最新版本的燈具產(chǎn)品國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)CISPR15:2018版于2018年2月16日已發(fā)布,相比舊版的CISPR15:2013+A1:2015版,主要變化如下:
1. 刪除了插入損耗測(cè)試的要求以及原來相關(guān)的附錄A;
2. Table4、Table5、Table6增加了針對(duì)ELV燈的電源端口、以及除了電源端口外的線纜的傳導(dǎo)干擾限值表格要求;
3. 對(duì)于有線網(wǎng)絡(luò)端口的傳導(dǎo)干擾限值,進(jìn)行了以下改動(dòng)(詳見標(biāo)準(zhǔn)Table2 & Table3):
①名稱由控制端更新為有限網(wǎng)絡(luò)端口;
②增加了使用電流探頭進(jìn)行測(cè)試的限值,并明確表明了只要滿足騷擾電流或騷擾電壓其中之便可認(rèn)為該有線網(wǎng)絡(luò)端口的傳導(dǎo)干擾滿足標(biāo)準(zhǔn)要求;
4. 對(duì)于本地有線端口的傳導(dǎo)干擾限值,進(jìn)行了以下改動(dòng)(詳見標(biāo)準(zhǔn)Table5 & Table6):
①名稱由負(fù)載端改為本地有線端口;
②增加了使用電流探頭進(jìn)行測(cè)試的限值,并明確表明了只要滿足騷擾電流或騷擾電壓其中之便可認(rèn)為該本地有線端口的傳導(dǎo)干擾滿足標(biāo)準(zhǔn)要求;
5. 引用了新的評(píng)估輻射騷擾的測(cè)試方法:CDNE法,該測(cè)試方法將取代原有的CDN法;
6. 規(guī)定了若需要使用CDNE法去評(píng)估輻射騷擾測(cè)試,產(chǎn)品的內(nèi)部工作頻率必須≤30MHz,并且產(chǎn)品尺寸應(yīng)該控制在3m*1m*1m(長(zhǎng)寬高)內(nèi);
7. CDNE法的測(cè)試限制(QP/準(zhǔn)峰值)更加嚴(yán)格;
8. CDNE法的測(cè)試布置:
9. 除了CDNE法,輻射騷擾測(cè)試還增加了300MHz~1GHz的限值要求,具體如下(QP/準(zhǔn)峰值,3米半電波暗室)
10. 空間輻射騷擾布置,增加一個(gè)CDNE為待測(cè)物供電:
11. 對(duì)于環(huán)形天線輻射騷擾測(cè)試,新增了對(duì)于尺寸>1.6m的產(chǎn)品,可以根據(jù)CISPR16-1-4中的方法,在開闊場(chǎng)或半電波暗室中使用60cm的環(huán)形天線置于3m的環(huán)境中進(jìn)行測(cè)試,該測(cè)試方法可以替代3m以及4m大小的環(huán)形天線測(cè)試;
該種測(cè)試方法的限值如下所示(QP/準(zhǔn)峰值):
12. 錐形罩面板上的開孔發(fā)生了改動(dòng),具體如下:
13. 對(duì)于使用GU10燈頭的自鎮(zhèn)流燈,在進(jìn)行傳導(dǎo)騷擾測(cè)試時(shí),錐形罩或者燈頭本身必須要與人工電源網(wǎng)絡(luò)的地相連,如下方示意圖所示:
14. 修正了部分燈具類產(chǎn)品測(cè)試前所要求的老化時(shí)間,并明確指明了使用LED/OLED技術(shù)的燈具類設(shè)備,測(cè)試前并不需要進(jìn)行老化。
解決方案:
EMI-9KB/EMI-9KC EMI接收機(jī)測(cè)試系統(tǒng)是由上海力汕電子研發(fā)的一套照明和其它電子產(chǎn)品電磁干擾測(cè)試系統(tǒng), 完全符合FCC, EN55015, EN55022和CISPR等標(biāo)準(zhǔn)要求,特別是全新設(shè)計(jì)的CNDE 耦去/耦合網(wǎng)絡(luò)裝置完全滿足最新CISPR15:2018標(biāo)準(zhǔn)要求。
EMI-9KB頻率測(cè)試范圍9KHz~300MHz主要做傳導(dǎo)干擾測(cè)試和輻射干擾測(cè)試,EMI-9KC頻率測(cè)試范圍9KHz~1GHz(輻射騷擾測(cè)試最大可達(dá)1GHz)。EMI-9KB/EMI-9KC EMI接收機(jī)已內(nèi)置主要國(guó)際電磁干擾測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),用戶可以直接調(diào)用即可測(cè)試;同時(shí)用戶也可以在軟件上自行添加相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),操作簡(jiǎn)便快捷。與此同時(shí)力汕EMI-9KB/EMI-9KC EMI接收機(jī)均已通過國(guó)家級(jí)校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室檢測(cè),用戶可以直接對(duì)比檢測(cè)。