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              大功率LED封裝有哪五大關(guān)鍵技術(shù)?

              2020/2/25 9:33:20 作者: 來(lái)源:熱管理技術(shù)
              摘要:大功率LED封裝主要涉及光、熱、電、結(jié)構(gòu)與工藝等方面,如圖1所示。這些因素彼此既相互獨(dú)立,又相互影響。其中,光是LED封裝的目的,熱是關(guān)鍵,電、結(jié)構(gòu)與工藝是手段,而性能是封裝水平的具體體現(xiàn)。

               大功率LED封裝主要涉及光、熱、電、結(jié)構(gòu)與工藝等方面,如圖1所示。這些因素彼此既相互獨(dú)立,又相互影響。其中,光是LED封裝的目的,熱是關(guān)鍵,電、結(jié)構(gòu)與工藝是手段,而性能是封裝水平的具體體現(xiàn)。從工藝兼容性及降低生產(chǎn)成本而言,LED封裝設(shè)計(jì)應(yīng)與芯片設(shè)計(jì)同時(shí)進(jìn)行,即芯片設(shè)計(jì)時(shí)就應(yīng)該考慮到封裝結(jié)構(gòu)和工藝。否則,等芯片制造完成后,可能由于封裝的需要對(duì)芯片結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整,從而延長(zhǎng)了產(chǎn)品研發(fā)周期和工藝成本,有時(shí)甚至不可能。


              具體而言,大功率LED封裝的關(guān)鍵技術(shù)包括:


              一、低熱阻封裝工藝

              對(duì)于現(xiàn)有的LED光效水平而言,由于輸入電能的80%左右轉(zhuǎn)變成為熱量,且LED芯片面積小,因此,芯片散熱是LED封裝必須解決的關(guān)鍵問(wèn)題。主要包括芯片布置、封裝材料選擇(基板材料、熱界面材料)與工藝、熱沉設(shè)計(jì)等。

              LED封裝熱阻主要包括材料(散熱基板和熱沉結(jié)構(gòu))內(nèi)部熱阻和界面熱阻。散熱基板的作用就是吸收芯片產(chǎn)生的熱量,并傳導(dǎo)到熱沉上,實(shí)現(xiàn)與外界的熱交換。常用的散熱基板材料包括硅、金屬(如鋁,銅)、陶瓷(如 ,AlN,SiC)和復(fù)合材料等。如Nichia公司的第三代LED采用CuW做襯底,將1mm芯片倒裝在CuW襯底上,降低了封裝熱阻,提高了發(fā)光功率和效率;Lamina Ceramics公司則研制了低溫共燒陶瓷金屬基板,如圖2(a),并開(kāi)發(fā)了相應(yīng)的LED封裝技術(shù)。該技術(shù)首先制備出適于共晶焊的大功率LED芯片和相應(yīng)的陶瓷基板,然后將LED芯片與基板直接焊接在一起。由于該基板上集成了共晶焊層、靜電保護(hù)電路、驅(qū)動(dòng)電路及控制補(bǔ)償電路,不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,而且由于材料熱導(dǎo)率高,熱界面少,大大提高了散熱性能,為大功率LED陣列封裝提出了解決方案。德國(guó)Curmilk公司研制的高導(dǎo)熱性覆銅陶瓷板,由陶瓷基板(AlN或 )和導(dǎo)電層(Cu)在高溫高壓下燒結(jié)而成,沒(méi)有使用黏結(jié)劑,因此導(dǎo)熱性能好、強(qiáng)度高、絕緣性強(qiáng),如圖2(b)所示。其中氮化鋁(AlN)的熱導(dǎo)率為160W/mk,熱膨脹系數(shù)為 (與硅的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)),從而降低了封裝熱應(yīng)力。


              研究表明,封裝界面對(duì)熱阻影響也很大,如果不能正確處理界面,就難以獲得良好的散熱效果。例如,室溫下接觸良好的界面在高溫下可能存在界面間隙,基板的翹曲也可能會(huì)影響鍵合和局部的散熱。改善LED封裝的關(guān)鍵在于減少界面和界面接觸熱阻,增強(qiáng)散熱。因此,芯片和散熱基板間的熱界面材料(TIM)選擇十分重要。LED封裝常用的TIM為導(dǎo)電膠和導(dǎo)熱膠,由于熱導(dǎo)率較低,一般為0、5-2、5W/mK,致使界面熱阻很高。而采用低溫或共晶焊料、焊膏或者內(nèi)摻納米顆粒的導(dǎo)電膠作為熱界面材料,可大大降低界面熱阻。


