4月3日晚間,華燦光電接連發布公告,除了公布 2019年度報告、第一季度業績預告以及8億元增資子公司以外,還宣布擬非公開發行股票募集資金不超過15億元,投向Mini/Micro LED、GaN功率器件等項目。
公告顯示,華燦光電擬非公開發行股票數量不超過327,648,428股(含327,648,428股),募集資金總額(含發行費用)不超過15億元,投向Mini/Micro LED的研發與制造項目和GaN基電力電子器件的研發與制造項目,分別投入12億元和3億元。
其中,Mini/Micro LED的研發與制造項目是華燦光電為繼續擴大在LED芯片領域的競爭優勢、鞏固LED顯示屏芯片市場的領先地位而計劃實施的投產項目。此項目以公司現有技術為基礎,實現Mini/Micro LED的開發與產業化制造,進而帶動產業鏈上下游各企業協同發展,深入布局下一代顯示技術。
項目建設內容為Mini/Micro LED的研發與制造。Mini/Micro LED研發的內容主要包括數學建模仿真、器件結構設計、外延工藝開發、芯片工藝開發等;量產的內容主要包括Mini/Micro LED廠房及生產線建設,進行LED外延片和芯片的生產銷售。項目主要產品包括Mini/Micro LED外延片、Mini/Micro LED芯片等。
華燦光電表示,此項目總投資額為139,267.22萬元,其中擬投入募投資金120,000.00萬元。項目預計將幫助公司實現年均利潤總額25,282萬元,項目整體內部收益率(稅后)為17.64%。
GaN基電力電子器件的研發與制造項目產品為中低壓系列硅基增強型p型柵GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),包括100V、200V、600/650V三個電壓等級的多種型號,主要面向智能手機、汽車電子、數據中心等市場應用,具有高開關頻率、高轉換效率、高耐壓強度的技術特性。
項目通過器件仿真設計、工藝制程開發、測試失效分析,建立GaN功率器件設計和工藝IP庫。項目建成后,將建立GaN功率器件從設計開發、外延生長、芯片制造到晶圓測試的完整業務鏈,將產品開發、制造與市場需求緊密結合,通過更快的產品迭代和穩定的良品率,以具有相當市場競爭力的性價比,快速推進GaN功率器件的大規模產業化。
項目開發按照從低壓到高壓、從低能量密度到高能量密度的次序分階段有計劃進行,開發的GaN功率器件包括100V、200V、600/650V三個電壓等級。本項目量產按照調試貫通、風險試產、規模量產的次序分階段有計劃進行。量產以Si晶圓為襯底材料,采用0.25um工藝制程,制造中低壓GaN功率器件,主要有WLCSP和QFN兩種封裝形式。項目建成后,實現年產1.33萬片6英寸晶圓(折合4英寸3萬片)的生產規模。
項目建設期三年,計劃總投資額31,641.58萬元,其中擬投入募投資金30,000.00萬元。本項目預計將幫助公司實現年均利潤總額4,247萬元。
華燦光電表示,項目的建設能進一步完善公司化合物半導體戰略布局,符合公司專注于高端半導體器件、做大做強產業鏈的長期戰略布局。
本次發行完成后,華燦光電資產總額、凈資產規模均將有所增加,公司資產負債率將相應下降,進一步優化資產負債結構,提高公司抗風險的能力,為公司未來的發展奠定基礎。