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              LED封裝和燈具研制成為發(fā)展最快領(lǐng)域

              2015/3/26 9:54:59 作者: 來源:消費(fèi)日報網(wǎng)
              摘要:經(jīng)過多年的發(fā)展,中國LED產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)日趨完善,企業(yè)遍布LED襯底、LED外延、LED芯片、LED封裝和LED應(yīng)用各產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)??v觀整體產(chǎn)業(yè)鏈條,由于上游產(chǎn)業(yè)對于技術(shù)和資金要求較高,導(dǎo)致國內(nèi)企業(yè)極少涉足,因此產(chǎn)業(yè)存在企業(yè)數(shù)量少、規(guī)模小的特點(diǎn)。

                經(jīng)過多年的發(fā)展,中國LED產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)日趨完善,企業(yè)遍布LED襯底、LED外延、LED芯片、LED封裝和LED應(yīng)用各產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。縱觀整體產(chǎn)業(yè)鏈條,由于上游產(chǎn)業(yè)對于技術(shù)和資金要求較高,導(dǎo)致國內(nèi)企業(yè)極少涉足,因此產(chǎn)業(yè)存在企業(yè)數(shù)量少、規(guī)模小的特點(diǎn)。

                相比之下,由于下游封裝和應(yīng)用對企業(yè)提出的資金和技術(shù)要求相對較低,這恰恰與國內(nèi)企業(yè)資金少、技術(shù)弱的特點(diǎn)相匹配,因此,國內(nèi)從事這兩個環(huán)節(jié)的企業(yè)數(shù)量較多。這種企業(yè)結(jié)構(gòu)分布不均的局面導(dǎo)致中國LED產(chǎn)業(yè)多以低端產(chǎn)品為主,企業(yè)長期面臨嚴(yán)峻的價格壓力。

                隨著這兩年LED上游外延芯片成本的大幅度下降,上游外延芯片、中游封裝、下游應(yīng)用已經(jīng)形成了1:4:9的市場規(guī)模比例。從整個上游投資情況來看,外延片投資增速從2011年的46%下降至2012年的10%,而下游應(yīng)用領(lǐng)域投資增速2011年為21%,2012年則上升至53%,所以LED行業(yè)投資重心從上游向下游轉(zhuǎn)移。

                上游環(huán)節(jié)技術(shù)含量高、資本投入大、質(zhì)量影響大、利潤空間高,LED發(fā)光顏色和發(fā)光效率與制作LED的材料和過程有關(guān),且上游占LED制造成本70%左右,對LED產(chǎn)業(yè)極為重要;中游是技術(shù)和資本密集型環(huán)節(jié),芯片是目前專利競爭最為激烈的環(huán)節(jié),具有投資強(qiáng)度大但見效慢的特點(diǎn);下游環(huán)節(jié)包括LED封裝和燈具的開發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用,是與市場聯(lián)系最為緊密的環(huán)節(jié),技術(shù)含量相對較低,投資門檻也較低,因而是LED產(chǎn)業(yè)中規(guī)模最大并且發(fā)展最快的領(lǐng)域。

                在LED上游外延片、芯片生產(chǎn)上,美國、日本、歐盟仍擁有巨大的技術(shù)優(yōu)勢,而中國臺灣地區(qū)則已經(jīng)成為全球重要的LED生產(chǎn)基地。目前全球形成了以美國、亞洲、歐洲為主導(dǎo)的三足鼎立的產(chǎn)業(yè)格局,并呈現(xiàn)出以日、美、德為產(chǎn)業(yè)龍頭,中國臺灣、韓國緊隨其后,中國大陸、馬來西亞等國家和地區(qū)積極跟進(jìn)的梯隊分布。

                雖然中國在LED外延片、芯片的生產(chǎn)技術(shù)上距離國際先進(jìn)水平還有一定的差距,但是國內(nèi)龐大的應(yīng)用需求,給LED下游廠商帶來巨大的發(fā)展機(jī)會,國內(nèi)生產(chǎn)的如顯示屏、景觀照明燈具等LED應(yīng)用產(chǎn)品已經(jīng)出口到美國、歐盟等國家和地區(qū)。

                目前國內(nèi)外延、芯片主要研究機(jī)構(gòu)有北大、清華、南昌大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、物理所、中電13所、華南師大、北京工大、深圳大學(xué)、山東大學(xué)、南京大學(xué)等,在技術(shù)上主要解決硅襯底上生長GaN外延層、GaN基藍(lán)光波長漂移、提高內(nèi)量子效率和出光效率、提高抗光衰能力和功率芯片的散熱水平等等。

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