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              美團(tuán)隊(duì)研發(fā)高效深紫外LED,創(chuàng)業(yè)界最低波長(zhǎng)紀(jì)錄

              2017/3/7 9:53:11 作者: 來(lái)源:LEDinside
              摘要:美國(guó)康乃爾大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì),最新就研發(fā)出一種體積小且更環(huán)保的深紫外線LED光源,并創(chuàng)下目前業(yè)界deep-UV LED最低波長(zhǎng)的紀(jì)錄。

                素有殺手之稱的UV-C紫外光,波長(zhǎng)僅200到280奈米、能量高,可以穿透病毒、細(xì)菌、真菌和塵螨的薄膜,攻擊DNA并殲滅這些有害的有機(jī)體。

                自丹麥教授Niels Finsen發(fā)現(xiàn)用紫外線可治療結(jié)核病后,人類(lèi)利用紫外線殺菌已經(jīng)有超過(guò)百年歷史。但目前使用的深紫外線燈不只體積龐大、效率低,而且皆含水銀,對(duì)環(huán)境有害。

                美國(guó)康乃爾大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì),最新就研發(fā)出一種體積小且更環(huán)保的深紫外線LED光源,并創(chuàng)下目前業(yè)界deep-UV LED最低波長(zhǎng)的紀(jì)錄。  

                ? 圖為研究團(tuán)隊(duì)成員,照片來(lái)源:美國(guó)康乃爾大學(xué)

                研究人員采用原子級(jí)控制界面的氮化鎵(GaN)與氮化鋁(AlN)單層薄膜為反應(yīng)作用區(qū)域,成功發(fā)射出波長(zhǎng)介于232到270奈米的深紫外LED。這種232奈米的深紫外線,創(chuàng)下使用氮化鎵為發(fā)光材料,所發(fā)出的光線波長(zhǎng)最短記錄。之前的記錄是由日本團(tuán)隊(duì)創(chuàng)下的239奈米。

                研究論文《MBE-grown 232-270 nm deep-UV LEDs using monolayer thin binary GaN/AlN quantum heterostructures》于1月27號(hào)發(fā)表于《應(yīng)用物理快報(bào)》期刊(Applied Physics Letters)網(wǎng)站。

                提高紫外線LED效率

                目前紫外線LED最大瓶頸就是發(fā)光效率,可以由三個(gè)方面來(lái)衡量:

                1. 注入效率:注入反應(yīng)作用區(qū)域的電子通過(guò)裝置的比例。

                2. 內(nèi)量子效率(IQE):反應(yīng)作用區(qū)域中所有電子產(chǎn)生光子或紫外線的比例。

                3. 出光效率:反應(yīng)作用區(qū)域中產(chǎn)出的光子比例,這些光子可以從裝置中取出,而且是可以利用的。

                論文作者之一SM (Moudud) Islam博士表示:「如果上述三個(gè)方面的效率都達(dá)到50%,相乘起來(lái)只有八分之一,等于發(fā)光效率已經(jīng)降到12%?!?/p>

                在深紫外線波段,這三方面的效率都很低,但研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn),利用氮化鎵取代傳統(tǒng)的鋁氮化鎵,可以提高內(nèi)量子效率和出光效率。

                而為了提高注入效率,研究團(tuán)隊(duì)采用之前開(kāi)發(fā)出的技術(shù),在正極(電子)和負(fù)極(電洞)載體區(qū)域,采用極化感應(yīng)摻雜法來(lái)實(shí)現(xiàn)。

                研究發(fā)展

                在成功提升深紫外LED的發(fā)光效率后,研究團(tuán)隊(duì)的下一步是將光源整合到裝置內(nèi),朝上市的目標(biāo)邁進(jìn)。深紫外光的應(yīng)用領(lǐng)域包含食物保鮮、假鈔辨別、光觸媒、水的凈化殺菌等等。


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