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              環(huán)球晶關(guān)鍵材料最新成果即將亮相

              2016/4/6 9:55:18 作者: 來源:中時電子報
              摘要:中美晶旗下矽晶圓廠環(huán)球晶4月1日表示,4月13至16日將于“LED TAIWAN 2016”會中發(fā)表寬能隙半導體元件(Wide Bandgap Semiconductor Device)關(guān)鍵材料最新研發(fā)成果,依功率元件的應用功率,分別展出矽(Si)、氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)產(chǎn)品。

                中美晶旗下矽晶圓廠環(huán)球晶4月1日表示,4月13至16日將于“LED TAIWAN 2016”會中發(fā)表寬能隙半導體元件(Wide Bandgap Semiconductor Device)關(guān)鍵材料最新研發(fā)成果,依功率元件的應用功率,分別展出矽(Si)、氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)產(chǎn)品。

                環(huán)球晶并指出,矽產(chǎn)品將展出3寸至12寸晶圓,包括磊晶片、退火片、拋光片及SOI;氮化鎵產(chǎn)品將展出6寸及8寸Crack Free GaN/Si;以及碳化矽產(chǎn)品將展出晶球及雙拋晶片。

                環(huán)球晶表示,目前在矽晶圓產(chǎn)品可因應客戶端產(chǎn)品應用之不同,提供具有超平坦、超高或超低阻值等各式需求產(chǎn)品,進而開發(fā)適合氮化鎵使用之強化矽基板;新基材的研發(fā)產(chǎn)品可大幅改善因應力引起之破裂翹曲等問題,有助於後制程使用者提昇良率,同時其高穩(wěn)定性可讓使用者感受到制程可調(diào)動范圍變寬,以利加速產(chǎn)品開發(fā)。


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