2014年隨著三星電子的西安工廠竣工，SK海力士遭受火災(zāi)的無錫工廠恢復(fù)生產(chǎn)，韓國半導(dǎo)體制造企業(yè)在中國的生產(chǎn)比重呈現(xiàn)出持續(xù)增加的趨勢。例如，三星電子在西安在西安(NAND Flash生產(chǎn))、蘇州(半導(dǎo)體后道工序)擁有生產(chǎn)設(shè)備;SK海力士繼無錫(生產(chǎn)D燈)工廠以后，最近在重慶(半導(dǎo)體后道工序)通過應(yīng)用內(nèi)存最高端技術(shù)的生產(chǎn)設(shè)備批量生產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)品;同時，韓國中小SOC企業(yè)為促進(jìn)在中國市場的銷售活動的進(jìn)展及兩國之間的合作，通過在深圳成立“中韓系統(tǒng)IC合作研究院”，為在中國的網(wǎng)絡(luò)相對薄弱的中小企業(yè)，構(gòu)建了與中國需求企業(yè)共同研究等符合當(dāng)?shù)氐钠脚_。
在韓國，半導(dǎo)體不僅是IT高端產(chǎn)品的核心部件，更是通過結(jié)合汽車、機(jī)械等韓國國內(nèi)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，正在不斷拉動著韓國經(jīng)濟(jì)全球化發(fā)展的引擎。
升級改進(jìn)
半導(dǎo)體材料屬于“多面生花”，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，主要集中在集成電路、太陽能電池、高端功率器件、儲存器、微處理器、芯片、模擬電路、分立器件，電子電力器件、探測器、LED、LD光電領(lǐng)域、電子電力器件、半導(dǎo)體照明、太陽能電池等領(lǐng)域。如今，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)從微米進(jìn)步到納米尺度，微電子已經(jīng)被納米電子所取代，即半導(dǎo)體行業(yè)未來的趨勢是，組件會變得更小，IC的整合度變得更大，功能變得更強(qiáng)，價格也變得更便宜。
目前，韓國共有400多家半導(dǎo)體及相關(guān)產(chǎn)品制造企業(yè)，主要分為元件、設(shè)計、設(shè)備、材料企業(yè)四類。大部分中小企業(yè)群由設(shè)備及材料企業(yè)組成，他們主要負(fù)責(zé)與制造半導(dǎo)體的元件企業(yè)合作開發(fā)產(chǎn)品，再將生產(chǎn)設(shè)備或材料銷售給元件企業(yè)。除上述半導(dǎo)體專用設(shè)備、材料生產(chǎn)企業(yè)以外，還約有300多家部件制造企業(yè)生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品。其中，三星電子的半導(dǎo)體生產(chǎn)額位居世界第二位(美國位居世界第一位)，內(nèi)存生產(chǎn)額位居世界第一位，是領(lǐng)導(dǎo)全球的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。在內(nèi)存, 系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域，三星擁有世界最頂級的生產(chǎn)設(shè)備，并在設(shè)計、制造、Foundry等各種半導(dǎo)體生產(chǎn)價值鏈拓展事業(yè)。SK海力士是半導(dǎo)體生產(chǎn)額位居世界第五位，內(nèi)存生產(chǎn)額位居世界第三位的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)額從2003年的139億美元(世界市場占有率為7.4%，位居世界第四位)增至2013年的515億美元，增加到了原來的兩倍以上，世界市場占有率以16.2%首次超過日本，躍居成為世界第二位。尤其是內(nèi)存半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自從2002年高居世界首位(占有率達(dá)到32.9%)以來，通過獨(dú)特的市場及技術(shù)優(yōu)勢，正在持續(xù)擴(kuò)大其影響力范圍。2013年世界市場占有率達(dá)到了52.4%，以壓倒性優(yōu)勢的競爭力，正在引領(lǐng)全球的內(nèi)存市場。
事實上，隨著內(nèi)存制造技術(shù)接近加工微細(xì)化達(dá)到極限，韓國半導(dǎo)體的特點技術(shù)和競爭優(yōu)勢正在從不斷優(yōu)化變革中汲取營養(yǎng)。韓國通過產(chǎn)學(xué)研合作，提出了企業(yè)對新一代原創(chuàng)技術(shù)的需求，正在推進(jìn)大學(xué)研究的“未來半導(dǎo)體元件開發(fā)項目”。另外，為了確保系統(tǒng)半導(dǎo)體研發(fā)成本及提供SW-SoC綜合解決方案，確保CPU核心技術(shù)至關(guān)重要。韓國在促進(jìn)開發(fā)作為CPU核心要素技術(shù)之一的低功耗流程設(shè)計技術(shù)，今后計劃通過結(jié)合半導(dǎo)體及SW領(lǐng)域的CPU核心國產(chǎn)化發(fā)展路線，持續(xù)推進(jìn)后續(xù)技術(shù)開發(fā)及商用化。而在加工技術(shù)方面，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球競爭日益加劇，半導(dǎo)體元件企業(yè)需要通過加工微細(xì)化及晶圓的大口徑化、新物質(zhì)、新結(jié)構(gòu)材料開發(fā)等加強(qiáng)競爭力，以便于降低生產(chǎn)成本。
