華為入股兩家半導體企業(yè)

2019年4月23日，華為成立投資公司——哈勃科技投資有限公司(以下簡稱哈勃投資)。自涉足創(chuàng)新投資以來，華為的投資風向便備受市場關(guān)注。

近日，工商資料顯示，哈勃投資已經(jīng)投資兩家半導體相關(guān)公司，一個是從事第三代半導體材料碳化硅相關(guān)的山東天岳先進材料科技有限公司，另外一個則是從事電源管理芯片設計的杰華特微電子(杭州)有限公司。

哈勃投資此次入股的兩家公司均在半導體行業(yè)上下游，可以一定程度上看到華為對外投資方向。

資料顯示，山東天岳2010年成立，核心產(chǎn)品是碳化硅材料，這是繼硅、砷化鎵半導體之后最新發(fā)展起來的第三代半導體材料。

碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。

我國及全球5G網(wǎng)絡正在大規(guī)模建設中。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大，而硅材料的負載量已無可突破的空間。碳化硅對于5G建設意義重大，已成為行業(yè)內(nèi)公認的事實。

據(jù)其官網(wǎng)顯示，山東天岳碳化硅產(chǎn)品主要有4H-導電型碳化硅襯底材料，其規(guī)格有2英寸、3英寸、4英寸以及6英寸，今后可以廣泛應用于大功率高頻電子器件、半導體發(fā)光二極管(LED)，以及諸如5G通訊、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域。此外，其獨立自主開發(fā)的6英寸N型碳化硅襯底，厚度為350±25微米，每平方厘米微管密度小于1個，目前產(chǎn)品正處在工藝固化階段。

資料顯示，另一家企業(yè)杰華特成立于2013年3月，注冊資本5500萬元，總部位于杭州，在美國、韓國，中國張家港、深圳、廈門等地設有分公司。

杰華特主攻功率管理芯片研究，為電力、通信、電動汽車等行業(yè)用戶提供系統(tǒng)的解決方案與產(chǎn)品服務，目前擁有電池管理、LED照明、DC/DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品。杰華特創(chuàng)始人周遜偉是一名海歸創(chuàng)業(yè)者，曾獲浙江省“千人計劃”榮譽。杰華特在業(yè)界被稱為“小矽力杰”，團隊核心人員來自美國德州儀器和美國芯源公司等。

事實上，哈勃科技兩次出手投資均與半導體產(chǎn)業(yè)相關(guān)。這也讓人聯(lián)想到華為在芯片領(lǐng)域迅速布局，在美國打壓下，華為正圍繞芯片制造打造完整的供應能力。

而對于兩家企業(yè)來說，華為的投資無疑是對其最好的宣傳和技術(shù)方向背書。