國際第三代半導(dǎo)體論壇
International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China(IFWS)
2017年11月1-3日
中國·北京·首都機場希爾頓酒店
2017國際第三代半導(dǎo)體論壇是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會主辦，得到科技部，發(fā)改委，工信部，北京政府等相關(guān)部門大力支持。
會議以促進第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。
大會主席
Umesh K. MISHRA——美國國家工程院院士、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人
美國加州大學(xué)圣巴巴拉分校杰出教授
曹健林--中華人民共和國科學(xué)技術(shù)部原副部長
技術(shù)程序委員會
主任
鄭有炓--南京大學(xué)教授、中科院院士
副主任
劉 明--中科院微電子所教授、中國科學(xué)院院士
張 榮--山東大學(xué)校長、南京大學(xué)教授
陳 敬--香港科技大學(xué)教授
邱宇峰--國家電網(wǎng)智能研究院副院長
張國義--北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任
沈 波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
主辦單位
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會
支持單位
國家科學(xué)技術(shù)部
國家發(fā)展與改革委員會
國家工業(yè)與信息產(chǎn)業(yè)部
北京市人民政府
協(xié)辦單位
首都創(chuàng)新大聯(lián)盟
國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)
國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟(ISA)
中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會
中國電子學(xué)會電子材料分會
中國電力電子行業(yè)協(xié)會
中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
SEMI
中國照明學(xué)會
中國智能家居產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
中國可再生能源學(xué)會
能源互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟
TD產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
中國智慧城市產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
論壇長期與IEEE合作。投稿給SSLCHINA的優(yōu)質(zhì)論文，會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表征文重點內(nèi)容
S1: 碳化硅材料與器件
碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度，在新能源發(fā)電、電動汽車等一些重要領(lǐng)域展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅電力電子器件的持續(xù)進步將對電力電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展起到重要的推動作用。本分會的主題涵蓋SiC襯底、同質(zhì)外延和電力電子器件技術(shù)。分會廣泛征集優(yōu)秀研究成果，將邀請國內(nèi)外知名專家參加本次會議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術(shù)的最新進展。
征文方向：
SiC晶體生長和加工
SiC同質(zhì)外延
SiC材料缺陷控制與表征方法
SiC電力電子芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計與仿真
SiC電力電子芯片工藝
SiC電力電子芯片可靠性
SiC電力電子芯片測試和表征
SiC電力電子芯片的其他新技術(shù)
分會主席：
盛 況--浙江大學(xué)教授
分會委員：
徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)教授
陳小龍--中科院物理所教授
張玉明--西安電子科技大學(xué)教授
張安平--西安交通大學(xué)教授
柏 松--中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
王德君--大連理工大學(xué)教授
S2: 氮化鎵功率電子器件
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α１痉謺闹黝}涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。將邀請國內(nèi)外知名專家參加本次會議，呈現(xiàn)氮化鎵電力電子器件研究與應(yīng)用的最新進展。
征文方向：
大尺寸襯底上GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延生長和缺陷、應(yīng)力控制
GaN基電力電子器件技術(shù)
GaN襯底材料和厚膜同質(zhì)外延
GaN器件封裝技術(shù)
GaN電力電子應(yīng)用
GaN電力電子技術(shù)的市場研究
分會主席：
陳 敬--香港科技大學(xué)教授
徐 科--中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米測試中心主任、蘇州納維科技有限公司董事長
分會委員：
李順峰--北京大學(xué)東莞光電研究院副院長
陳 鵬--南京大學(xué)教授
張國旗--代爾夫特理工大學(xué)教授
晏文德--中興通訊股份有限公司副總裁、中興通訊能源研究院院長
S3: SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性
寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件近年來不斷獲得技術(shù)的突破，具備廣泛的市場應(yīng)用前景。這類器件具備更高的效率、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)勢，在新能源發(fā)電、電動汽車、充電樁、電力轉(zhuǎn)換及管理系統(tǒng)和工業(yè)電機領(lǐng)域等已展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。因此，針對寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝及可靠性技術(shù)是推動其快速市場化并廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵。本分會的主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評價等方面。分會廣泛征集優(yōu)秀研究成果，將邀請國內(nèi)外知名與家參加本次會議，充分展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評價的最新進展。
征文方向：
SiC/GaN電力電子器件封裝設(shè)計和仿真
SiC/GaN電力電子器件封裝集成
SiC/GaN電力電子器件封裝熱散熱
SiC/GaN電力電子器件封裝材料和工藝
SiC/GaN電力電子器件封裝可靠性
SiC/GaN電力電子器件驅(qū)動保護
SiC/GaN電力電子器件測試和監(jiān)測
SiC/GaN電力電子器件應(yīng)用
SiC/GaN電力電子器件封裝其他新技術(shù)
分會主席：
陸國權(quán)--天津大學(xué)教授
張國旗--代爾夫特理工大學(xué)教授
分會委員：
于坤山--北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司總裁
趙爭鳴--清華大學(xué)教授
楊 霏--國家電網(wǎng)智能研究院高級工程師
