新發(fā)現(xiàn)：垂直集成氮化鎵LED助力發(fā)展Micro LED顯示器

　　美國(guó)羅徹斯特理工學(xué)院(Rochester Institute of Technology)的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高M(jìn)icro LED顯示器的效率。

　　羅徹斯特理工學(xué)院的馬修(Matthew Hartensveld)和張敬(音譯，Jing Zhang)在 IEEE Electron Device Letter期刊上發(fā)表了一項(xiàng)研究，描述了他們將納米線氮化鎵場(chǎng)效電晶體(field-effect transistors簡(jiǎn)稱(chēng)“FETs”)和氮化銦鎵LED集成在一起的方法。在這個(gè)有創(chuàng)意的新結(jié)構(gòu)中，電晶體被放置在LED下面以實(shí)現(xiàn)控制和調(diào)光。

　　來(lái)源：羅徹斯特理工學(xué)院Hartensveld和Zhang

　　據(jù)悉，研究員通過(guò)結(jié)合電晶體和LED，創(chuàng)造出一個(gè)緊湊的結(jié)構(gòu)，且制造過(guò)程簡(jiǎn)易。在改善Micro LED顯示器發(fā)展方面，這個(gè)新設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)是一個(gè)性價(jià)比更高的選擇。

　　研究表明，新結(jié)構(gòu)中，一個(gè)區(qū)域可放置更多的LED，因此，像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸變小，像素密度變大，這對(duì)于發(fā)展Micro LED顯示器有很大的幫助。

　　但是，目前垂直設(shè)計(jì)的局限性在于關(guān)閉LED需要一個(gè)負(fù)電壓，對(duì)此，研究者正在努力改進(jìn)中。