國星光電宣布兩項省重點領域研發計劃項目獲批立項

　　今日，國星光電發布公告宣布其牽頭承擔的“硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用”及公司參與申報的“彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術研究”項目獲批立項，將分別獲批省財政專項經費750萬元和225萬元。

　　公告顯示，硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用屬于第三代半導體材料與器件專項類別。國星光電表示，目前絕大多數近紫外LED都是藍寶石襯底，易產生張應力甚至裂紋，而硅襯底具有尺寸大、成本低、熱導率高等優點，有利于LED器件小型化和高電流密度化。項目通過產學研結合發揮產業鏈整合優勢，從硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片、封裝及應用四個層面切入，研制具有自主創新的紫外大功率LED器件并形成產業化示范，有助于提升國內近紫外LED行業的國際競爭力，帶動廣東乃至全國的LED產業升級。

　　另外，彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術研究屬于新型顯示專項類別，牽頭單位是南方科技大學。國星光電表示，Micro-LED因其體積小、靈活性高、易于拆解合并等優點，被認為是最有前途的下一代新型顯示與發光器件，項目通過Micro-LED器件的開發、彩色化及轉移與封裝技術等研究，開發出超高亮度彩色微小尺寸Micro-LED器件和高質量顯示屏。本項目把廣東先進制造能力、市場優勢和港澳國際化、科技創新優勢相結合，打通粵港兩地微顯示器件產品科技成果轉化和產業化鏈條，助力粵港澳大灣區科技創新體系建設。

　　國星光電稱，目前公司尚未收到項目專項資金。上述項目立項不會對公司近期生產經營產生重大影響，但有利于發揮公司知識產權優勢，形成持續創新機制，保持技術領先地位，提升公司的核心競爭力。

　　此外，國星光電還宣布取得由國家知識產權局及美國專利商標局頒發的兩項專利證書，分別關于LED器件、LED燈及加工LED器件的導電線的方法和一種LED支架及其制成的LED器件與LED顯示模組，專利權期限皆為20年。

　　國星光電表示，發明專利的取得不會對公司近期生產經營產生重大影響，但有利于保護和發揮公司自主知識產權優勢，形成持續創新機制，保持技術領先地位，進一步提升公司核心競爭力。