今(11)日下午，三安光電發(fā)布公告宣布擬向長沙先導高芯投資合伙企業(yè)(有限合伙)(先導高芯)以及珠海格力電器股份有限公司(格力電器)非公開發(fā)行A 股股票，擬募集資金總額為不超過70億元。其中，先導高芯認購50億元，格力電器認購20億元。三安光電已于今日分別與這兩家企業(yè)簽署股份認購合同。
公告顯示，本次非公開發(fā)行股票發(fā)行前，三安集團持有公司股權5.97%;三安集團的控股子公司三安電子持有公司股權29.76%;兩家公司合計持有公司股權35.74%。三安集團實為公司控股股東，林秀成先生為公司的實際控制人。
按本次非公開發(fā)行股票數(shù)量的上限測算，本次非公開發(fā)行完成后，三安集團持有公司4.98%股權，三安電子持有公司24.80%股權，合計約占公司總股本的29.78%，合計預計被動減少合計超過5%。發(fā)行完成后，三安電子仍為公司的控股股東。林秀成先生仍為公司的實際控制人，公司的控制權不變。
另外，按先導高芯認購本次非公開發(fā)行股票數(shù)量的上限測算，先導高芯持有三安光電的普通股股份數(shù)量將由0股增加至不超過582,632,132股，即不超過公司總股本的11.90%。發(fā)行完成后，先導高芯持有公司股份比例預計增加至5%以上，未觸及要約收購。
值得注意的是，三安光電本次非公開發(fā)行募集資金總額扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額擬投入半導體研發(fā)與產業(yè)化項目(一期)，該建設主要包括三大業(yè)務板塊及公共配套建設。
其中，三大業(yè)務板塊分別為：氮化鎵業(yè)務板塊、砷化鎵業(yè)務板塊、特種封裝業(yè)務板塊。各業(yè)務板塊具體的產能規(guī)劃如下：
氮化鎵業(yè)務板塊：(1)年產氮化鎵芯片769.20萬片，其中：第五代顯示芯片(Mini 背光/MicroLED)161.60萬片/年、超高效節(jié)能芯片530.80萬片/年、紫外(UV)芯片30.80萬片/年、大功率芯片46.00萬片/年;(2)PSS襯底年產923.40萬片;(3)大功率激光器年產141.80萬顆。
砷化鎵業(yè)務板塊：(1)年產GaAsLED芯片123.20萬片，其中：第五代顯示芯片(Mini/MicroLED)17.60萬片/年、ITO紅光芯片34.90萬片/年、RS紅光芯片19.10萬片/年、高功率紅外產品14.20萬片/年、植物生長燈芯片14.40萬片/年、大功率戶外亮化芯片7.20萬片/年、車用級芯片7.00萬片/年、醫(yī)療健康芯片8.80萬片/年;(2)年產太陽電池芯片40.50萬片，其中：商用衛(wèi)星電池13.50萬片/年、臨近空間裝置27.00萬片/年。
特種封裝業(yè)務板塊：(1)UV LED封裝81.40kk/年;(2)Mini LED芯片級封裝8,483.00kk/年;(3)車用級LED封裝57.80kk/年;(4)大功率LED封裝63.20kk/年;(5)IR LED封裝39.00kk/年。
三安光電稱，本次募投項目的實施主體為公司全資子公司泉州三安半導體科技有限公司(泉州三安)，公司將通過向泉州三安增資的方式實施本次募投項目。項目建設期為4年，達產期為7年。預計達產年銷售收入824,393.32萬元(不含稅)，達產年凈利潤199,176.70萬元。
本次募投項目實施后，將建成包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片，高端砷化鎵LED外延、芯片，大功率三基色激光器，特種封裝產品應用四個產品方向的研發(fā)、生產基地，主要產品包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、RS紅光/紅外產品、Mini/Micro LED芯片、車用LED照明、植物照明LED芯片、大功率激光器、太陽電池芯片等。
三安光電表示，隨著本次募投項目的順利實施，在前期產業(yè)布局基礎上，本次募投項目的主要產品將填補國內空白，公司提高在高端、新興應用領域產品的產能，加快產品結構升級，提升市場份額，順應LED行業(yè)產品結構調整的發(fā)展趨勢。項目完成后，能夠進一步提升公司的盈利水平，增加利潤增長點，減少財務費用，增強競爭能力。
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