              二、高取光率封裝結(jié)構(gòu)與工藝


              在LED使用過(guò)程中,輻射復(fù)合產(chǎn)生的光子在向外發(fā)射時(shí)產(chǎn)生的損失,主要包括三個(gè)方面:芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷以及材料的吸收;光子在出射界面由于折射率差引起的反射損失;以及由于入射角大于全反射臨界角而引起的全反射損失。因此,很多光線無(wú)法從芯片中出射到外部。通過(guò)在芯片表面涂覆一層折射率相對(duì)較高的透明膠層(灌封膠),由于該膠層處于芯片和空氣之間,從而有效減少了光子在界面的損失,提高了取光效率。此外,灌封膠的作用還包括對(duì)芯片進(jìn)行機(jī)械保護(hù),應(yīng)力釋放,并作為一種光導(dǎo)結(jié)構(gòu)。因此,要求其透光率高,折射率高,熱穩(wěn)定性好,流動(dòng)性好,易于噴涂。為提高LED封裝的可靠性,還要求灌封膠具有低吸濕性、低應(yīng)力、耐老化等特性。目前常用的灌封膠包括環(huán)氧樹(shù)脂和硅膠。硅膠由于具有透光率高,折射率大,熱穩(wěn)定性好,應(yīng)力小,吸濕性低等特點(diǎn),明顯優(yōu)于環(huán)氧樹(shù)脂,在大功率LED封裝中得到廣泛應(yīng)用,但成本較高。研究表明,提高硅膠折射率可有效減少折射率物理屏障帶來(lái)的光子損失,提高外量子效率,但硅膠性能受環(huán)境溫度影響較大。隨著溫度升高,硅膠內(nèi)部的熱應(yīng)力加大,導(dǎo)致硅膠的折射率降低,從而影響LED光效和光強(qiáng)分布。


              熒光粉的作用在于光色復(fù)合,形成白光。其特性主要包括粒度、形狀、發(fā)光效率、轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性(熱和化學(xué))等,其中,發(fā)光效率和轉(zhuǎn)換效率是關(guān)鍵。研究表明,隨著溫度上升,熒光粉量子效率降低,出光減少,輻射波長(zhǎng)也會(huì)發(fā)生變化,從而引起白光LED色溫、色度的變化,較高的溫度還會(huì)加速熒光粉的老化。原因在于熒光粉涂層是由環(huán)氧或硅膠與熒光粉調(diào)配而成,散熱性能較差,當(dāng)受到紫光或紫外光的輻射時(shí),易發(fā)生溫度猝滅和老化,使發(fā)光效率降低。此外,高溫下灌封膠和熒光粉的熱穩(wěn)定性也存在問(wèn)題。由于常用熒光粉尺寸在1um以上,折射率大于或等于1、85,而硅膠折射率一般在1、5左右。由于兩者間折射率的不匹配,以及熒光粉顆粒尺寸遠(yuǎn)大于光散射極限(30nm),因而在熒光粉顆粒表面存在光散射,降低了出光效率。通過(guò)在硅膠中摻入納米熒光粉,可使折射率提高到1、8以上,降低光散射,提高LED出光效率(10%-20%),并能有效改善光色質(zhì)量。


              傳統(tǒng)的熒光粉涂敷方式是將熒光粉與灌封膠混合,然后點(diǎn)涂在芯片上。由于無(wú)法對(duì)熒光粉的涂敷厚度和形狀進(jìn)行精確控制,導(dǎo)致出射光色彩不一致,出現(xiàn)偏藍(lán)光或者偏黃光。而Lumileds公司開(kāi)發(fā)的保形涂層(Conformal coating)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)熒光粉的均勻涂覆,保障了光色的均勻性,如圖3(b)。但研究表明,當(dāng)熒光粉直接涂覆在芯片表面時(shí),由于光散射的存在,出光效率較低。有鑒于此,美國(guó)Rensselaer 研究所提出了一種光子散射萃取工藝(Scattered Photon Extraction method,SPE),通過(guò)在芯片表面布置一個(gè)聚焦透鏡,并將含熒光粉的玻璃片置于距芯片一定位置,不僅提高了器件可靠性,而且大大提高了光效(60%),如圖3(c)。


