芯片斷供，LED企業(yè)加快第三代半導(dǎo)體布局

美國對(duì)華為的禁令于本月15日生效。在美國對(duì)華為芯片實(shí)施“斷供”前夕，華為打響突圍戰(zhàn)，發(fā)布鴻蒙2.0，闡述華為生態(tài)，明確表示明年全面支持手機(jī)搭載鴻蒙系統(tǒng)。據(jù)華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東介紹，即便受到制裁，2020年上半年，華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)手機(jī)全球發(fā)貨量達(dá)1.05億部；消費(fèi)者業(yè)務(wù)收入達(dá)到2558億元?！白罱粋€(gè)季度，華為手機(jī)在全球和國內(nèi)市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)了第一，其中國內(nèi)市場(chǎng)份額超過51%，但已出現(xiàn)缺貨?！苯?，余承東在其個(gè)人微博發(fā)布視頻。被問及下一代Mate手機(jī)何時(shí)發(fā)布，他表示“請(qǐng)大家再等一等，一切都會(huì)如期而至”。

此前，在中國信息化百人會(huì)2020年峰會(huì)上，華為的消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東直言：華為要沒芯片可用了。

余承東表示，今年秋季華為將發(fā)布品牌Mate40系列5G新品手機(jī)，并選擇搭載麒麟9000系列芯片。不過，該系列手機(jī)或?qū)⒊蔀樽詈笠淮钶d華為自產(chǎn)麒麟芯片的產(chǎn)品。

由于美國對(duì)華為的第二輪制裁，麒麟9000系列芯片將可能變成麒麟高端芯片的最后一代，絕版。原因，余承東說的很清楚：現(xiàn)在國內(nèi)的半導(dǎo)體工藝上還沒有趕上。

正如余承東所說的，華為代表著中國芯片產(chǎn)業(yè)所走過的艱難的道路，從嚴(yán)重落后、到有點(diǎn)落后、到趕上來、再到領(lǐng)先。

可是美國政府要摧毀所有領(lǐng)先于美國公司的外國公司，所以華為就受到美國以國家之力的打壓。

這是光榮，也很悲壯。

而要破除技術(shù)壁壘，只有一條難走的路：在壁壘之外構(gòu)建一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈和一條完整的生態(tài)系統(tǒng)。

近期，有媒體報(bào)道稱，據(jù)權(quán)威人士透露，“十四五”規(guī)劃之中，我國計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

事實(shí)上，近年來，包括LED企業(yè)在內(nèi)，中國企業(yè)正加速推動(dòng)中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，在國際巨頭筑起的高墻下奮力進(jìn)擊與突圍。

根據(jù)世紀(jì)證券公司陳建生的研究報(bào)告《從新基建與消費(fèi)電子看第三代半導(dǎo)體材料》，從應(yīng)用范圍來說，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域還具有學(xué)科交叉性強(qiáng)、應(yīng)用領(lǐng)域廣、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)性大等特點(diǎn)。在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)新材料。

第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）。

圖：SiC與GaN處于穩(wěn)步爬升的光明期

然而，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的高技術(shù)門檻導(dǎo)致其市場(chǎng)被日美歐寡頭壟占，美歐等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)加大化合物半導(dǎo)體投入。2018年，美國、歐盟等國家和組織啟動(dòng)了超過15個(gè)研發(fā)項(xiàng)目，其中，美國的研發(fā)支持力度最大。

2018年美國能源部（DOE）、國防先期研究計(jì)劃局（DARPA）、和國家航空航天局（NASA）和電力美國(Power America)等機(jī)構(gòu)紛紛制定第三代半導(dǎo)體相關(guān)的研究項(xiàng)目，支持總資金超過4億美元，涉及光電子、射頻和電力電子等方向，以期保持美國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全球領(lǐng)先的地位。