張安平--西安交通大學(xué)教授
柏 松--中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
陶國橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師
王德君--大連理工大學(xué)教授
[NT:PAGE]S4: 第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)
第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。本分會的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計與制造、可靠性技術(shù)及其在移動通信中的應(yīng)用等各方面。擬邀請國內(nèi)外知名專家參加會議，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進展。
征文方向：
高性能微波GaN器件技術(shù)
用于高性能微波器件的GaN外延技術(shù)
GaN微波集成電路技術(shù)
GaN微波器件及工藝的可靠性
GaN微波器件的大信號等效電路模型與物理模型
GaN器件和電路在移動通信中的應(yīng)用
分會主席：
蔡樹軍--中國電子科技集團公司第十三研究所副所長
張乃千--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長
分會委員：
陳堂勝——中電集團首席科學(xué)家、中國電子科技集團公司第五十五研究所副總工程師
劉新宇--中科院微電子研究所副所長
劉建利--中興通訊股份有限公司功放總工
張進成--西安電子科技大學(xué)教授
陶國橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師
S5: 第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外器件技術(shù)
第三代半導(dǎo)體材料在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本分會將重點兲注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的兲鍵制備技術(shù)。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。分會面向全球廣泛征集優(yōu)秀研究成果，并將邀請多名國際知名與家參加本次會議，力圖全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體紫外發(fā)光和探測領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國內(nèi)外最新迚展。
征文方向：
AlN和其他紫外光電器件用新型襯底材料
紫外發(fā)光與探測材料的設(shè)計和外延生長
高Al組分AlGaN的p型摻雜
高效紫外發(fā)光器件
高靈敏度紫外探測與成像器件
紫外光源封裝與模組的光提取、熱管理及可靠性
紫外光源與探測器應(yīng)用新進展
分會主席：
沈 波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
張 韻--中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員
分會委員：
劉國旭--易美芯光(北京)科技有限公司執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官
陸 海--南京大學(xué)教授
S6: 超寬禁帶半導(dǎo)體及其他新型半導(dǎo)體材料分會
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。超寬帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Α１痉謺匮杏懗瑢捊麕О雽?dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，旨在搭建產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、資本的高質(zhì)量交流平臺，共同探討超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。
分會將邀請國內(nèi)外知名專家參加本次會議，呈現(xiàn)超寬帶半導(dǎo)體及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究應(yīng)用的最新迚展。
征文方向：
超寬禁帶半導(dǎo)體材料關(guān)鍵設(shè)備制造技術(shù)
超寬禁帶半導(dǎo)體材料制備技術(shù)及其物性研究
超寬禁帶半導(dǎo)體材料電力電子器件技術(shù)
超寬禁帶半導(dǎo)體材料光電子器件技術(shù)
其他新型半導(dǎo)體材料物性研究與應(yīng)用技術(shù)
分會主席：
劉 明--中科院微電子所教授、中國科學(xué)院院士
張 榮--山東大學(xué)校長、南京大學(xué)教授
分會委員：
陶緒堂--山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室主任
王宏興--西安交通大學(xué)教授
徐 軍--同濟大學(xué)教授
SSLCHINA2017方向(同期會議)
P201-材料與裝備技術(shù)
P202-芯片、封裝與模組技術(shù)
P203-可靠性與熱管理技術(shù)
P204-驅(qū)動、智能與控制技術(shù)
P205-生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)
P206-光品質(zhì)與健康醫(yī)療照明技術(shù)
P207-新型顯示與照明技術(shù)
征文流程
1.作者提交論文擴展摘要(Extended Abstract)。
2.通知作者投稿錄用方式：口頭報告、POSTER與入刊會議論文集等。
3.作者依據(jù)組委會的錄用通知準備材料：
1)口頭報告：作者需準備論文與演示文件(PPT/PDF);2)POSTER：作者需準備論文與POSTER文件(組委會將對POSTER進行編號并告知作者。作者攜帶制作好的POSTER至?xí)h舉辦地點并按照編號在POSTER展示區(qū)域自行張貼)3)入刊會議論文集：作者需準備論文。作者需要根據(jù)論文模板準備論文全文。
注：
1)官方網(wǎng)站(http://www.ifws.org.cn/en/paper/)提供模板下載，請作者務(wù)必按照相應(yīng)模板和時間要求準備材料，以便順利通過論文審核。
2)優(yōu)質(zhì)論文會被遴選在IEEE Xplore Digital Library發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
征文要求
1.基本要求：
1) 尚未在國內(nèi)外公開刊物或其他學(xué)術(shù)會議上發(fā)表過的論文。
2) 主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準確，論述嚴謹，結(jié)論明確，采用法定計量單位。
2.摘要要求：
投稿者需按照組委會提供的模板編寫擴展摘要。
3.全文要求：
按照組委會提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內(nèi)容不超過4頁。
4.語言要求：
1) 作者須提交文體規(guī)范的英文摘要/POSTER/論文;2) 演講語言可以使用中文或英文，但必須用英文演示(PPT或PDF文檔)。
注：含有商業(yè)性宣傳內(nèi)容的論文，不予安排在論壇演講。
征文摘要模板及征文通知下載：
IFWS2017-摘要模板-Abstract-Template.doc
IEEE版權(quán)協(xié)議書-IEEE-concent-form.doc
重要期限及提交方式
1.論文摘要提交截止日期：2017年6月15日
2.論文摘要錄用通知：2017年7月3日
3.論文全文提交截止日期：2017年9月15日
4.論文全文錄用通知：2017年9月30日
5.口頭報告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日：2017年10月15日
投稿請聯(lián)系：
白璐(Lu BAI)
電話：010-82387600-602
郵箱：papersubmission@china-led.net
粵公網(wǎng)安備 44010602001351號