              總體而言,為提高LED的出光效率和可靠性,封裝膠層有逐漸被高折射率透明玻璃或微晶玻璃等取代的趨勢(shì),通過(guò)將熒光粉內(nèi)摻或外涂于玻璃表面,不僅提高了熒光粉的均勻度,而且提高了封裝效率。此外,減少LED出光方向的光學(xué)界面數(shù),也是提高出光效率的有效措施。


              三、陣列封裝與系統(tǒng)集成技術(shù)


              經(jīng)過(guò)40多年的發(fā)展,LED封裝技術(shù)和結(jié)構(gòu)先后經(jīng)歷了四個(gè)階段,如圖4所示。


              1、引腳式(Lamp)LED封裝

              引腳式封裝就是常用的 3-5mm封裝結(jié)構(gòu)。一般用于電流較?。?0-30mA),功率較低(小于0、1W)的LED封裝。主要用于儀表顯示或指示,大規(guī)模集成時(shí)也可作為顯示屏。其缺點(diǎn)在于封裝熱阻較大(一般高于100K/W),壽命較短。

              2、表面組裝(貼片)式(SMT-LED)封裝

              表面組裝技術(shù)(SMT)是一種可以直接將封裝好的器件貼、焊到PCB表面指定位置上的一種封裝技術(shù)。具體而言,就是用特定的工具或設(shè)備將芯片引腳對(duì)準(zhǔn)預(yù)先涂覆了粘接劑和焊膏的焊盤(pán)圖形上,然后直接貼裝到未鉆安裝孔的PCB 表面上,經(jīng)過(guò)波峰焊或再流焊后,使器件和電路之間建立可靠的機(jī)械和電氣連接。SMT技術(shù)具有可靠性高、高頻特性好、易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化等優(yōu)點(diǎn),是電子行業(yè)最流行的一種封裝技術(shù)和工藝。

              3、板上芯片直裝式(COB)LED封裝

              COB是Chip On Board(板上芯片直裝)的英文縮寫(xiě),是一種通過(guò)粘膠劑或焊料將LED芯片直接粘貼到PCB板上,再通過(guò)引線鍵合實(shí)現(xiàn)芯片與PCB板間電互連的封裝技術(shù)。PCB板可以是低成本的FR-4材料(玻璃纖維增強(qiáng)的環(huán)氧樹(shù)脂),也可以是高熱導(dǎo)的金屬基或陶瓷基復(fù)合材料(如鋁基板或覆銅陶瓷基板等)。而引線鍵合可采用高溫下的熱超聲鍵合(金絲球焊)和常溫下的超聲波鍵合(鋁劈刀焊接)。COB技術(shù)主要用于大功率多芯片陣列的LED封裝,同SMT相比,不僅大大提高了封裝功率密度,而且降低了封裝熱阻(一般為6-12W/m、K)。

              4、系統(tǒng)封裝式(SiP)LED封裝

              SiP(System in Package)是近幾年來(lái)為適應(yīng)整機(jī)的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的要求,在系統(tǒng)芯片System on Chip(SOC)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型封裝集成方式。對(duì)SiP-LED而言,不僅可以在一個(gè)封裝內(nèi)組裝多個(gè)發(fā)光芯片,還可以將各種不同類(lèi)型的器件(如電源、控制電路、光學(xué)微結(jié)構(gòu)、傳感器等)集成在一起,構(gòu)建成一個(gè)更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)。同其他封裝結(jié)構(gòu)相比,SiP具有工藝兼容性好(可利用已有的電子封裝材料和工藝),集成度高,成本低,可提供更多新功能,易于分塊測(cè)試,開(kāi)發(fā)周期短等優(yōu)點(diǎn)。按照技術(shù)類(lèi)型不同,SiP可分為四種:芯片層疊型,模組型,MCM型和三維(3D)封裝型。


