國星光電：國星半導體已申請200多篇氮化鎵專利

近日，國星光電在深交所互動易平臺上回答了投資者的問題時表示，硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用”及公司參與申報的“彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術研究”項目皆已獲批廣東省重點領域研發計劃項目，按計劃正常實施中。

同時，國星光電表示，國星半導體主要業務包括藍寶石氮化鎵基及硅基襯底為基材的LED芯片。氮化鎵基產品包含藍綠顯屏芯片，數碼用芯片，白光照明芯片，車燈用大功率倒裝芯片，UVA紫光芯片等。

據透露，國星光電美國子公司RaySent科技公司將相關硅襯底GaN外延及垂直結構LED芯片的主要技術依照約定已轉移給子公司國星半導體，由國星半導體在應用場景繼續進行上述技術的后續研發和產業化推進。Raysent已在美國申請數項專利，國星半導體目前已申請氮化鎵的專利200多篇，其中硅基氮化鎵技術專利4篇。

國星光電表示，公司正積極進行第三代半導體相關的技術儲備，后續應用需視市場需求與技術結合情況而定。