國(guó)內(nèi)最大碳化硅基地正式投產(chǎn) ，總投資50億元

8日消息，據(jù)報(bào)道，投資50億元，建設(shè)用地約1000畝的中國(guó)電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園在山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)正式投產(chǎn)。

人民網(wǎng)報(bào)道稱，該項(xiàng)目計(jì)劃用5年時(shí)間，建成“一中心三基地”，即：中國(guó)電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國(guó)電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國(guó)電科（山西）三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、中國(guó)電科（山西）光伏新能源產(chǎn)業(yè)基地。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值100億元。

山西臺(tái)記者劉洋在報(bào)道中指出，這個(gè)碳化硅基地一期共有300臺(tái)設(shè)備，單月產(chǎn)值就能突破一億元。項(xiàng)目全部建成后，將成為國(guó)內(nèi)最大的碳化硅材料供應(yīng)基地，而這個(gè)1000畝的產(chǎn)業(yè)園將串聯(lián)起山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)上下游十多個(gè)產(chǎn)業(yè)，帶動(dòng)山西半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群迅速發(fā)展，實(shí)現(xiàn)中國(guó)碳化硅的完全自主供應(yīng)。

大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率，是第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶材料最響亮的“名片”，不過(guò)，碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的長(zhǎng)晶工藝技術(shù)是其核心。而在中國(guó)，碳化硅單晶襯底材料長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，其高昂的售價(jià)和不穩(wěn)定的供貨情況大大限制了國(guó)內(nèi)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展。

山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理李斌稱：碳化硅是一個(gè)非常關(guān)鍵的半導(dǎo)體的原材料，整個(gè)從山西來(lái)說(shuō)，能帶動(dòng)一個(gè)50到100億元的產(chǎn)業(yè)鏈，現(xiàn)在大家都在搶占這個(gè)時(shí)間點(diǎn)，我們現(xiàn)在就是要爭(zhēng)分奪秒把這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)抓住，一方面抓好疫情防控，一方面抓好復(fù)工復(fù)產(chǎn)，真正把這個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的制高點(diǎn)抓在我們自己手里，落地在山西?！ぁ?/p>

據(jù)了解，自2007年，中國(guó)電科2所開(kāi)始著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，目前已經(jīng)掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長(zhǎng)、晶片加工、外延驗(yàn)證等整套碳化硅材料研制線，在國(guó)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。