募資15億！華燦投資Mini/Micro LED、GaN功率器件等

4月3日晚間，華燦光電接連發布公告，除了公布 2019年度報告、第一季度業績預告以及8億元增資子公司以外，還宣布擬非公開發行股票募集資金不超過15億元，投向Mini/Micro LED、GaN功率器件等項目。

公告顯示，華燦光電擬非公開發行股票數量不超過327,648,428股（含327,648,428股），募集資金總額（含發行費用）不超過15億元，投向Mini/Micro LED的研發與制造項目和GaN基電力電子器件的研發與制造項目，分別投入12億元和3億元。

其中，Mini/Micro LED的研發與制造項目是華燦光電為繼續擴大在LED芯片領域的競爭優勢、鞏固LED顯示屏芯片市場的領先地位而計劃實施的投產項目。此項目以公司現有技術為基礎，實現Mini/Micro LED的開發與產業化制造，進而帶動產業鏈上下游各企業協同發展，深入布局下一代顯示技術。

項目建設內容為Mini/Micro LED的研發與制造。Mini/Micro LED研發的內容主要包括數學建模仿真、器件結構設計、外延工藝開發、芯片工藝開發等；量產的內容主要包括Mini/Micro LED廠房及生產線建設，進行LED外延片和芯片的生產銷售。項目主要產品包括Mini/Micro LED外延片、Mini/Micro LED芯片等。

華燦光電表示，此項目總投資額為139,267.22萬元，其中擬投入募投資金120,000.00萬元。項目預計將幫助公司實現年均利潤總額25,282萬元，項目整體內部收益率（稅后）為17.64%。

GaN基電力電子器件的研發與制造項目產品為中低壓系列硅基增強型p型柵GaN高電子遷移率晶體管（HEMT），包括100V、200V、600/650V三個電壓等級的多種型號，主要面向智能手機、汽車電子、數據中心等市場應用，具有高開關頻率、高轉換效率、高耐壓強度的技術特性。

項目通過器件仿真設計、工藝制程開發、測試失效分析，建立GaN功率器件設計和工藝IP庫。項目建成后，將建立GaN功率器件從設計開發、外延生長、芯片制造到晶圓測試的完整業務鏈，將產品開發、制造與市場需求緊密結合，通過更快的產品迭代和穩定的良品率，以具有相當市場競爭力的性價比，快速推進GaN功率器件的大規模產業化。

項目開發按照從低壓到高壓、從低能量密度到高能量密度的次序分階段有計劃進行，開發的GaN功率器件包括100V、200V、600/650V三個電壓等級。本項目量產按照調試貫通、風險試產、規模量產的次序分階段有計劃進行。量產以Si晶圓為襯底材料，采用0.25um工藝制程，制造中低壓GaN功率器件，主要有WLCSP和QFN兩種封裝形式。項目建成后，實現年產1.33萬片6英寸晶圓（折合4英寸3萬片）的生產規模。

項目建設期三年，計劃總投資額31,641.58萬元，其中擬投入募投資金30,000.00萬元。本項目預計將幫助公司實現年均利潤總額4,247萬元。

華燦光電表示，項目的建設能進一步完善公司化合物半導體戰略布局，符合公司專注于高端半導體器件、做大做強產業鏈的長期戰略布局。

本次發行完成后，華燦光電資產總額、凈資產規模均將有所增加，公司資產負債率將相應下降，進一步優化資產負債結構，提高公司抗風險的能力，為公司未來的發展奠定基礎。