(1) 首先來一些舊聞 / web search,扼要 摘取 如下,先熟悉下本文背景情況:
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紫外LED一般指發(fā)光中心波長在400nm以下的LED,但有時將發(fā)光波長大于380nm時稱為近紫外LED,而短于300nm時稱為深紫外LED。因短波長光線的殺菌效果高,因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途 。
UVA / UVB / UVC的波長分類不贅述了,而且筆者習慣于寫成UV-c,按照目前的通訊慣例。(不幸的是很多地方都寫成UV-C, or UVC, etc.)
405nm Blu-ray Disk “藍光”光盤的標準激光讀寫波長,也是種近紫外光。
265nm – 280nm UV-c band。
產品方面,日亞化學工業(yè)上市了發(fā)光中心波長從365nm~385nm不等的品種,Nitride Semiconductor上市了發(fā)光中心波長為355nm~375nm不等的品種。
波長不足300nm的深紫外LED的開發(fā)活動也很活躍。2008年理化學研究所和松下電工曾公布,采用GaN類半導體的InAlGaN四元化合物半導體開發(fā)出了發(fā)光中心波長為282nm,光輸出功率為10mW的深紫外LED。
波長更短的深紫外LED方面,NTT物性科學基礎研究所采用AlN材料開發(fā)出了發(fā)光中心波長為210nm的深紫外LED。
美國南卡羅萊納州立的Asif Khan教授小組曾在AlGaN深紫外LED的研究方面(外延與器件工藝)作出很多早期開創(chuàng)性工作。(下圖是其代表性器件結構。)
目前,首爾Viosys、中科潞安、青島杰生(由馬鞍山圓融收購)、深圳深紫、武漢優(yōu)煒星、美國Bolb等有UV-c LED產品,但普遍光效(外量子效率)尚須進一步提升。
旭宇、國星、鴻利等有若干UV LED的封裝產品。
歐司朗與AlN單晶基板供應商HexaTech公司簽署兩項戰(zhàn)略協(xié)議。這些協(xié)議包括長期供應協(xié)議和若干HexaTech的知識產權(IP)許可,其中,前者涉及作為HexaTech公司2英寸(直徑)基板開發(fā)項目的氮化鋁(AlN)基板。此舉有助于歐司朗加速其基于HexaTech材料的UV-c LED器件開發(fā),使歐司朗成為主要的高性能光電技術提供商,提供從深紫外波長到紅外波長的各種產品。
日本化學大廠德山與日本電氣設備大廠斯坦利電氣決定,在深紫外線LED領域擴大合作,德山維持深紫外線LED材料研發(fā),而晶圓生產、封裝、與產品制造銷售等業(yè)務,由Stanley Electric負責。德山的深紫外線LED晶圓生產線及專利,均轉讓給Stanley Electric。
臺灣LED廠光鋐與研晶預計共組品牌,進軍殺菌UV-c LED市場,雙方已開始利用新合資品牌擴大行銷。
2017年臺塑石化宣布與日商日機裝(Nikkiso)攜手發(fā)展UV LED事業(yè),生產深紫外光LED(Deep UV LED)晶粒及銷售深紫外光應用產品,該合作案將聚焦水殺菌、空氣殺菌、樹脂固化及分析設備等。
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(2) 應用背景介紹
紫外LED (UV LED) 主要應用在生物醫(yī)療、防偽鑒定、凈化 (水、空氣等) 除菌殺毒領域、計算機數(shù)據(jù)存儲和軍事 (如LiFi不可見光保密通信) 等方面。
而且隨著技術的發(fā)展,新的應用還會不斷出現(xiàn)以替代原有的技術和產品。
紫外LED有著廣闊的市場應用前景,如紫外LED光療儀是未來很受歡迎的醫(yī)療器械,但是目前技術還處于成長期。
傳統(tǒng)紫外光源與燈具廠商如下:
傳統(tǒng)紫外光源為HID燈。
UV LED要完全替換傳統(tǒng)紫外光源,在效率、性價比等方面還有很長一段路要走。
目前特別是UV-c 深紫外LED的效率,總體上類似于2000年前后綠藍光LED的水平。
(3) InN, GaN, AlN 紫外與藍綠LED的帶隙問題 (外延相關)
InN、GaN、AlN均為直接帶隙半導體,禁帶寬度分別為1.9 eV, 3.4 eV, 6.2 eV。
一般藍綠光LED為InxGa1-xN有源發(fā)光區(qū),壓應變compressive strain
· 465nm 藍光In組分約為20% +
· 525nm 綠光In組分約為30% +
265nm的AlxGa1-xN有源發(fā)光區(qū),張應變tensile strain
Al組分約為70% +/-
壓應變、張應變與能帶工程,外延層內的應變控制,是門大學問!
還有AlGaN/GaN多量子阱有源區(qū)的載流子注入、輸運與泄漏等問題。
(4) UV LED的外延與芯片問題
半導體深紫外光源在照明、殺菌、醫(yī)療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領域具有重大應用價值。
以AlGaN材料為有源區(qū)的深紫外LED的發(fā)光波長能夠覆蓋210nm - 365nm的紫外波段,是實現(xiàn)該波段深紫外LED器件產品的理想材料,具有其它傳統(tǒng)紫外光源無法比擬的優(yōu)勢。
基于MOCVD的深紫外LED外延材料和芯片器件研究工作,須著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質量差、鋁組分低、無法實現(xiàn)短波長發(fā)光和結構材料設計、芯片工藝等問題。
材料是器件性能的基礎與核心突破點。
MOCVD反應室 Reactor中Al的“記憶”效應,memory effect,這個真是記憶深刻、乃至可以說刻骨銘心!?? OELAB的MOCVD師兄弟們 ~ 想必如果看到此節(jié) 必然是會心一笑。
高Al組分下的應變控制是關鍵。
UV LED的歐姆接觸電極制作工藝也是很crucial的 ~
隨之而來的是電流擴展spreading / electrodes design, 又要不遮光、又要均勻注入 ~
Flip Chip design seems to be the main stream architecture ~
(5) UV LED的封裝主要問題
由于此前作為封裝材料使用的環(huán)氧類樹脂材料在紫外光的作用下,容易出現(xiàn)樹脂性能惡化的現(xiàn)象,導致透明性降低,從而使得LED亮度也隨之降低。
因此,為了解決LED封裝器件因紫外光而出現(xiàn)的性能惡化現(xiàn)象,在封裝過程中采用了不使用樹脂材料的方法。
通過將LED芯片裝入金屬封裝內,不使用任何其他封裝材料而直接用金屬殼體及玻璃等蓋封住。(這種方法此前一直在GaN類藍紫色半導體激光器中采用。)
UV LED的封裝還有很多其他trick之處。
(6) UV LED的專利簡要搜索
剛搜索了下,UV LED相關的美國專利有近60,000條。
前文講到的Asif Khan這位老兄有186條。
最新的23條:
早期的“大殺器”有:
呵呵,諸君須努力,知識就是力量?。?/span>??
(7) … … (to be continued!)
倉促成文,聊博一笑,以期拋磚引玉,引同好共努力!