白光 LED 概述
隨著社會的進(jìn)步和發(fā)展,能源和環(huán)境問題越來越成為當(dāng)今世界著重關(guān)注的問題,節(jié)約能源、保護(hù)環(huán)境越來越成為社會進(jìn)步的主要動力。人們?nèi)粘I钪袑φ彰饔秒姷男枨笳伎傁碾娏康氖执蟮谋壤?,但目前存在的傳統(tǒng)照明方式存在耗電量大、使用壽命短、轉(zhuǎn)換效率低、污染環(huán)境等缺陷,因而不符合現(xiàn)代社會節(jié)約能源保護(hù)環(huán)境的宗旨,因此需要有一種符合社會發(fā)展需求的新的照明方式來代替?zhèn)鹘y(tǒng)照明方式。
經(jīng)研究工作者不斷努力,制備出具有相對于較長使用壽命、轉(zhuǎn)換效率高且對環(huán)境污染低的綠色照明方式即半導(dǎo)體白色發(fā)光二極管簡稱 WLED,對比傳統(tǒng)的照明方式, WLED 具有效率高、無汞污染、低碳排放、壽命長、體積小、節(jié)能等優(yōu)點,這使得它被廣泛應(yīng)用于交通運輸、照明顯示、醫(yī)療器械和電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
同時 LED 已被公認(rèn)為 21 世紀(jì)最有價值的新光源。在同等的照明條件下, WLED 的能耗相當(dāng)于熒光燈的50%,是白熾燈的 20%。目前,全球傳統(tǒng)照明用電約為世界總能耗的 13%,若用 WLED 來取代全球傳統(tǒng)的照明光源,則會減少一半左右的能耗,其節(jié)能效果顯著,經(jīng)濟(jì)效益客觀。
目前,被譽為第四代照明器件的白光發(fā)光二極管(WLED)由于其優(yōu)異的性能深受人們的重視,人們對白光 LED 的研究逐漸加強,其設(shè)備在顯示和照明等許多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
1993 年, GaN 藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)技術(shù)首次取得突破,推動了 LED 向前發(fā)展。起初,研究者們利用 GaN 作為藍(lán)色發(fā)光光源,采用熒光粉轉(zhuǎn)換的方法實現(xiàn)了單個 LED 的白光發(fā)射,加快了 LED 進(jìn)入照明領(lǐng)域的腳步。
WLED 最大的應(yīng)用就是在家用照明領(lǐng)域,但就目前的研究狀況來,WLED 仍然存在很大的問題,為了使 WLED 能夠盡快的走進(jìn)我們的生活中,我們需要不斷的改進(jìn)和提高其發(fā)光效率、顯色性以及使用壽命等特性。雖然目前LED 光源還不能完全替代人類使用的傳統(tǒng)光源,但隨著科技的發(fā)展, LED 燈會越來越普及。
白光 LED 用紅色熒光粉的研究
現(xiàn)有技術(shù)所研制出的白光 LED 熒光粉普遍存在顯色指數(shù)低、色溫高、偏向于冷白光等問題,主要的原因是所制備的熒光粉中缺少紅光成分,因此研究具有高效率的紅色熒光粉尤為重要。按目前研究狀況,按基質(zhì)材料分類可主要分為以下幾種體系。
1.硫化物、硫氧化物和氧化釔體系
堿土金屬可以用來充當(dāng)硫化物紅色熒光粉基質(zhì)的陽離子, Eu2+為硫化物熒光粉的激活離子且這類熒光粉的發(fā)光效率也較高,在白光中的應(yīng)用十分廣泛。一些學(xué)者利用固相反應(yīng)法將 Ca 元素?fù)饺氲?SrS: Eu2+基質(zhì),制備出了(Cax,Sr1-x)S: Eu2+紅色熒光粉材料,通過研究測試發(fā)現(xiàn):摻雜劑的引入會引起樣品發(fā)射峰位置的改變,當(dāng) Ca2+濃度的增加時,會使主發(fā)射峰位置向長波方向移動,并且強度也隨之增強。
以氧化釔或硫氧化物為基質(zhì)的紅色熒光粉其激活離子通常選用 Eu3+,激發(fā)峰在通常在 350nm、 380nm、 460nm 范圍處,另一些學(xué)者研制出了 Y2O2S: xEu3+紅色熒光粉,且研究結(jié)果表明,其發(fā)射峰位置隨著Eu3+離子濃度的逐漸增加向右偏移最終可達(dá)到 626nm 處。