              目前,高亮度LED器件要代替白熾燈以及高壓汞燈,必須提高總的光通量,或者說(shuō)可以利用的光通量。而光通量的增加可以通過(guò)提高集成度、加大電流密度、使用大尺寸芯片等措施來(lái)實(shí)現(xiàn)。而這些都會(huì)增加LED的功率密度,如散熱不良,將導(dǎo)致LED芯片的結(jié)溫升高,從而直接影響LED器件的性能(如發(fā)光效率降低、出射光發(fā)生紅移,壽命降低等)。多芯片陣列封裝是目前獲得高光通量的一個(gè)最可行的方案,但是LED陣列封裝的密度受限于價(jià)格、可用的空間、電氣連接,特別是散熱等問(wèn)題。由于發(fā)光芯片的高密度集成,散熱基板上的溫度很高,必須采用有效的熱沉結(jié)構(gòu)和合適的封裝工藝。常用的熱沉結(jié)構(gòu)分為被動(dòng)和主動(dòng)散熱。被動(dòng)散熱一般選用具有高肋化系數(shù)的翅片,通過(guò)翅片和空氣間的自然對(duì)流將熱量耗散到環(huán)境中。該方案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可靠性高,但由于自然對(duì)流換熱系數(shù)較低,只適合于功率密度較低,集成度不高的情況。對(duì)于大功率LED封裝,則必須采用主動(dòng)散熱,如翅片+風(fēng)扇、熱管、液體強(qiáng)迫對(duì)流、微通道致冷、相變致冷等。


              在系統(tǒng)集成方面,臺(tái)灣新強(qiáng)光電公司采用系統(tǒng)封裝技術(shù)(SiP), 并通過(guò)翅片+熱管的方式搭配高效能散熱模塊,研制出了72W、80W的高亮度白光LED光源,如圖5(a)。由于封裝熱阻較低(4、38℃/W),當(dāng)環(huán)境溫度為25℃時(shí),LED結(jié)溫控制在60℃以下,從而確保了LED的使用壽命和良好的發(fā)光性能。而華中科技大學(xué)則采用COB封裝和微噴主動(dòng)散熱技術(shù),封裝出了220W和1500W的超大功率LED白光光源,如圖5(b)。


              圖5

              四、封裝大生產(chǎn)技術(shù)

              晶片鍵合(Wafer bonding)技術(shù)是指芯片結(jié)構(gòu)和電路的制作、封裝都在晶片(Wafer)上進(jìn)行,封裝完成后再進(jìn)行切割,形成單個(gè)的芯片(Chip);與之相對(duì)應(yīng)的芯片鍵合(Die bonding)是指芯片結(jié)構(gòu)和電路在晶片上完成后,即進(jìn)行切割形成芯片(Die),然后對(duì)單個(gè)芯片進(jìn)行封裝(類(lèi)似現(xiàn)在的LED封裝工藝),如圖6所示。很明顯,晶片鍵合封裝的效率和質(zhì)量更高。由于封裝費(fèi)用在LED器件制造成本中占了很大比例,因此,改變現(xiàn)有的LED封裝形式(從芯片鍵合到晶片鍵合),將大大降低封裝制造成本。此外,晶片鍵合封裝還可以提高LED器件生產(chǎn)的潔凈度,防止鍵合前的劃片、分片工藝對(duì)器件結(jié)構(gòu)的破壞,提高封裝成品率和可靠性,因而是一種降低封裝成本的有效手段。


              圖6

              此外,對(duì)于大功率LED封裝,必須在芯片設(shè)計(jì)和封裝設(shè)計(jì)過(guò)程中,盡可能采用工藝較少的封裝形式(Package-less Packaging),同時(shí)簡(jiǎn)化封裝結(jié)構(gòu),盡可能減少熱學(xué)和光學(xué)界面數(shù),以降低封裝熱阻,提高出光效率。


              五、封裝可靠性測(cè)試與評(píng)估


              LED器件的失效模式主要包括電失效(如短路或斷路)、光失效(如高溫導(dǎo)致的灌封膠黃化、光學(xué)性能劣化等)和機(jī)械失效(如引線斷裂,脫焊等),而這些因素都與封裝結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)。LED的使用壽命以平均失效時(shí)間(MTTF)來(lái)定義,對(duì)于照明用途,一般指LED的輸出光通量衰減為初始的70%(對(duì)顯示用途一般定義為初始值的50%)的使用時(shí)間。由于LED壽命長(zhǎng),通常采取加速環(huán)境試驗(yàn)的方法進(jìn)行可靠性測(cè)試與*估。測(cè)試內(nèi)容主要包括高溫儲(chǔ)存(100℃,1000h)、低溫儲(chǔ)存(-55℃,1000h)、高溫高濕(85℃/85%,1000h)、高低溫循環(huán)(85℃~-55℃)、熱沖擊、耐腐蝕性、抗溶性、機(jī)械沖擊等。然而,加速環(huán)境試驗(yàn)只是問(wèn)題的一個(gè)方面,對(duì)LED壽命的預(yù)測(cè)機(jī)理和方法的研究仍是有待研究的難題。


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