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              Vishay新款600V和650V E系列MOSFET提高可靠性并減小封裝電感

              2016/7/19 9:49:46 作者: 來源:Vishay
              摘要:Vishay公司日前宣布,推出3顆采用小尺寸PowerPAK SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E,擴充其600V和650VE系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET,具有高可靠性和小封裝電感,

                Vishay公司日前宣布,推出3顆采用小尺寸PowerPAK SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E,擴充其600V和650VE系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET,具有高可靠性和小封裝電感,可用于照明、工業(yè)、電信、計算和消費應用。

                今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發(fā),表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS,無鹵素,無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mmx6mm,占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且,與無引線DFN封裝的MOSFET相比,在整機設備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時,PowerPAKSO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級的可靠性。

                SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結(jié)技術(shù)制造,在10V下的最大導通電阻只有0.52Ω,柵極電荷低至17nC,導通電阻與柵極電荷乘積更低,該參數(shù)是評價功率轉(zhuǎn)換應用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)。在功率因數(shù)校正、反激、雙管正激轉(zhuǎn)換器,以及HID和LED照明、工業(yè)、電信、消費和計算類應用的電源適配器等硬開關(guān)拓撲中,這些參數(shù)意味著MOSFET能實現(xiàn)極低的傳導和開關(guān)損耗,有效節(jié)約能源。

                MOSFET可承受雪崩和換相模式中的高能脈沖,保證限值通過100%的UIS測試。


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