此外，歐盟先后啟動(dòng)了“硅基高效毫米波歐洲系統(tǒng)集成平臺(tái)（SERENA）”項(xiàng)目和“5GGaN2”項(xiàng)目，以搶占5G發(fā)展先機(jī)。

圖：全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局

在中國，先進(jìn)半導(dǎo)體材料已上升至國家戰(zhàn)略層面，2025年目標(biāo)滲透率超過50%。

底層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)，在2025中國制造中，分別對(duì)第三代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊等細(xì)分領(lǐng)域做出了目標(biāo)規(guī)劃。在任務(wù)目標(biāo)中提到2025實(shí)現(xiàn)在5G通信、高效能源管理中的國產(chǎn)化率達(dá)到50%；在新能源汽車、消費(fèi)電子中實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，在通用照明市場(chǎng)滲透率達(dá)到80%以上。

圖：中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理

目前第三代半導(dǎo)體材料已逐漸滲透5G、新能源汽車、綠色照明等新興領(lǐng)域，被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。未來，5G對(duì)高功率射頻的需求，手機(jī)和筆電對(duì)高效輕小快充的需求將在2020-2021年爆發(fā)，疫情對(duì)深紫外UVC的需求將在2020年短期內(nèi)集中爆發(fā)。中長期來看，三類需求面對(duì)的都是GaN器件的藍(lán)海市場(chǎng)，具有可觀的增長空間。

在2020年上半年，我國孕育出了一批最具創(chuàng)新力的半導(dǎo)體企業(yè)。創(chuàng)新的技術(shù)融合與互動(dòng)方式，正為半導(dǎo)體行業(yè)制造新商機(jī)和商業(yè)模式。同樣，開發(fā)應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)市場(chǎng)的芯片和軟件具有強(qiáng)勁的增長潛力。

國家重要政策大力支持第三代半導(dǎo)體行業(yè)，半導(dǎo)體板迎來重大利好。中國LED產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)紛紛布局。

光莆股份

昨(14)日，光莆股份發(fā)布公告宣布擬出資7500萬參與投資產(chǎn)業(yè)投資基金，以加快公司在第三代半導(dǎo)體光應(yīng)用領(lǐng)域戰(zhàn)略布局落地。目前，基金尚處于籌備階段。

公告顯示，光莆股份擬與廈門火炬集團(tuán)創(chuàng)業(yè)投資有限公司(以下簡稱“火炬創(chuàng)投”)、廈門火炬中傳新板投資合伙企業(yè)(有限合伙)(暫定名，以下簡稱“火炬中傳”)等共同投資設(shè)立廈門火炬光莆中傳新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)(暫定名，以下簡稱“產(chǎn)業(yè)基金”)。

產(chǎn)業(yè)基金為有限合伙制，總認(rèn)繳規(guī)模為人民幣1.5億元，火炬創(chuàng)投作為普通合伙人認(rèn)繳出資額為人民幣7,400萬元，火炬中傳作為普通合伙人認(rèn)繳出資額為人民幣100萬元，光莆股份作為有限合伙人擬以自有資金認(rèn)繳出資額為人民幣7,500萬元，其中光莆股份首期出資額為人民幣750萬元，具體出資時(shí)間在基金完成設(shè)立后以基金管理人發(fā)出的繳款通知為準(zhǔn)。

產(chǎn)業(yè)基金的投資目標(biāo)涵蓋第三代半導(dǎo)體光應(yīng)用、5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、類醫(yī)療器械、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、智能制造、電子信息、光電信息等新興科技領(lǐng)域國家政策支持的高科技、高成長公司，并優(yōu)先布局光莆股份可并購的項(xiàng)目。

三安光電

6月16日，三安光電發(fā)布《關(guān)于簽署<項(xiàng)目投資建設(shè)合同>的公告》，公司決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

