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              采用半極化Micro LED,全彩化量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換技術(shù)獲突破!

              2020/4/16 17:32:41 作者: 來源:LEDinside
              摘要:研究團(tuán)隊(duì)主持人郭浩中表示,為了減少巨量轉(zhuǎn)移的次數(shù),該團(tuán)隊(duì)長期專注在量子點(diǎn)熒光粉色轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用,只需要一種顏色的LED芯片(藍(lán)光或近紫外光)搭配不同顏色的量子點(diǎn)熒光粉,即可實(shí)現(xiàn)全彩的功能,且量子點(diǎn)熒光粉的演色性相當(dāng)突出。

              Micro LED被視為取代TFT-LCD及OLED display的次世代顯示器技術(shù)。建立在LED高效能的基礎(chǔ)上,理想的Micro LED顯示器具有高像素、高對比、自發(fā)光、低能耗及壽命長等各種優(yōu)勢,備受看好。

              然而,當(dāng)前的Micro LED仍面臨許多困難需要克服,其中最困擾研究人員與制造商的便是巨量轉(zhuǎn)移制程(Mass transfer process),如何將紅、藍(lán)、綠三種顏色的LED芯片快速且精確地接合至面板的驅(qū)動(dòng)電路上,以及克服芯片材料特性不同的挑戰(zhàn),特別是紅光Micro-LED還有易碎等問題,因此巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)至今仍沒有能達(dá)到量產(chǎn)的解決方案被提出。

              臺(tái)灣交通大學(xué)的郭浩中教授等人,與美國新創(chuàng)公司Saphlux、耶魯大學(xué)、廈門大學(xué)的研究人員合作,采用半極化(Semipolar)的Micro LED結(jié)合量子點(diǎn)熒光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技術(shù),制作出高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列,相關(guān)研究成果已被Photonics Research期刊接受,并即將發(fā)表。

              圖片來源: Chen et al. 2020

              研究團(tuán)隊(duì)主持人郭浩中表示,為了減少巨量轉(zhuǎn)移的次數(shù),該團(tuán)隊(duì)長期專注在量子點(diǎn)熒光粉色轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用,只需要一種顏色的LED芯片(藍(lán)光或近紫外光)搭配不同顏色的量子點(diǎn)熒光粉,即可實(shí)現(xiàn)全彩的功能,且量子點(diǎn)熒光粉的演色性相當(dāng)突出。

              郭浩中也提到,除了巨量轉(zhuǎn)移制程的挑戰(zhàn),LED芯片本身也面臨不少問題。譬如藍(lán)綠光LED芯片會(huì)隨著操作電流改變,產(chǎn)生發(fā)光顏色變化的現(xiàn)象,意味著顯示器為了配合環(huán)境光源改變亮度時(shí),就有可能產(chǎn)生顏色變化,不利于顯示器的使用,因此必須解決LED芯片色偏移的問題。

              該團(tuán)隊(duì)采用半極化磊晶技術(shù)制作LED芯片,藉由半極化材料的特性,大幅減少LED光源本身的發(fā)光波長偏移(Wavelength-shift)現(xiàn)象,進(jìn)而克服色偏移的問題;在這個(gè)研究中的第二個(gè)突破就是采用量子點(diǎn)熒光粉光阻技術(shù),該技術(shù)透過特殊的方法,將量子點(diǎn)熒光粉與光阻液混合,搭配傳統(tǒng)的微影制程,達(dá)到大面積制作彩色像素需求,取代分別轉(zhuǎn)移紅、藍(lán)、綠的LED芯片的方法,大幅降低轉(zhuǎn)移制程的困難度。

              最后,結(jié)合上述兩種技術(shù),研究團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)了高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列,同時(shí)具有大面積制造的可能性,為Micro LED顯示器技術(shù)的發(fā)展注入一股新血。


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