十四五規劃提名第三代半導體，碳化硅、氮化鎵站上風口

近日，全國兩會落下帷幕，第三代半導體成為了兩會的關鍵詞之一。

3月12日，新華社發布《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》。綱要中集成電路領域稱要取得碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體的發展。

兩會期間，全國政協委員王文銀在采訪中稱，伴隨著第三代半導體行業的觸角向5G基站、特高壓、城際高鐵交通、新能源充電樁等關鍵領域延伸，我國半導體行業發展風口已至。

第三代半導體是國家2030規劃和“十四五”國家研發計劃確定的重要發展方向，被視作我國半導體產業彎道超車的機會。要采取果斷措施，推動我國第三代半導體產業落地。

不久前，TrendForce集邦咨詢發布了2018-2022年SiC及GaN功率組件市場規模，SiC和GaN自2020年起市場規模呈上升趨勢。TrendForce集邦咨詢預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6,100萬美元，年增30.8%及90.6%；SiC器件部分，預估2021年SiC器件于功率領域營收可達6.8億美元，年增32%。

對于第三代半導體領域，各國的研究和水平差距不大，而國內多數專家也對我國第三代半導體的發展持積極態度，第三代半導體材料或許可以成為我們擺脫集成電路被動局面，實現芯片技術追趕和超車的良機。