利用射頻濺射法成功研制出 Y2O2S: Eu 發(fā)光薄膜材料,測試得出,其發(fā)光光譜與商用的 Y2O2S: Eu 熒光粉十分類似。盡管可被近紫外光以及藍(lán)光 LED 芯片激發(fā)的氧化釔或硫氧化物紅色熒光粉已被開發(fā)出來, 但是由于其基質(zhì)發(fā)光效率偏低因而限制了其使用的廣泛性。此外,硫化物熒光粉材料的化學(xué)性質(zhì)及其不穩(wěn)定,遇高溫或水即發(fā)生分解,容易危害環(huán)境。
2.氮化物體系
氮化物體系紅色熒光粉其基質(zhì)具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性,因此被廣泛研究,通常選用 Eu2+為激活離子。 Sr2Si5N8: Eu 紅色熒光粉可吸收的波長范圍從近紫外到藍(lán)綠光且發(fā)射的黃、橙、紅光波長范圍從 550 nm~750 nm,且效率很高,其發(fā)射波長隨 Eu2+摻雜濃度的增加逐漸向長波方向紅移,通過熒光測試發(fā)現(xiàn),此 LED 用紅色熒光粉具有良好的發(fā)展前景。
利用高溫固相法制備出以 CaAlSiN3 為摻雜 Eu2+的熒光粉粉體,經(jīng)研究測試表明在溫度為 1 700℃ ,壓力為 0.65 MPa 下保溫 3 h 且摻雜濃度為 4mol%時所制備出的熒光粉結(jié)晶性能最好發(fā)光強度最高。
到目前為止,對比商業(yè)的硫化物紅粉來說,氮化物紅粉的紅光具有更大的可控制性,而且其物理化學(xué)性質(zhì)也高于硫化物。但是,氮化物紅色熒光粉對制備條件的要求卻十分的嚴(yán)苛,一般要在高溫達(dá)到1400℃~2000℃ 、長時間保溫并且需要在氮氣的保護(hù)下才能制備出來。這必將增加熒光粉的成本同時也會耗費大量的資源。
3.硅酸鹽體系
硅酸鹽體系眾多且性能優(yōu)異,因此被廣泛用于熒光粉的研究,其激活離子通常選用 Eu3+用以制備紅色熒光粉。在探討以激活離子 Eu3+摻雜硅酸鹽基紅色熒光粉的研究中,歸納了前人的研究經(jīng)驗,在研究 Eu3+離子在 5D0→7F2 處的躍遷中分別利用了溶膠-凝膠法、凝膠-燃燒法、高溫固相法等,并且探討了不同的電荷補償劑、激活劑的摻雜濃度、助熔劑的添加狀況等影響因素對發(fā)光效果的影響。
以高純度的NH4H2PO4、CaCO3、 SiO2 等為原料,從含堿金屬的鹵化鹽中獲取電荷補償離子,采用高溫固相法制備出了適用于近紫外光芯片激發(fā)的 Ca5(PO4)2SiO4: Eu3+, A+(A=Na, Li, K)紅色熒光粉材料。經(jīng)過研究測試得出,該熒光粉材料的熒光性能十分優(yōu)異,其激發(fā)主峰位于 395nm 處,位于近紫外區(qū)內(nèi),發(fā)射主峰位于 615nm 處,熒光強度與色坐標(biāo)十分接近于商業(yè)用的熒光粉。
利用溶膠凝膠法制備出了以 LaPO4-5SiO2 為復(fù)合基質(zhì)摻雜 Eu3+為激活劑的紅色熒光粉。經(jīng)測試研究表明所制備的硅酸鹽基紅色熒光粉的性能優(yōu)異,Eu3+的最佳摻雜濃度為 7mol%,最佳激發(fā)波長位于 395 nm(紫光區(qū))處,發(fā)射波長位于 612 nm(紅光區(qū))處。
4.鎢鉬酸鹽體系
鎢鉬酸鹽是物理化學(xué)性質(zhì)均非常穩(wěn)定的無機材料,因而被廣泛應(yīng)用為熒光粉的基質(zhì)材料。在研究紅色熒光粉時其激活離子常選用 Eu3+,鎢鉬酸鹽用于紅色熒光粉的研究層出不窮。
利用燃燒法和溶膠-凝膠法結(jié)合固相法制備出了 Sr(1-x)MoO4: xEu3+紅色熒光粉。并且利用固相法合成了 Gd2(MO4)3(M=Mo,W): Eu3+,Sm3+紅色熒光粉。經(jīng)過測試得:所制備的熒光粉可被紫外(UV)光及藍(lán)光有效的激發(fā),且其發(fā)射波波長范圍與已被商用的以 GaN 為基質(zhì)的紅色熒光粉的波長十分相近。
白光 LED 的實現(xiàn)方式
目前WLED的實現(xiàn)方案可以總結(jié)為以下三種方法:
1.多個芯片組合型
WLED 多個芯片組合型 WLED 是將多個半導(dǎo)體芯片發(fā)射出的紅、綠以及藍(lán)光進(jìn)行調(diào)節(jié),按照一定的比例來組合成白光。此法效率很高,顯色指數(shù)很高、色溫可調(diào)節(jié)、光電損耗低等。
但是其缺點也很多:由于使用的芯片數(shù)目較多,造成生產(chǎn)成本高且國內(nèi)自主生產(chǎn)能力弱;另外,由于每個芯片發(fā)射出的各顏色的量子效率不同,當(dāng)體系工作條件變化不一致時,會導(dǎo)致衰減速率也不相同,從而造成顏色不穩(wěn)定,對其應(yīng)用造成極大的限制。
