高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)（三期）”取得突破

　　半導(dǎo)體照明具有技術(shù)發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)性強(qiáng)、節(jié)能潛力巨大等特點(diǎn)，被各國公認(rèn)為最有發(fā)展前景的高新節(jié)能技術(shù)之一。隨著我國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、發(fā)展方式轉(zhuǎn)變經(jīng)常加快，半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于轉(zhuǎn)變發(fā)展方式及培育戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)期。近日，科技部高新司在北京組織專家對(duì)“十二五”國家863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目(三期)進(jìn)行了驗(yàn)收。

　　該項(xiàng)目以打造產(chǎn)業(yè)核心競爭力為目標(biāo)，以提高自主創(chuàng)新能力為關(guān)鍵，以改善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境為手段，開展了LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件封裝、低成本LED驅(qū)動(dòng)芯片及模塊開發(fā)等大電流驅(qū)動(dòng)薄膜半導(dǎo)體照明技術(shù)研究;在一期和二期項(xiàng)目完成半導(dǎo)體照明外延芯片與器件封裝關(guān)鍵技術(shù)布局基礎(chǔ)上，三期項(xiàng)目重點(diǎn)開展“十城萬盞”半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)研究，重點(diǎn)開發(fā)了具有高光效、低成本、長壽命的LED照明模塊和低成本、高可靠、規(guī)格化LED照明產(chǎn)品;掌握了高導(dǎo)熱金剛石鍵合復(fù)合基板量產(chǎn)技術(shù);研發(fā)了適用于薄膜LED的熱阻分析測(cè)試系統(tǒng)裝備;開發(fā)了薄膜LED近場分布光度計(jì)，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)近場和遠(yuǎn)場測(cè)量;實(shí)現(xiàn)了LED在市政照明、植物照明、機(jī)場、醫(yī)療等領(lǐng)域的應(yīng)用示范。

　　“十三五”期間，為進(jìn)一步推動(dòng)我國半導(dǎo)體照明材料的科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，科技部部署了“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)，將第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明作為重點(diǎn)專項(xiàng)的發(fā)展重點(diǎn)之一進(jìn)行支持。專項(xiàng)的部署，將進(jìn)一步為我國從半導(dǎo)體照明產(chǎn)品生產(chǎn)、消費(fèi)和出口大國發(fā)展成為產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，支撐全球照明行業(yè)的產(chǎn)業(yè)變革和節(jié)能減排的可持續(xù)發(fā)展。