2O3已成為超高壓功率器件和深紫外光電子器件的優(yōu)選材料之一。
              　　紐約州立大學(xué)布法羅分校(University at Buffalo) 宣布研制出擊穿電壓超過1800V的β-Ga2O3 MOSFET [Ke Zeng 
et al, IEEE ElectronDevice Letters, published online 23 July 
2018]，而在此之前的耐壓水平位于750V以下。擊穿電壓的提高歸因于場板設(shè)計的改進(jìn)，采用復(fù)合電介質(zhì)支撐場板金屬。在預(yù)期的高場區(qū)域采用原子層沉積( ALD 
)方法沉積電介質(zhì)從而提高了材料質(zhì)量。
              　　該器件是使用半絕緣摻鐵Ga2O3襯底制造的，在該襯底上先后沉積200nm厚的非故意摻雜(unintentionally doped ，UID 
)和摻錫( Sn 
)Ga2O3外延層。然后在源極/漏極區(qū)域使用旋涂玻璃技術(shù)選擇性的進(jìn)行Sn摻雜。源極/漏極的接觸金屬是退火的鈦/金。柵極電介質(zhì)是用ALD方法沉積的20nm厚的二氧化硅薄膜。等離子體增強化學(xué)氣相沉積( 
PECVD 
)和ALD方法沉積的二氧化硅為場板結(jié)構(gòu)提供了支持。該疊層還包括薄的ALD方法沉積的氧化鋁層，該層被設(shè)計成用作柵極溝槽反應(yīng)離子蝕刻的停止層。溝槽底部的氧化鋁蝕刻停止層通過濕法蝕刻去除。柵極和場板金屬由鈦/鋁/鎳/金組成?！　?/p>
              QQ截圖20180906093655
              　　圖 1 β-Ga2O3 MOSFET截面示意圖以及光學(xué)顯微鏡下的結(jié)構(gòu)圖像
              　　在電子氟化液(Fluorinert)環(huán)境中，該器件的擊穿電壓達(dá)到1850V，此時的柵-漏距離為20μm。其他因素保持不變，在空氣環(huán)境下，該器件的擊穿電壓只有440V。通過改變柵-漏距離，研究人員發(fā)現(xiàn)在Fluorinert環(huán)境中下器件的擊穿電壓均為空氣環(huán)境下的4倍左右?！　?/p>
              QQ截圖20180906093708
              　　圖2 各材料體系電壓與導(dǎo)通電阻的關(guān)系(直線為理論值、符號為氧化鎵實驗值)
              　　研究人員將他們研制的器件與其他研究團(tuán)隊報道的橫向Ga2O3晶體管的性能進(jìn)行了比較。目前總體性能徘徊在Si基器件的理論極限附近，低于GaN和Ga2O3的預(yù)期極限。該團(tuán)隊期望通過更加精細(xì)的器件工藝來提高耐壓水平。此外，F(xiàn)luorinert液體也會被其他鈍化材料取代。

              
            
              

            
              
                凡本網(wǎng)注明“來源：阿拉丁照明網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于阿拉丁照明網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請注明。
              
                凡注明為其它來源的信息，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點及對其真實性負(fù)責(zé)。若作者對轉(zhuǎn)載有任何異議，請聯(lián)絡(luò)本網(wǎng)站，我們將及時予以更正。
            
              

            
        
              
        
              
            
            
              
    
    

              
            
            
            
            
            
            
            
        
              
    
              

    
    






    
    
    
    
    
    

日本成人有码尤物,亚洲欧美成人精品香蕉网,亚洲国产成人精品无码区密柚,成人乱人伦免费视频网

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();