2. 熒光轉(zhuǎn)換型
WLED 熒光轉(zhuǎn)換型 WLED 工作原理是利用低壓直流電來激發(fā)單一基質(zhì)的半導(dǎo)體芯片,其芯片發(fā)射出的光再激發(fā)到涂敷在芯片上的熒光粉,使熒光粉發(fā)出人眼可見的長波長的光,通過調(diào)節(jié)熒光粉的比例來實現(xiàn)白光發(fā)射。
根據(jù)激發(fā)方式的不同又可將熒光轉(zhuǎn)換型 WLED 分為以下兩種類型:
第一種:用藍(lán)光芯片激發(fā)黃色熒光粉(YAG:Ce3+):以藍(lán)光 LED 芯片作為激發(fā)光源,激發(fā)與該種芯片發(fā)射波長匹配的黃色熒光粉,將發(fā)射出的黃光與激發(fā)光源的藍(lán)光進(jìn)行組合得到白光。其優(yōu)點為結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單,制作流程要求較低,且工藝比較成熟。
該方法存在很大的缺點:激發(fā)光源所用的芯片發(fā)光效率低,在光轉(zhuǎn)換過程中能量損耗較大,隨著時間和環(huán)境的變化,熒光粉會產(chǎn)生色溫漂移,另外由于此類型在結(jié)構(gòu)設(shè)計中缺少紅光部分,因而會導(dǎo)致其顯色指數(shù)低。所以需要將適量的紅色熒光粉摻入到缺少紅光成分的 YAG:Ce3+體系,以此來提高顯色指數(shù)。
第二種:用紫外光芯片激發(fā)紅、綠、藍(lán)三基色熒光粉:以近紫外(360-410nm) LED 芯片作為激發(fā)光源,激發(fā)能夠發(fā)出藍(lán)、綠、紅三基色的三種熒光粉,將三種顏色的光進(jìn)行調(diào)控組合得到白光。其主要優(yōu)點為:使用紫外芯片作為光源,電路設(shè)計簡單,制作成本低,便于控制;可以控制激發(fā)、發(fā)射光譜譜峰的位置及帶寬,其光譜分布寬;發(fā)光材料來源廣泛,可工業(yè)化制造生產(chǎn),工藝提升空間大。
缺點主要在于:高功率的近紫外 LED 不容易制作;工藝要求較高;現(xiàn)階段紅色熒光粉的發(fā)光效率較低,色溫不穩(wěn)定;由于以近紫外芯片作為激發(fā)光源,發(fā)射出的紫外光容易對封裝材料造成傷害,使其老化,壽命使用縮短并且容易造成紫外線泄露。
3.單芯片多量子阱型
WLED 單芯片多量子阱型 WLED 是在基體上使兩種或幾種不同材料以薄膜的形式交替生長,形成多層堆積的結(jié)構(gòu)。這種多層結(jié)構(gòu)中含有大量分離的量子阱,通過改變不同的摻雜材料,來形成不同結(jié)構(gòu)的量子阱,從而實現(xiàn)從藍(lán)光到紅光的發(fā)射,以達(dá)到材料發(fā)出白光的目的。
多量子阱單芯片 WLED 有許多優(yōu)點:例如結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單、材料發(fā)光效率高、光轉(zhuǎn)換過程能量損失小。但是在制備單芯片多量子阱 WLED 時,其工藝技術(shù)要求很高,產(chǎn)品造價極高,難以得到推廣。目前,單芯片多量子阱 WLED 處于實驗室試研發(fā)階段,在技術(shù)上以及應(yīng)用上還不成熟。
以上分析得知, WLED 主要由三種方式產(chǎn)生,而前兩種方法是目前應(yīng)用研究的主要方向??紤]到制備過程的生產(chǎn)工藝、技術(shù)要求以及生產(chǎn)成本等因素,熒光轉(zhuǎn)換型 WLED 是目前最簡單而且效果最好的一種方法。其次是多個芯片組合型 WLED。從未來的發(fā)展和創(chuàng)新的角度來看,單芯片多量子阱型 WLED 是具有很大發(fā)展?jié)摿Φ摹?/p>
結(jié)語
綜上所述,紅色熒光粉是熒光轉(zhuǎn)換型白光 LED 中缺失最嚴(yán)重的部分,因此探索尋找具有穩(wěn)定物理化學(xué)性質(zhì)的, 同時可以受紫外/近紫外光激發(fā)的并且可以實現(xiàn)高顯色指數(shù)的紅色熒光粉就成為了一個非常重要的研究方向。由于材料的性能受很多因素的影響,例如材料的形貌、微觀結(jié)構(gòu)、顆粒的尺寸以及團(tuán)聚現(xiàn)象對發(fā)光性能都會產(chǎn)生很大的影響。因此如何制備出高效的紅色熒光粉成為了一種高難度挑戰(zhàn)。