根據(jù)公告，三安光電在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。公司與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)于2020年6月15日簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。公司設(shè)立子公司的名稱、經(jīng)營范圍等相關(guān)信息最終以有權(quán)機(jī)關(guān)核準(zhǔn)為準(zhǔn)，公司將在取得設(shè)立的子公司營業(yè)執(zhí)照后，履行信息披露義務(wù)。

士蘭微電子

士蘭微電子是專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司主要產(chǎn)品包括集成電路、半導(dǎo)體分立器件、LED（發(fā)光二極管）產(chǎn)品等三大類。官方消息顯示，士蘭微電子已成為國內(nèi)規(guī)模最大的集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體（IDM）的企業(yè)之一。

2003年，士蘭微電子的第一條芯片生產(chǎn)線投入運(yùn)行之后，士蘭微的組織結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型為IDM的模式。

2017年12月18日，士蘭微電子與廈門半導(dǎo)體投資公司簽訂了總投資220億元的兩個(gè)項(xiàng)目；在廈門規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸90～65nm的特色工藝芯片生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。

2018年10月18日，士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線在廈門海滄動(dòng)工。

據(jù)悉，廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司總投資50億元，分兩期實(shí)施，建設(shè)4英寸、6英寸的化合物芯片生產(chǎn)線。項(xiàng)目一期計(jì)劃2021年達(dá)產(chǎn)；項(xiàng)目二期計(jì)劃2021年啟動(dòng)，2024年達(dá)產(chǎn)。

2019年12月23日，士蘭化合物半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線試產(chǎn)。截止當(dāng)時(shí)，一期項(xiàng)目主要設(shè)備已全部進(jìn)場(chǎng)安裝調(diào)試完成，砷化鎵與氮化鎵芯片產(chǎn)品已分別于2019年10月18日、12月10日正式通線點(diǎn)亮。

利亞德

早在2017年初，利亞德全資子公司利亞德香港就出資350萬美元認(rèn)購了賽富樂斯（SAPHLUX）公司1,501,220股AA級(jí)優(yōu)先股，占賽富樂斯總股本的14%。

作為一家專注于第三代半導(dǎo)體的技術(shù)企業(yè)，經(jīng)過從耶魯大學(xué)實(shí)驗(yàn)研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化的十幾年積累，賽富樂斯擁有兩項(xiàng)全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體技術(shù)：半極性氮化鎵材料以及NPQD（納米孔量子點(diǎn)）Micro LED。

利亞德目前在大尺寸自發(fā)光領(lǐng)域已經(jīng)布局了Micro LED顯示，而在賽富樂斯上的布局，對(duì)于利亞德未來在更廣闊的消費(fèi)顯示及第三代半導(dǎo)體應(yīng)用方向上或?qū)⒋笥旭砸妗?/p>

華燦光電

2019年11月14日，華燦光電成功獲批浙江省第三代半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，為義烏市首家省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。標(biāo)志著浙江省科技廳對(duì)華燦光電在第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的技術(shù)儲(chǔ)備以及科研實(shí)力的肯定。

2020年7月8日，華燦光電院士工作站在義烏制造基地正式掛牌。院士工作站由長期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料及關(guān)鍵技術(shù)研究的中國科學(xué)院院士葉志鎮(zhèn)教授領(lǐng)銜，華燦光電研發(fā)團(tuán)隊(duì)支持，將助力華燦光電在第三代半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域加速提升核心技術(shù)，為國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供有力技術(shù)支撐。

乾照光電

乾照光電作為國內(nèi)紅黃光芯片最大供應(yīng)商之一，在穩(wěn)固LED產(chǎn)業(yè)競爭優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，也在積極拓展VCSEL激光、Mini LED、Micro LED、紫外UVLED、紅外探測(cè)器、砷化鎵襯底等第二代、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)會(huì)。

