半導體照明作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),是我國發(fā)展低碳經(jīng)濟、調(diào)整產(chǎn)業(yè)結(jié)構及綠色發(fā)展的重要途徑之一?!笆濉逼陂g,在863計劃新材料技術領域,支持了“高效半導體照明關鍵材料技術研發(fā)”重大項目。近日,863計劃新材料技術領域辦公室在北京組織專家對該項目進行了驗收。
“高效半導體照明關鍵材料技術研發(fā)(一期)、(二期)”項目開展了Si和藍寶石襯底上高光效低成本的LED外延和產(chǎn)業(yè)化關鍵技術、芯片及封裝應用技術等方面的研究,研制出高質(zhì)量SiC和GaN襯底、深紫外LED器件、高效白光OLED器件和燈具、高質(zhì)量GaN外延材料、高功率LED薄膜倒裝器件等成果,獲得了擁有自主知識產(chǎn)權的高品質(zhì)白光照明產(chǎn)品,實現(xiàn)了高純金屬有機化合物(MO)源、熒光粉、硅膠等關鍵材料的國產(chǎn)化,以及LED在植物生長、醫(yī)療等領域的應用。
“十三五”期間,為加快推動材料領域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,科技部制定了《“十三五”材料領域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》,在新材料技術發(fā)展方面,重點發(fā)展戰(zhàn)略性電子材料、先進結(jié)構與復合材料、新型功能與智能材料,滿足戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求。在戰(zhàn)略性電子材料發(fā)展方向中對第三代半導體材料與半導體照明技術進行了系統(tǒng)布局,重點研究內(nèi)容包括:大尺寸、高質(zhì)量第三代半導體襯底和薄膜材料外延生長調(diào)控規(guī)律,高效全光譜光源核心材料、器件和燈具全技術鏈綠色制造技術,超越照明和可見光通訊關鍵技術、系統(tǒng)集成和應用示范,高性能射頻器件、電力電子器件及其模塊設計、工藝技術及應用示范,核心裝備制造技術等。