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              Vishay推雙片不對稱功率封裝12V和20V MOSFET
              
                
              
                    2016/7/12 10:23:14
                    
                        
                        作者： 來源：搜狐
                        
                        
                    
                    
                
              
            
              
            
            
              摘要：日前，Vishay宣布推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET——SQJ202EP和20V MOSFET——SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。
              
            
            

            
              
                
                
              　　日前，Vishay宣布推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET——SQJ202EP和20V 
MOSFET——SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP 
N溝道TrenchFET器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK 
SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。
              　　
              Vishay推雙片不對稱功率封裝12V和20V MOSFET
              　　12V SQJ202EP和20V 
SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個不對稱封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導(dǎo)通電阻較低，較小的高邊MOSFET開關(guān)速度更快，可替換性能較低的標(biāo)準(zhǔn)雙片器件，而標(biāo)準(zhǔn)器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設(shè)計使用最優(yōu)的MOSFET組合。相比于使用分立器件，這兩顆器件占用的電路板空間更少，能實現(xiàn)更小尺寸的PCB設(shè)計。
              　　此次發(fā)布的器件可在+175℃高溫下工作，能夠滿足信息娛樂系統(tǒng)、車載信息服務(wù)、導(dǎo)航和LED照明等汽車應(yīng)用對耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓8V的應(yīng)用，通道2的低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻只有3.3mΩ。20V 
SQJ200EP適合電壓較高的應(yīng)用，最大導(dǎo)通電阻為3.7mΩ，稍高一些。兩顆器件都進行了100%的柵極電阻和雪崩測試，符合RoHS，無鹵素。
              　　器件規(guī)格表：
              　　
              Vishay推雙片不對稱功率封裝12V和20V MOSFET
              　　SQJ200EP和SQJ202EP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)。

              
            
              

            
              
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