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              三安光電第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工,總投資160億元

              2020/7/22 9:37:48 作者: 來源:全球半導(dǎo)體觀察
              摘要:7月20日上午,長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式開工。該項(xiàng)目總投資160億元,主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。

              長沙晚報消息,7月20日上午,長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式開工。該項(xiàng)目總投資160億元,主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。

              報道指出,項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計逾千億元。

              資料顯示,三安光電是LED龍頭企業(yè),近年重點(diǎn)布局新興應(yīng)用領(lǐng)域,聚焦化合物半導(dǎo)體、Mini/Micro LED及汽車照明等高端市場。

              今年6月,三安光電發(fā)布公告稱,擬在長沙成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

              湖南湘江新區(qū)黨工委書記鄭建新表示,長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目作為長沙17個制造業(yè)標(biāo)志性重點(diǎn)項(xiàng)目之一,將在長沙建設(shè)形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈,必將成為推動長沙新一代半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的重大動力。


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