搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn) 2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇知風(fēng)向

　　兩大國(guó)際論壇，26場(chǎng)同期會(huì)議，180余位報(bào)告人 --跨界融通創(chuàng)新，攜手共贏未來(lái)!

　　近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究開(kāi)發(fā)的前沿和熱點(diǎn)。該半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”。在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景。

　　搶占第三代半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略制高點(diǎn)

　　從國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)角度看，美、日、歐等發(fā)達(dá)國(guó)家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國(guó)家計(jì)劃，并展開(kāi)全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。

　　我國(guó)政府高度重視第三代半導(dǎo)體材料的研究與開(kāi)發(fā)，從2004年開(kāi)始對(duì)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究進(jìn)行了部署，啟動(dòng)了一系列重大研究項(xiàng)目，2013年科技部在863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域項(xiàng)目征集指南中明確將第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用列為重要內(nèi)容。

　　2016年2月19日，科技部正式發(fā)布 “戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示、大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料等4個(gè)方向部署35個(gè)任務(wù)，專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施年限為5年，即2016 ~ 2020年。該重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)總目標(biāo)是面向國(guó)家在節(jié)能環(huán)保、智能制造、新一代信息技術(shù)領(lǐng)域?qū)?zhàn)略性先進(jìn)電子材料的迫切需求，支撐“中國(guó)制造2025”、“互聯(lián)網(wǎng) +”等國(guó)家重大戰(zhàn)略目標(biāo)，瞄準(zhǔn)全球技術(shù)和產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)，抓住我國(guó)“換道超車(chē)”的歷史性發(fā)展機(jī)遇，以第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點(diǎn)，通過(guò)體制機(jī)制創(chuàng)新、跨界技術(shù)整合，構(gòu)建基礎(chǔ)研究及前沿技術(shù)、重大共性關(guān)鍵技術(shù)、典型應(yīng)用示范的全創(chuàng)新鏈，并進(jìn)行一體化組織實(shí)施。培養(yǎng)一批創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，培育一批具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)，形成各具特色的產(chǎn)業(yè)基地。

　　此外，為貫徹實(shí)施制造強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略，加快推進(jìn)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國(guó)務(wù)院于2016年年底成立國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組。2017年2月28日，我國(guó)成立國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專(zhuān)家咨詢(xún)委員會(huì)。中共中央政治局委員、國(guó)務(wù)院副總理、國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組組長(zhǎng)馬凱親自為每位委員頒發(fā)聘書(shū)。其中，中國(guó)工程院院士干勇任專(zhuān)家咨詢(xún)委員會(huì)主任，中科院副院長(zhǎng)、院士張濤，北京航空航天大學(xué)校長(zhǎng)、院士徐惠彬，東華大學(xué)副校長(zhǎng)、院士俞建勇，中國(guó)航天科技集團(tuán)航天材料及工藝研究所副所長(zhǎng)、院士李仲平和北京科技大學(xué)原副校長(zhǎng)、院士謝建新任專(zhuān)家咨詢(xún)委員會(huì)副主任。國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)秘書(shū)長(zhǎng)吳玲、中科院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)陳弘達(dá)等42位專(zhuān)家受聘為委員會(huì)成員。專(zhuān)家咨詢(xún)委員會(huì)的成立勢(shì)必為推動(dòng)我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)快速健康發(fā)展提供智力支撐、作出更大貢獻(xiàn)。

　　吳玲秘書(shū)長(zhǎng)也曾表示：“當(dāng)前全球第三代半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)正處于快速發(fā)展的窗口期，它的發(fā)展受到了各國(guó)政府以及更大范圍產(chǎn)業(yè)的重視和支持。氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。在過(guò)去十年中，在半導(dǎo)體照明的拉動(dòng)下，氮化鎵無(wú)論是材料和器件都得到了大幅的發(fā)展。未來(lái)氮化鎵需要跟更多的應(yīng)用需求相結(jié)合，并將在電力電子、通訊等領(lǐng)域有更廣闊的發(fā)展空間。同時(shí)也將帶動(dòng)更多的下游應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展?！?/p>

　　業(yè)內(nèi)專(zhuān)家也認(rèn)為，我國(guó)在第一代、第二代半導(dǎo)體材料及集成電路產(chǎn)業(yè)上的多年落后、很難追趕國(guó)際先進(jìn)水平的形勢(shì)不同，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術(shù)水平和國(guó)際先進(jìn)水平差距不大，已經(jīng)發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅(qū)、進(jìn)而可能在部分領(lǐng)域獲得領(lǐng)先和比較優(yōu)勢(shì)，并且有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)超越。

　　2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇看風(fēng)向

　　為助力中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展提質(zhì)增效，更好地整合國(guó)內(nèi)外第三代半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢(shì)資源，實(shí)現(xiàn)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)迅速崛起。在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門(mén)大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)主辦的2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2017)將于2017年11月1-3日在北京首都機(jī)場(chǎng)希爾頓酒店召開(kāi)。

　　2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)，是全球性、高層次的綜合性論壇。論壇以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。論壇中外方主席由中華人民共和國(guó)科學(xué)技術(shù)部原副部長(zhǎng)曹健林和美國(guó)國(guó)家工程院院士、加利福尼亞大學(xué)杰出教授，Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA分別擔(dān)任。

　　兩大國(guó)際論壇，26場(chǎng)同期會(huì)議，180余位報(bào)告人，一次全面了解產(chǎn)業(yè)新風(fēng)向!

　　2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2017)緊跟國(guó)際政策及產(chǎn)業(yè)發(fā)展前沿動(dòng)向精心主題策劃，得到了眾多業(yè)內(nèi)專(zhuān)家的指導(dǎo)和認(rèn)可。除了開(kāi)閉幕大會(huì)外，也設(shè)置了包括“碳化硅材料與器件”、“氮化鎵功率電子器件”、“SiC/GaN電力電子封裝、模塊與可靠性”、“第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)”、“第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件”、“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”和第三代半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)技術(shù)培訓(xùn)七場(chǎng)專(zhuān)題技術(shù)分會(huì)。每場(chǎng)會(huì)議均邀請(qǐng)了第三代半導(dǎo)體各細(xì)分領(lǐng)域頂尖國(guó)內(nèi)外專(zhuān)家進(jìn)行主題報(bào)告深度講解，論壇全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，全面講解第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)、新發(fā)展和新風(fēng)向。

　　除此之外，同期還有第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2017)、國(guó)際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟(ISA)成員大會(huì)、國(guó)際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽、國(guó)際半導(dǎo)體照明先進(jìn)技術(shù)培訓(xùn)會(huì)、第三代半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)技術(shù)培訓(xùn)會(huì)、中日先進(jìn)半導(dǎo)體交流會(huì)，以及國(guó)際半導(dǎo)體尖端技術(shù)和產(chǎn)品展示等等。

　　往屆論壇現(xiàn)場(chǎng)

　　面對(duì)不斷變化的國(guó)內(nèi)國(guó)際形勢(shì)，兩場(chǎng)國(guó)際性盛會(huì)同臺(tái)亮相，匯集全球行業(yè)精英齊聚北京，多維度挖掘LED與第三代半導(dǎo)體發(fā)展新機(jī)遇，共話產(chǎn)業(yè)發(fā)展。距離論壇召開(kāi)的時(shí)間越來(lái)越近，最新的論壇進(jìn)展消息，敬請(qǐng)持續(xù)關(guān)注中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)。

　　會(huì)議網(wǎng)站：

　　SSLCHINA詳情鏈接：http://www.sslchina.org/

　　IFWS詳情鏈接：http://ifws.sslchina.org/

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