ROHM開發(fā)出SiC肖特基勢壘二極管“SCS3系列”

　　全球知名半導體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基勢壘二極管(以下稱“SiC-SBD”) “SCS3系列”。

　　本產(chǎn)品采用新結構，不僅繼承了量產(chǎn)中的第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的業(yè)界最低正向電壓※2(VF=1.35V、25℃)的特性，同時還確保了高抗浪涌電流特性。因此，還可用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路，非常有助于提高應用的效率。

　　本產(chǎn)品已于2016年3月開始出售樣品，計劃于2016年4月開始逐步投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Korea Corporation(韓國)。

　　今后，ROHM將通過擴大SiC元器件產(chǎn)品的陣容，繼續(xù)為電力電子設備的節(jié)能化作出貢獻。

　　<背景>

　　近年來，在太陽能發(fā)電系統(tǒng)、工業(yè)用各種電源裝置、電動汽車及家電等電力電子領域，為提高功率轉換效率以實現(xiàn)進一步節(jié)能，更高效率的功率元器件產(chǎn)品備受期待。SiC器件與以往的Si器件相比，具有優(yōu)異的材料特性，在這些領域中的應用日益廣泛。尤其是在服務器等這類要求更高電源效率的設備電源中，SiC-SBD產(chǎn)品因其快速恢復特性可有效提高效率而被用于PFC電路來提高設備效率。在這些用途中，抗浪涌電流※3特性成為重要的參數(shù)。一直以來，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD產(chǎn)品均深獲客戶好評。為了進一步擴大應用范圍，ROHM 采用新產(chǎn)品結構，成功開發(fā)出保持業(yè)界最高水平的低VF特性、并實現(xiàn)高抗浪涌電流特性的產(chǎn)品。

　　<特點>

　　1. 保持低VF特性，實現(xiàn)高抗浪涌電流能力

　　此次開發(fā)的第3代SiC-SBD“SCS3系列”，為實現(xiàn)高抗浪涌電流能力，采用了JBS(Junction Barrier schottky)結構。以往的結構是可有效提高抗浪涌電流能力、并改善泄漏特性的結構，而ROHM的第3代最新產(chǎn)品，不僅具備以往產(chǎn)品的特點，而且還進一步改善了第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的低VF特性，將作為更高性能的產(chǎn)品大展身手。

　　2. 實現(xiàn)業(yè)界最低的正向電壓(VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃)

　　ROHM的第2代SiC-SBD，通過改善工藝和產(chǎn)品結構，實現(xiàn)了業(yè)界最低的正向電壓。在高溫條件下，本產(chǎn)品的VF值比第2代產(chǎn)品更低，導通損耗更低，效率更高。

　　3. 低泄漏電流特性

　　一般情況下，降低正向電壓會導致反向漏電流增加，而ROHM的第3代最新SiC-SBD產(chǎn)品采用JBS結構，成功減少漏電流并降低正向電壓。本產(chǎn)品在額定電壓下的漏電流與第2代SiC-SBD相比，低至約1/20(650V、Tj=150℃時)。

　　※1.E=1 , -03=1/103

　　<產(chǎn)品陣容>

　　TO-220ACP封裝的產(chǎn)品陣容擴大中。另外，在此基礎上還將逐步擴大TO-263AB(表面貼裝型)封裝的產(chǎn)品陣容。

　　<應用>

　　計算機、服務器、空調等高端電源設備內的PFC電路

　　<術語解說>

　　※1 PFC電路　(Power Factor Correction)

　　將電源產(chǎn)生的高次諧波電流控制在某范圍以內，抑制峰值電流以期進一步節(jié)能的電路。

　　※2　正向電壓(VF)

　　電從+向-流動時產(chǎn)生的電壓下降。該值越低越有助于效率提升。

　　※3 浪涌電流

　　雷擊等導致的電源電路等瞬間產(chǎn)生的超出常態(tài)的電流。