中國統(tǒng)一戰(zhàn)線新聞網(wǎng)聯(lián)合中國共產(chǎn)黨新聞網(wǎng)推出的“2020年全國兩會各民主黨派提案選登”報道顯示,民進(jìn)中央擬提交“關(guān)于推動中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”。
近年來,國家出臺了一系列政策措施支持和推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,取得了較為突出的成效,已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局,且在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域呈現(xiàn)多點開花的良好形勢。
但提案注意到,當(dāng)前從全球功率半導(dǎo)體市場看,一方面?zhèn)鹘y(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體仍然有巨大的發(fā)展空間,有研 究顯示全球市場的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導(dǎo)體芯片市場應(yīng)用量是約3億多美金,硅材料功率半導(dǎo)體芯片市場應(yīng)用量超過200億美金。
國際市場的 IGBT 芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品,國際功率半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為,硅材料功率半導(dǎo)體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場應(yīng)用驗證,穩(wěn)定可靠,價格低,尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點,在未來至少7至8年左右仍是市場應(yīng)用主流。
另一方面以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料正蓬勃發(fā)展,而我國碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚,在技術(shù)上仍有很大差距??上驳氖?,在國家多項科研計劃的扶持下,這方面已經(jīng)大幅縮小了與國際的技術(shù)差距,并取得了不少成就。
根據(jù)提案,隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切,我國功率半導(dǎo)體有龐大的市場需求,容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù),在國家政策利好下,功率半導(dǎo)體將成為“中國芯”的最好突破口。為此,建議:
一、進(jìn)一步完善功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策,大力扶持硅材料功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)攻關(guān),立項支持硅材料功率半導(dǎo)體材料、芯片、器件等設(shè)計和制造工藝流程技術(shù)。經(jīng)過多年布局和發(fā)展,我國在硅材料 IGBT芯片技術(shù)方面有一定的技術(shù)基礎(chǔ)和沉淀,可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設(shè)計及批量制造工藝技 術(shù)作為發(fā)展重點,采取先易后難、解決“有無”問題的發(fā)展策略,盡快實現(xiàn)功率半導(dǎo)體芯片自主供給。
二、加大新材料科技攻關(guān)。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI 技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng),包括下一步的能源傳輸,對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢看,碳化硅、氮化鎵等新材料應(yīng)用于功率半導(dǎo)體優(yōu)勢明顯,是下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向。
目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段,國內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小,國內(nèi)企業(yè)有望在本土市場應(yīng)用中實現(xiàn)彎道超車。
一是要把功率半導(dǎo)體新材料研發(fā)列入國家計劃,全面部署,竭力搶占戰(zhàn)略制高點。
二是引導(dǎo)企業(yè)積極滿足未來的應(yīng)用需求,進(jìn)行前瞻性布局。推動功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用技術(shù)難題,在國際競爭中搶占先機。
三是要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化,需要建立起高效的產(chǎn)學(xué)研體系,打造更加開放包容的投資環(huán)境。
三、謹(jǐn)慎支持收購國外功率半導(dǎo)體企業(yè)。通過收購很難實現(xiàn)完全學(xué)會和掌握國際先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯 片設(shè)計及制造工藝技術(shù),同時海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無法出口到中國的危險。