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              類一維層狀單質(zhì)半導(dǎo)體中的優(yōu)異物性

              2018/3/12 10:07:15 作者: 來(lái)源:材料牛
              摘要:石墨烯和黑磷等單質(zhì)二維材料展現(xiàn)出了極佳的物理化學(xué)性質(zhì),并被視為未來(lái)電子、光電等器件核心功能單元的重要備選材料。

                石墨烯和黑磷等單質(zhì)二維材料展現(xiàn)出了極佳的物理化學(xué)性質(zhì),并被視為未來(lái)電子、光電等器件核心功能單元的重要備選材料。少層黑磷是首個(gè)單質(zhì)二維半單體,并具有多種優(yōu)異特性。然而,其空氣穩(wěn)定性欠佳,在繁瑣的材料制備和器件加工過(guò)程,以及后繼嚴(yán)苛的使用環(huán)境中容易因被氧化而失效。因此,找到一種不僅有出眾物理、化學(xué)性質(zhì),而且具有良好空氣穩(wěn)定性,并可以通過(guò)便捷方法制備的單質(zhì)二維半導(dǎo)體成為了一個(gè)新的挑戰(zhàn)性問(wèn)題。

                【成果簡(jiǎn)介】

                近日,中國(guó)人民大學(xué)物理學(xué)系季威教授研究組與香港理工大學(xué)柴揚(yáng)教授在Science Bulletin上發(fā)表了題為“Few-layer Tellurium: one-dimensional-like layered elementary semiconductor with striking physical properties”的論文。該文系統(tǒng)研究了一種新型單質(zhì)二維半導(dǎo)體α相少層碲的電學(xué)、力學(xué)、光學(xué)等性質(zhì)。他們通過(guò)第一性原理計(jì)算考慮了三種少層碲的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,最終確定α相少層碲是從雙層到體相的最穩(wěn)定相。在此基礎(chǔ)上,他們發(fā)現(xiàn)在少層碲的層間和層內(nèi)非共價(jià)方向上存在一種類共價(jià)碲準(zhǔn)鍵 (covalent-like quasi-bonding),其本質(zhì)與黑磷和Pt族過(guò)渡金屬硫族化合物中發(fā)現(xiàn)的層間類共價(jià)準(zhǔn)鍵類似,并導(dǎo)致少層碲具有諸多特異的物理性質(zhì)。理論預(yù)測(cè)發(fā)現(xiàn),該材料具有從0.31 eV (體相)到1.17 eV (雙層)的層數(shù)依賴帶隙、在層內(nèi)非共價(jià)方向具有105 cm2/Vs的異常高空穴遷移率(約高于黑磷1-2個(gè)數(shù)量級(jí))、墨西哥帽式 (M型)的價(jià)帶頂形狀以及顯著的雙層到體相的導(dǎo)帶底/價(jià)帶頂演變關(guān)系、新奇的層間剪切和呼吸模振動(dòng)力常數(shù)數(shù)值交疊和模式混合、大于20%的理想強(qiáng)度、在近紅外和可見光區(qū)域近各向同性的強(qiáng)光吸收(單層平均可見光吸收率可達(dá)~9%)以及遠(yuǎn)優(yōu)于黑磷的空氣穩(wěn)定性。同時(shí),少層碲可以利用溶液化學(xué)方法合成,具有方便、快速、低成本、大尺寸制備等優(yōu)勢(shì)。

                圖1. 少層單質(zhì)碲同素異形體的結(jié)構(gòu)示意圖及穩(wěn)定性比較  

                (a) 碲單質(zhì)體相最穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu) (α相);

                (b) - (d) 2層α相碲的頂視圖及側(cè)視圖;

                (e), (f) 2層β相碲的頂視圖及側(cè)視圖;

                (g), (h) 2層γ相碲的頂視圖及側(cè)視圖;

                (i) α、β和γ相碲隨層數(shù)熱穩(wěn)定性變化曲線;

                (j) - (k) α相碲隨層數(shù)兩個(gè)方向的晶格常數(shù)(b和c),結(jié)合能和層間距的變化曲線。

                圖2.少層α相單質(zhì)碲的電子能帶結(jié)構(gòu)  

                (a), (b) 體相及少層α相碲的布里淵區(qū)示意圖;

                (c), (d) 體相及2層α相碲的能帶結(jié)構(gòu);

                (e) - (l) 2、4、6層和體相α相碲最低導(dǎo)帶和最高價(jià)帶能量面示意圖。

                圖3. 少層α相碲的層間相互作用  

                (a), (b)α相碲帶隙和導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂能量隨層數(shù)的變化圖;

                (c) - (f) 雙碲原子鏈及2層α相碲的差分電荷密度;

                (g) - (i) 2層α相碲近價(jià)帶頂?shù)某涉I態(tài)(圖2(d)所示電子態(tài)VB4)和反鍵態(tài)(電子態(tài)VB1) 可視化波函數(shù)的空間分布圖(沿xz平面和yz平面)。

                圖4. 少層α相碲的光吸收譜  

                (a), (b) 2和6層α相碲在極化方向沿著x、y、z的入射光照射下的單層平均光吸收率;

                (c) 2到6層及體相α相碲在極化方向沿著y的入射光照射下的單層平均光吸收率。

                圖5. α相少層單質(zhì)碲的振動(dòng)性質(zhì)  

                (a) 2層α相碲的拉曼強(qiáng)度;

                (b) - (d) 2層α相碲中拉曼強(qiáng)度最高的三個(gè)模式 , 和 的振動(dòng)模式示意圖;

                (e) 模式 , 和 在布里淵區(qū)原點(diǎn)的振動(dòng)頻率隨α相碲層數(shù)增加出現(xiàn)劈裂并伴隨藍(lán)移/紅移現(xiàn)象;

                (f) 剪切模式Sy在布里淵區(qū)原點(diǎn)振動(dòng)頻率隨層數(shù)增加劈裂;

                (g) α相碲平均層間力常數(shù)隨層數(shù)變化曲線圖。

                圖6. 少層α相碲的環(huán)境穩(wěn)定性  

                (a), (b) O2和H2O在2層α相碲上的物理吸附構(gòu)型;

                (c) - (f) 2層α相碲被氧化的兩種反應(yīng)路徑I和II的過(guò)渡態(tài)(TS)及末態(tài)(FS)構(gòu)型;

                (g), (h) 反應(yīng)路徑I和II的能量分布曲線圖。

                【小結(jié)】

                這項(xiàng)研究工作不僅預(yù)言了一種在電子、光電、熱電領(lǐng)域有很強(qiáng)潛在應(yīng)用的鏈狀單質(zhì)二維半導(dǎo)體材料,也把此前只在層間發(fā)現(xiàn)的類共價(jià)準(zhǔn)鍵擴(kuò)展到了層內(nèi)非共價(jià)方向,同時(shí)以該材料為原型討論了一維層狀材料中可能的新奇特性。


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