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              總投資15億!遼寧氮化鎵半導體材料項目開工建設

              2019/11/11 9:18:30 作者: 來源:科技之窗
              摘要:據(jù)遼寧盤錦高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)報道,近日,遼寧百思特達半導體科技有限公司氮化鎵項目正式開工建設,這距離該項目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個月時間。

                據(jù)遼寧盤錦高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)報道,近日,遼寧百思特達半導體科技有限公司氮化鎵項目正式開工建設,這距離該項目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個月時間。

                資料顯示,該項目總投資15億元,計劃占地440畝,以氮化鎵半導體材料為主,相關配套輔助產(chǎn)業(yè)為輔,并在盤錦建立新材料閉環(huán)產(chǎn)業(yè)園,達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)銷售收入4億元,稅收7000萬元。

                氮化鎵半導體材料及氮化鎵芯片研發(fā)、生產(chǎn)項目開始動土,一期總投資3億元,占地125畝,總建筑面積66600平方米,包括綜合研發(fā)實驗室、半導體及芯片生產(chǎn)車間、應用產(chǎn)品生產(chǎn)車間、制氫站車間、倉庫及員工生活配套區(qū),新上氮化鎵外延生產(chǎn)線、芯片生產(chǎn)線,封裝生產(chǎn)線,應用產(chǎn)品生產(chǎn)線。

                根據(jù)原計劃,項目計劃于11月前動工建設,2021年6月前竣工投產(chǎn)。投產(chǎn)后兩年內銷售產(chǎn)值每年不少于4億元,年上繳稅金不少于2000萬元。


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