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              乾照光電與武漢大學(xué)共同開發(fā)硅基高功率GaN LED

              2019/12/20 9:23:05 作者: 來源:化合物半導(dǎo)體
              摘要:乾照光電和武漢大學(xué)研究人員表示,他們在4英寸p型硅襯底上開發(fā)出高功率,可靠的基于GaN的垂直LED(VLED)。他們使用具有SiO2電流阻擋層的優(yōu)化金屬化方案實現(xiàn)了這一目標(biāo)。此外,通過KOH濕法刻蝕對VLED的發(fā)射表面進行表面紋理處理,提高光提取效率。

              乾照光電和武漢大學(xué)研究人員表示,他們在4英寸p型硅襯底上開發(fā)出高功率,可靠的基于GaN的垂直LED(VLED)。他們使用具有SiO2電流阻擋層的優(yōu)化金屬化方案實現(xiàn)了這一目標(biāo)。此外,通過KOH濕法刻蝕對VLED的發(fā)射表面進行表面紋理處理,提高光提取效率。

              沉積的金屬化方案會在潮濕的環(huán)境中彎曲并分層,這是VLED可靠性的主要關(guān)注的問題。在這項發(fā)表在《光學(xué)快報》上的研究中,研究人員證明,通過在Ag / TiW薄膜周圍沉積Pt / Ti保護層來保護界面免受環(huán)境濕度的影響,可以提高金屬化可靠性。

              金屬觸點吸收的光是LED中光損耗源的一種來源。然而,由于半導(dǎo)體層的非理想導(dǎo)電性,大多數(shù)電流擁擠在電極附近,導(dǎo)致在電極焊盤周圍的發(fā)射局部化。

              研究人員表明,通過在p電極下插入SiO2電流阻擋層可以大大緩解&ldquo;電流擁擠&rdquo; 。仿真結(jié)果表明,采用SiO2電流阻擋層時,電流分布更加均勻。

              研究人員還利用KOH濕法化學(xué)蝕刻技術(shù)對VLED的發(fā)射表面進行紋理化處理,以提高光提取效率。使用KOH溶液濕法刻蝕后,高度集成的表面紋理包括周期性的半球形凹痕和六邊形金字塔。時域有限差分(FDTD)模擬表明,這種表面形態(tài)不僅減少了菲涅耳反射,而且使光以較寬的分布向外散射,從而提高了光提取效率。

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