4英寸氮化鎵自支撐襯底——2019神燈獎申報技術(shù)

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項目名稱：  4英寸氮化鎵自支撐襯底

Free-standing GaN Substrates（4 inch）

申報單位：  東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司

綜合介紹或申報理由：

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

主要技術(shù)參數(shù)：

如附圖所示
   

經(jīng)濟(jì)評價分析：

制備本產(chǎn)品的設(shè)備也由本公司自主研發(fā)制備，并研發(fā)了世界領(lǐng)先高生產(chǎn)效率的多片機，這為我們的產(chǎn)品（氮化鎵自支撐襯底）大大降低了生產(chǎn)成本，與世界同類產(chǎn)品相比具有較大的價格優(yōu)勢。

技術(shù)及工藝創(chuàng)新要點：

1、從工藝上來看，針對GaN 單晶材料高化學(xué)穩(wěn)定性及易脆裂的特點，探索可行的GaN 單晶襯底材料高效拋光技術(shù)方案，以及磨拋產(chǎn)生的微觀缺陷抑制與優(yōu)化是實現(xiàn)氮化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化與高性能氮化鎵基器件的關(guān)鍵科學(xué)問題；

2、高質(zhì)量的GaN單晶襯底的獲得，將使GaN基電子功率器件的性能獲得突破性的發(fā)展，實現(xiàn)高頻高效率高功率，滿足現(xiàn)代電子體積更小速度更快的需求。

實際運用案例和用戶評價意見：

產(chǎn)品應(yīng)用圖片

獲獎、專利情況：

發(fā)明專利
   

申報單位介紹：

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年，注冊資本13000萬元，總部位于廣東省東莞市，擁有17000多平方米的廠房和辦公區(qū)，是國內(nèi)領(lǐng)先的專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)和制造的高新技術(shù)企業(yè)。中鎵公司創(chuàng)造性地采用MOCVD技術(shù)、激光剝離技術(shù)、HVPE技術(shù)相結(jié)合的方法，開發(fā)出系列氮化鎵（GaN）襯底產(chǎn)品。公司主營產(chǎn)品有：（1）GaN基襯底材料，包括自支撐GaN襯底，GaN/Al2O3復(fù)合襯底等；（2）生產(chǎn)上述產(chǎn)品的設(shè)備，包括激光剝離設(shè)備、HVPE設(shè)備等。

產(chǎn)品圖片：