近日從杭州灣新區(qū)管委會獲悉,新區(qū)與中國電子信息產業(yè)集團有限公司全資子公司——華大半導體有限公司完成寬禁帶半導體材料項目簽約。這是新區(qū)搶抓半導體材料技術迭代發(fā)展機遇的最新成果,標志著新區(qū)集成電路全產業(yè)鏈進一步完善,數字經濟產業(yè)發(fā)展迎來“芯”動力。
項目總投資10.5億元,計劃年產8萬片4吋至6吋碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片,產品可廣泛應用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域。
據悉,該項目是全省首個第三代半導體材料項目。第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,已成為半導體技術研究前沿和競爭焦點。
“設計、研發(fā)、制造、封裝、測試……半導體產業(yè)鏈條上的任一環(huán)節(jié)的技術門檻都很高。華大寬禁帶半導體材料項目專注半導體制造過程的前端工序——半導體材料,而且還是屬于時下發(fā)展大熱門的第三代半導體材料?!焙贾轂承聟^(qū)管委會有關負責人表示,新時期集成電路產業(yè)發(fā)展背景下,該項目的簽約對新區(qū)搶占下一代信息技術制高點具有較大發(fā)展意義。