突破創(chuàng)新
前不久，谷歌推出的“谷歌眼鏡”半導(dǎo)體技術(shù)實現(xiàn)了新突破，而這些突發(fā)奇想，就是由新材料的不斷突破造就的。
可穿戴設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈，即是“柔性電路板—傳感器技術(shù)—穿戴式電子產(chǎn)品”的發(fā)展鏈條。當(dāng)前，國內(nèi)最大的柔性電路板(FPC)生產(chǎn)商之一是丹邦科技，根據(jù)該公司2012年公布的年報，該公司專注于微電子柔性互連與封裝業(yè)務(wù)，形成了從FCCL→FPC、FCCL→COF柔性封裝基板→COF產(chǎn)品的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就是通過加強(qiáng)自主創(chuàng)新實現(xiàn)由技術(shù)追趕到跨越的典型例子。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從代工(1965年)起步，以引進(jìn)和購買相關(guān)技術(shù)為主實現(xiàn)技術(shù)積累后，在80年代中期和90年代初期轉(zhuǎn)向自主開發(fā)，以國家電子所為中心，三星、現(xiàn)代、LG等大企業(yè)參加組成半導(dǎo)體研發(fā)組織，終于在1992年末與美日同期開發(fā)64M D-RAM。在從1M到64M的D-RAM核心基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)過程中韓國政府承擔(dān)了大部分研發(fā)投資，1M到16M的D-RAM開發(fā)共投資879億韓元，政府投入500億韓元;16M和64M D-RAM研發(fā)投資900億韓元，政府投入750億韓元。當(dāng)1994年自主開發(fā)出256M存儲器后韓國半導(dǎo)體進(jìn)入以自主技術(shù)創(chuàng)新為主的技術(shù)跨越，成為世界半導(dǎo)體存儲技術(shù)的領(lǐng)先者。為持續(xù)保持并強(qiáng)化競爭優(yōu)勢，韓國政府通過了《新一代半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)項目》，并于1996年成功開發(fā)1G D-RAM，2001年4月又最早開發(fā)出4G D-RAM，成為在內(nèi)存方面世界上技術(shù)最強(qiáng)的國家。正是這種自主創(chuàng)新的不懈努力，韓國才實現(xiàn)了技術(shù)追趕到跨越。
現(xiàn)在的內(nèi)存半導(dǎo)體則逐漸擺脫了依靠大型投資及通過領(lǐng)先微細(xì)加工技術(shù)促進(jìn)生產(chǎn)和發(fā)展的模式，正在轉(zhuǎn)向以體現(xiàn)結(jié)合手機(jī)、云技術(shù)及汽車等各種需求的SOLUTION內(nèi)存半導(dǎo)體模式變化，以未來元件及產(chǎn)品設(shè)計為中心的增長模式。而就系統(tǒng)半導(dǎo)體而言，需要投資大量資金與人力的產(chǎn)品、需要卓越知識的產(chǎn)品、核心IP產(chǎn)品等相關(guān)企業(yè)相比競爭，更注重通過分工與合作，構(gòu)建相輔相成的合作體系。尤其是，逐漸擺脫模仿階段，正在努力思考獨(dú)特產(chǎn)品及技術(shù)，以挖掘新的技術(shù)及產(chǎn)品。
企業(yè)是技術(shù)引進(jìn)和自主創(chuàng)新的主體，引進(jìn)技術(shù)和創(chuàng)新活動主要由企業(yè)來決定，并承擔(dān)其經(jīng)濟(jì)風(fēng)險。但政府通過法規(guī)、信貸、稅收等經(jīng)濟(jì)和法律手段進(jìn)行嚴(yán)格的規(guī)劃指導(dǎo)、監(jiān)督和控制。這種機(jī)制既保證了技術(shù)發(fā)展的計劃性，也保證了企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新活動的主動性和高效性。這是韓國科技發(fā)展中最成功的一點，也是半導(dǎo)體企業(yè)在持續(xù)的技術(shù)引進(jìn)過程中培育企業(yè)自主創(chuàng)新能力的有力保證。
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