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              英國Kubos半導(dǎo)體將推出大規(guī)模制造綠色LED的工藝

              2019/11/28 9:38:13 作者: 來源:CSC化合物半導(dǎo)體
              摘要:據(jù)Rebecca Pool報(bào)道,Kubos半導(dǎo)體公司利用其立方GaN外延技術(shù),打算很快推出大規(guī)模制造綠色led的工藝。

                據(jù)Rebecca Pool報(bào)道,Kubos半導(dǎo)體公司利用其立方GaN外延技術(shù),打算很快推出大規(guī)模制造綠色led的工藝。

                英國Kubos半導(dǎo)體公司和英國復(fù)合半導(dǎo)體中心聯(lián)手解決了LED行業(yè)臭名昭著的“綠色鴻溝”問題。

                正如今年10月披露的那樣,合作伙伴正共同努力將用于制造高效綠色和琥珀色LED的立方GaN外延技術(shù)商業(yè)化。

                這一舉措正值綠色LED的效率數(shù)字大大落后于藍(lán)色LED,盡管全球各行業(yè)都在努力縮小所謂的綠色差距。

                “縮小綠色差距是一個長期存在的問題,一直是LED制造商面臨的一個長期挑戰(zhàn),至今仍未解決,”Kubos首席執(zhí)行官卡羅琳?奧布萊恩(Caroline O'Brien)表示。“但我們很快就會推出一種在商業(yè)上可行的解決方案,我們預(yù)計(jì)這一方案將獲得非常好的反響?!?/p>

                她補(bǔ)充道:“綠色LED是我們主要的商業(yè)化催化劑,我們在這方面取得了良好的進(jìn)展,因此計(jì)劃明年開始這一商業(yè)化進(jìn)程?!薄?/p>

                到目前為止,六角GaN晶體已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于制造藍(lán)色led,但是在綠色器件中實(shí)現(xiàn)高效的工作是一個問題。在這些長波長結(jié)構(gòu)的有源區(qū)中,大的偏振場降低了輻射復(fù)合率,限制了LED的效率。

                但庫博斯有答案。該公司的工藝是在硅襯底上3C(立方)SiC上生長立方GaN。與六邊形GaN不同,立方GaN沒有電場,消除了偏振問題,為高效led的設(shè)計(jì)打開了大門。

                3C-SiC在硅上的外延工藝是由華威大學(xué)的spin-out,Anvil半導(dǎo)體公司首創(chuàng)的。Anvil謹(jǐn)慎地保護(hù)了它的IP,但大約在8年前,它開始在用于SiC功率器件的硅片上珩磨一個生長3C-SiC的過程,克服了不同材料的晶格參數(shù)和熱膨脹系數(shù)的不匹配。

                該公司與劍橋大學(xué)(Cambridge University)在五年前合作,在Si模板上的立方SiC上生長立方GaN。成功之后,合作伙伴生產(chǎn)了世界上第一個150毫米晶圓,上面生長著100%立方GaN,Kubos獲得了獨(dú)家許可證,可以將這種IP商業(yè)化,并提供高效的綠色和琥珀色led。

                最關(guān)鍵的是,最近的Kubos-CSC合作關(guān)系將加速Kubos的技術(shù)開發(fā)。CSC是一家由半導(dǎo)體外延晶圓產(chǎn)品制造商IQE和卡迪夫大學(xué)(Cardiff University)組成的合資企業(yè),提供了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外延工具的商業(yè)準(zhǔn)入,為商業(yè)化提供了明確的途徑。

                CSC的Rob Harper說:“在Si上的立方碳化硅上生長立方氮化鎵提供了一個可擴(kuò)展的平臺,提供高質(zhì)量的立方GaN層?!?。

                “重要的是,我們有多個MOCVD工具平臺,在擴(kuò)展到更大的200毫米晶圓之前,可以在更小的直徑上進(jìn)行經(jīng)濟(jì)高效的開發(fā)。”

                他補(bǔ)充道:“AixtronG5+反應(yīng)器的可用性意味著,[庫布斯]工藝可以在高達(dá)200毫米的基板上商業(yè)化?!薄!霸谌蛱峁┑墓I(yè)標(biāo)準(zhǔn)MOCVD工具上演示Kubos技術(shù)有助于擴(kuò)大規(guī)模,從而縮短上市時間?!?/p>

                Kubos半導(dǎo)體公司正在將立方GaN外延技術(shù)商業(yè)化

                根據(jù)O'Brien的說法,Kubos已經(jīng)證明在150毫米的3C-SiC硅片上可以生長出立方GaN,并且聲稱當(dāng)硅硅片上的200毫米SiC可用時,立方GaN的生長也可以被縮放。

                她說:“將其擴(kuò)展到200毫米晶圓甚至更大的晶圓尺寸是沒有限制的?!薄!拔覀円恢痹谂Υ_保可擴(kuò)展性,以便該技術(shù)與大批量生產(chǎn)兼容,并在商業(yè)上可行?!?/p>

                就成本而言,奧布萊恩和哈珀都看不到任何絆腳石。奧布萊恩認(rèn)為,到目前為止,沒有任何跡象表明,一個LED制造商不能采用成本效益高、可制造性強(qiáng)的方法。

                正如哈珀所說:“事實(shí)上,這可以擴(kuò)展到200毫米晶圓提供了進(jìn)一步的成本削減超過150毫米晶圓?!?/p>

                他補(bǔ)充道:“我們還可以在多晶片MOCVD平臺(如Aixtron G5+)上提供這種功能,并同時處理5×200mm晶片或8×150mm晶片的批次,這可以提供比單晶片工具低得多的晶片成本?!薄!耙坏┘夹g(shù)到位,我們可以預(yù)期,在規(guī)模經(jīng)濟(jì)和優(yōu)化運(yùn)營效率的推動下,將進(jìn)一步降低成本。”

                市場前景

                主要應(yīng)用包括用于顯示市場以及汽車和傳統(tǒng)LED照明市場的微型LED。考慮到這一點(diǎn),Kubos和合作伙伴正在努力提高將通過其工藝制造的綠色led的效率。

                正如奧布萊恩指出的,早在2017年,美國能源部就制定了雄心勃勃的內(nèi)部量子效率(IQE)目標(biāo),為54%,因此這是該公司的最終目標(biāo)。她說:“目前,許多綠色LED設(shè)備的效率仍明顯低于這一水平,因此提高智商是我們目前發(fā)展的重點(diǎn),雖然能源部的目標(biāo)是一條路要走,但我們已經(jīng)看到了這一點(diǎn)。”。

                同時,工藝優(yōu)化和成品率工程的工作也在進(jìn)行中。合作伙伴的主要目標(biāo)是將這一技術(shù)融入一級生產(chǎn)線,因此,他們計(jì)劃在未來2到3年內(nèi)將這項(xiàng)技術(shù)授權(quán)給大型LED公司。

                正如奧布萊恩所說:“我們明年將開始與客戶接觸,而LED制造是一個非常成熟的過程,因此如果在這個時間范圍內(nèi)沒有上市,我會感到失望?!?/p>


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