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              Plessey開發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED
              
                
              
                    2019/12/9 9:29:51
                    
                        
                        作者： 來源：LEDinside
                        
                        
                    
                    
                
              
            
              
            
            
              摘要：日前，英國MicroLED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱，宣布開發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。
              
            
            

            
              
                
                
              日前，英國MicroLED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱，宣布開發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。
              盡管InGaN基藍(lán)光和綠光LED都已商用量產(chǎn)，但紅光LED通?；贏lInGaP材料或顏色轉(zhuǎn)換的紅光。對(duì)于AR應(yīng)用來說，由于AlInGaP材料的嚴(yán)重邊緣效應(yīng)和顏色轉(zhuǎn)換過程造成的腔損耗，實(shí)現(xiàn)高效超小間距紅色像素(<5&mu;m)仍然遙不可及。
              硅基InGaN紅光LED
              與現(xiàn)有的基于AlInGaP的紅光相比，基于InGaN的紅光具有更低的制造成本、可擴(kuò)展至更大的200mm或300mm晶圓以及更好的熱/冷系數(shù)，因此具有極大的吸引力。然而，由于銦含量高，在有源區(qū)中引起顯著的應(yīng)變，從而降低了晶體質(zhì)量并產(chǎn)生了許多缺陷，因此，使用InGaN材料實(shí)現(xiàn)紅色光譜發(fā)射具有挑戰(zhàn)性。Plessey通過使用專有的應(yīng)變?cè)O(shè)計(jì)的有源區(qū)來制造高效的InGaNRedLED，成功克服了這些挑戰(zhàn)。
              Plessey的InGaNRedMicroLED在10A/cm2時(shí)的波長為630nm，半峰全寬為50nm，熱冷系數(shù)超過90%，并且在超小像素間距中，其效率高于傳統(tǒng)的AlInGaP和顏色轉(zhuǎn)換的紅光。有了這個(gè)結(jié)果，Plessey現(xiàn)在可以制造天然的藍(lán)、綠和紅InGaN材料，或者使用其GaN-on-Silicon平臺(tái)調(diào)諧400至650nm的波長。
              Plessey外延和高級(jí)產(chǎn)品開發(fā)總監(jiān)WeiSinTan表示：&ldquo;這是一個(gè)令人振奮的結(jié)果，因?yàn)樗鼮榈统杀局圃斐￠g距和高效的RedInGaN像素提供了一條途徑，將加速M(fèi)icroLED在AR微型顯示器和移動(dòng)/大型顯示器應(yīng)用中的采用。&rdquo;
              
            
              

            
              
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