全球知名半導體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基勢壘二極管(以下稱“SiC-SBD”) “SCS3系列”。
本產品采用新結構,不僅繼承了量產中的第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的業(yè)界最低正向電壓※2(VF=1.35V、25℃)的特性,同時還確保了高抗浪涌電流特性。因此,還可用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路,非常有助于提高應用的效率。
本產品已于2016年3月開始出售樣品,計劃于2016年4月開始逐步投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福岡縣),后期工序的生產基地為ROHM Korea Corporation(韓國)。
今后,ROHM將通過擴大SiC元器件產品的陣容,繼續(xù)為電力電子設備的節(jié)能化作出貢獻。
<背景>
近年來,在太陽能發(fā)電系統(tǒng)、工業(yè)用各種電源裝置、電動汽車及家電等電力電子領域,為提高功率轉換效率以實現(xiàn)進一步節(jié)能,更高效率的功率元器件產品備受期待。SiC器件與以往的Si器件相比,具有優(yōu)異的材料特性,在這些領域中的應用日益廣泛。尤其是在服務器等這類要求更高電源效率的設備電源中,SiC-SBD產品因其快速恢復特性可有效提高效率而被用于PFC電路來提高設備效率。在這些用途中,抗浪涌電流※3特性成為重要的參數(shù)。一直以來,ROHM的第1代、第2代SiC-SBD產品均深獲客戶好評。為了進一步擴大應用范圍,ROHM 采用新產品結構,成功開發(fā)出保持業(yè)界最高水平的低VF特性、并實現(xiàn)高抗浪涌電流特性的產品。
<特點>
1. 保持低VF特性,實現(xiàn)高抗浪涌電流能力
此次開發(fā)的第3代SiC-SBD“SCS3系列”,為實現(xiàn)高抗浪涌電流能力,采用了JBS(Junction Barrier schottky)結構。以往的結構是可有效提高抗浪涌電流能力、并改善泄漏特性的結構,而ROHM的第3代最新產品,不僅具備以往產品的特點,而且還進一步改善了第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的低VF特性,將作為更高性能的產品大展身手。
2. 實現(xiàn)業(yè)界最低的正向電壓(VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃)
ROHM的第2代SiC-SBD,通過改善工藝和產品結構,實現(xiàn)了業(yè)界最低的正向電壓。在高溫條件下,本產品的VF值比第2代產品更低,導通損耗更低,效率更高。
3. 低泄漏電流特性
一般情況下,降低正向電壓會導致反向漏電流增加,而ROHM的第3代最新SiC-SBD產品采用JBS結構,成功減少漏電流并降低正向電壓。本產品在額定電壓下的漏電流與第2代SiC-SBD相比,低至約1/20(650V、Tj=150℃時)。
※1.E=1 , -03=1/103
<產品陣容>
TO-220ACP封裝的產品陣容擴大中。另外,在此基礎上還將逐步擴大TO-263AB(表面貼裝型)封裝的產品陣容。
<應用>
計算機、服務器、空調等高端電源設備內的PFC電路
<術語解說>
※1 PFC電路 (Power Factor Correction)
將電源產生的高次諧波電流控制在某范圍以內,抑制峰值電流以期進一步節(jié)能的電路。
※2 正向電壓(VF)
電從+向-流動時產生的電壓下降。該值越低越有助于效率提升。
※3 浪涌電流
雷擊等導致的電源電路等瞬間產生的超出常態(tài)的電流。