單面發(fā)光的芯片級(jí)封裝白光LED——2015神燈獎(jiǎng)申報(bào)技術(shù)

　　項(xiàng)目名稱：

　　單面發(fā)光的芯片級(jí)封裝白光LED

　　申報(bào)單位：

　　晶能光電（江西）有限公司

　　綜合介紹或申報(bào)理由：

　　目前，市場(chǎng)上主流的LED封裝形式為帶支架的LED光源，封裝光源尺寸比芯片本身尺寸大許多，熒光粉工藝沿用傳統(tǒng)的點(diǎn)膠、噴涂等。為適應(yīng)一些新的應(yīng)用領(lǐng)域，如對(duì)LED封裝產(chǎn)品要求具有小型化、集成化、發(fā)光角度更小的光源。晶能光電開發(fā)了一種單面發(fā)光的芯片級(jí)封裝白光LED產(chǎn)品（CSP）,具有發(fā)光角度小，體積小，同等體積功率更大，亮度高，光效高等優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)。

　　主要技術(shù)參數(shù)：

　　CSP尺寸：1.20mm*1.20mm*0.26mm

　　焊盤尺寸：P焊盤：0.36mm*0.84mm;N焊盤：0.36mm*0.84mm

　　Vf：2.8-3.4V，

　　平面無透鏡的條件下，光通量超過110lm@350mA（6000-8000K）

　　技術(shù)及工藝創(chuàng)新要點(diǎn)：

　　（1）和傳統(tǒng)正裝LED相比， CSP不用打線，固晶過程共晶回流焊或者錫膏焊接，芯片的可靠性遠(yuǎn)遠(yuǎn)比一般的銀膠固晶，打線的正裝LED芯片好。

　　（2）同時(shí)倒裝芯片用銀取代正裝的ITO做P電極，電流擴(kuò)散明顯提高，在大電流情況下出光droop明顯減少，大電流下電壓明顯降低。

　　（3）傳統(tǒng)正裝芯片通過藍(lán)寶石散熱，倒裝芯片藍(lán)寶石在上面，避開了藍(lán)寶石散熱不好的缺點(diǎn)。

　　（4）藍(lán)寶石倒裝芯片側(cè)面的光被高反射膠白膠反射，光從一個(gè)面出來，光源的出光角度?。?/span>

　　（5）熒光粉工藝采用貼熒光膜方式，色區(qū)容易控制，顏色一致性好，色區(qū)命中率高，產(chǎn)品綜合出貨率高；

　　（6）封裝尺寸小，同等體積功率更大，可實(shí)現(xiàn)單位面積內(nèi)更高的光密度輸出；

　　（7）無支架，熱阻更低，可靠性更好；

　　（8）封裝體積小，制造BOM的成本低，價(jià)格將更有競(jìng)爭(zhēng)力。

　　實(shí)際運(yùn)用案例和用戶評(píng)價(jià)意見：

　　晶能光電開發(fā)了一套銀反射鏡P電極技術(shù)，反射率可以達(dá)到98%以上，并且350mA下的芯片電壓可以達(dá)到2.8V以下；獨(dú)創(chuàng)的絕緣層使應(yīng)力調(diào)整達(dá)到了高致密，強(qiáng)粘附性，起到了優(yōu)良的絕緣。在倒裝芯片的基礎(chǔ)上，芯片側(cè)面用高反射膠圍以來，正面貼熒光膜，形成體積小、發(fā)光角度小，功率大，光密度高的芯片級(jí)別封裝LED。

　　獲獎(jiǎng)、專利情況：

　　申報(bào)單位介紹：

　　晶能光電有限公司是由金沙江、淡馬錫等多家著名的投資機(jī)構(gòu)共同投資，專門從事LED外延材料與芯片生產(chǎn)的高科技企業(yè)，目前注冊(cè)資金2億美元。 晶能光電擁有的硅襯底氮化鎵基LED材料與器件技術(shù)是一項(xiàng)改寫半導(dǎo)體照明歷史的顛覆性新技術(shù)，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán)，迄今為止已申請(qǐng)或獲得國(guó)際國(guó)內(nèi)各種專利230多項(xiàng)。國(guó)家863專家組對(duì)此項(xiàng)技術(shù)的評(píng)價(jià)是：“……打破了目前日本日亞公司壟斷藍(lán)寶石襯底和美國(guó)Cree公司壟斷碳化硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)的局面，形成了藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)方案三足鼎立的局面。” 晶能光電目前擁有21臺(tái)MOCVD設(shè)備，總投資已超過10億元。目前主營(yíng)的產(chǎn)品包括大中小功率硅襯底LED芯片。

　　產(chǎn)品圖片：