截止目前，其VCSEL芯片產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)小批量出貨，有望搶占3D感測(cè)的先機(jī)。除了高度看好VCSEL芯片，乾照光電在回復(fù)投資者提問時(shí)還表示，公司正在積極探索第三代半導(dǎo)體更多的應(yīng)用領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體方興未艾，為了走在行業(yè)發(fā)展的前沿，乾照光電還積極參與了深圳第三代半導(dǎo)體研究院的建設(shè)，并成為研究院產(chǎn)業(yè)委員會(huì)成員單位。

國星光電

此前，國星光電在深交所互動(dòng)易平臺(tái)上回答了投資者的問題時(shí)表示，硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報(bào)的“彩色Micro LED顯示與超高亮度微顯示技術(shù)研究”項(xiàng)目皆已獲批廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目，按計(jì)劃正常實(shí)施中。

同時(shí)，國星光電表示，國星半導(dǎo)體主要業(yè)務(wù)包括藍(lán)寶石氮化鎵基及硅基襯底為基材的LED芯片。氮化鎵基產(chǎn)品包含藍(lán)綠顯屏芯片，數(shù)碼用芯片，白光照明芯片，車燈用大功率倒裝芯片，UVA紫光芯片等。

據(jù)悉，國星光電美國子公司RaySent科技公司將相關(guān)硅襯底GaN外延及垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的主要技術(shù)依照約定已轉(zhuǎn)移給子公司國星半導(dǎo)體，由國星半導(dǎo)體在應(yīng)用場(chǎng)景繼續(xù)進(jìn)行上述技術(shù)的后續(xù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)。Raysent已在美國申請(qǐng)數(shù)項(xiàng)專利，國星半導(dǎo)體目前已申請(qǐng)氮化鎵的專利200多篇，其中硅基氮化鎵技術(shù)專利4篇。

澳洋順昌

澳洋順昌子公司淮安光電是行業(yè)內(nèi)極少數(shù)具有從襯底切磨拋、PSS、外延片到芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈的公司，公司主要產(chǎn)品為藍(lán)綠光LED芯片，即在藍(lán)寶石襯底上生長制造氮化鎵發(fā)光二極管，公司在LED芯片相關(guān)領(lǐng)域有專利技術(shù)。

聚燦光電

聚燦光電的主要產(chǎn)品為GaN基高亮度藍(lán)光LED芯片及外延片。2019年12月20日公司在互動(dòng)平臺(tái)稱：公司堅(jiān)持聚焦資源、做強(qiáng)LED主業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略。公司主營高光效LED外延片、芯片，并非OLED方面。所有LED芯片都屬于公司業(yè)務(wù)范圍，因此公司布局了mini LED方面的技術(shù)。

今年9月4日，聚燦光電發(fā)布關(guān)于子公司簽署《投資合同書》的公告。

據(jù)披露，該項(xiàng)目為聚燦光電擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，主要產(chǎn)品包括Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片，項(xiàng)目總投資約350000萬元，其中固定資產(chǎn)投資約300000萬元（含設(shè)備投入270000萬元以上）。

項(xiàng)目用地位于聚燦光電現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)南部及廠區(qū)西南側(cè)新增43畝工業(yè)用地，于2020年第四季度陸續(xù)投入使用。廠房建設(shè)總建筑面積約3萬平方米，聚燦光電在取得新增國有土地使用權(quán)證后36月內(nèi)建成投產(chǎn)（包含既有老廠房改建、裝修和新建廠房）。

南大光電

南大光電的高純磷烷、砷烷研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已經(jīng)列入國家科技重大專項(xiàng)。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規(guī)模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。

近日，南大光電還在互動(dòng)平臺(tái)表示：公司高純?nèi)谆壆a(chǎn)品可以用于生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵。新型硅前驅(qū)體可通過化學(xué)氣相沉積或原子層沉積生成新型半導(dǎo)體所需要的特種含硅薄膜，可以滿足高性能計(jì)算和低功耗需求的高級(jí)邏輯和存儲(chǔ)器芯片制造要求，應(yīng)用領(lǐng)域主要有電腦、手機(jī)芯片等。