國際第三代半導體論壇
International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China(IFWS)
2017年11月1-3日
中國·北京·首都機場希爾頓酒店
2017國際第三代半導體論壇是第三代半導體產業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是全球性、高層次的綜合性論壇。本屆會議由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟和中關村科技園區(qū)順義園管理委員會主辦，得到科技部，發(fā)改委，工信部，北京政府等相關部門大力支持。
會議以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，引領第三代半導體新興產業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產業(yè)鏈合作平臺。
大會主席
Umesh K. MISHRA——美國國家工程院院士、Transphorm 的聯合創(chuàng)始人
美國加州大學圣巴巴拉分校杰出教授
曹健林--中華人民共和國科學技術部原副部長
技術程序委員會
主任
鄭有炓--南京大學教授、中科院院士
副主任
劉 明--中科院微電子所教授、中國科學院院士
張 榮--山東大學校長、南京大學教授
陳 敬--香港科技大學教授
邱宇峰--國家電網智能研究院副院長
張國義--北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
主辦單位
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟
中關村科技園區(qū)順義園管理委員會
支持單位
國家科學技術部
國家發(fā)展與改革委員會
國家工業(yè)與信息產業(yè)部
北京市人民政府
協辦單位
首都創(chuàng)新大聯盟
國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟(CSA)
國際半導體照明聯盟(ISA)
中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會
中國電子學會電子材料分會
中國電力電子行業(yè)協會
中國寬禁帶功率半導體及應用產業(yè)聯盟
SEMI
中國照明學會
中國智能家居產業(yè)聯盟
中國可再生能源學會
能源互聯網聯盟
TD產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟
中國智慧城市產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟
論壇長期與IEEE合作。投稿給SSLCHINA的優(yōu)質論文，會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表征文重點內容
S1: 碳化硅材料與器件
碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開關頻率和更高的工作溫度，在新能源發(fā)電、電動汽車等一些重要領域展現出其巨大的應用潛力。碳化硅電力電子器件的持續(xù)進步將對電力電子技術領域的發(fā)展起到重要的推動作用。本分會的主題涵蓋SiC襯底、同質外延和電力電子器件技術。分會廣泛征集優(yōu)秀研究成果，將邀請國內外知名專家參加本次會議，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術的最新進展。
征文方向：
SiC晶體生長和加工
SiC同質外延
SiC材料缺陷控制與表征方法
SiC電力電子芯片結構設計與仿真
SiC電力電子芯片工藝
SiC電力電子芯片可靠性
SiC電力電子芯片測試和表征
SiC電力電子芯片的其他新技術
分會主席：
盛 況--浙江大學教授
分會委員：
徐現剛--山東大學教授
陳小龍--中科院物理所教授
張玉明--西安電子科技大學教授
張安平--西安交通大學教授
柏 松--中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
王德君--大連理工大學教授
S2: 氮化鎵功率電子器件
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業(yè)電機等領域具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結構與生長、氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設計與制造，氮化鎵功率應用與可靠性等。將邀請國內外知名專家參加本次會議，呈現氮化鎵電力電子器件研究與應用的最新進展。
征文方向：
大尺寸襯底上GaN基異質結構外延生長和缺陷、應力控制
GaN基電力電子器件技術
GaN襯底材料和厚膜同質外延
GaN器件封裝技術
GaN電力電子應用
GaN電力電子技術的市場研究
分會主席：
陳 敬--香港科技大學教授
徐 科--中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心主任、蘇州納維科技有限公司董事長
分會委員：
李順峰--北京大學東莞光電研究院副院長
陳 鵬--南京大學教授
張國旗--代爾夫特理工大學教授
晏文德--中興通訊股份有限公司副總裁、中興通訊能源研究院院長
S3: SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性
寬禁帶半導體電力電子器件近年來不斷獲得技術的突破，具備廣泛的市場應用前景。這類器件具備更高的效率、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優(yōu)勢，在新能源發(fā)電、電動汽車、充電樁、電力轉換及管理系統和工業(yè)電機領域等已展現出其巨大的應用潛力。因此，針對寬禁帶半導體電力電子器件的封裝及可靠性技術是推動其快速市場化并廣泛應用的關鍵。本分會的主題涵蓋寬禁帶半導體電力電子器件封裝設計、工藝、關鍵材料與可靠性評價等方面。分會廣泛征集優(yōu)秀研究成果，將邀請國內外知名與家參加本次會議，充分展示寬禁帶半導體電力電子器件封裝技術及其可靠性評價的最新進展。
征文方向：
SiC/GaN電力電子器件封裝設計和仿真
SiC/GaN電力電子器件封裝集成
SiC/GaN電力電子器件封裝熱散熱
SiC/GaN電力電子器件封裝材料和工藝
SiC/GaN電力電子器件封裝可靠性
SiC/GaN電力電子器件驅動保護
SiC/GaN電力電子器件測試和監(jiān)測
SiC/GaN電力電子器件應用
SiC/GaN電力電子器件封裝其他新技術
分會主席：
陸國權--天津大學教授
張國旗--代爾夫特理工大學教授
分會委員：
于坤山--北京國聯萬眾半導體科技有限公司總裁
趙爭鳴--清華大學教授
楊 霏--國家電網智能研究院高級工程師
張安平--西安交通大學教授
柏 松--中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
陶國橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師
王德君--大連理工大學教授
[NT:PAGE]S4: 第三代半導體與微波射頻技術
第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業(yè)邁向新的高地。本分會的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面。擬邀請國內外知名專家參加會議，呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
征文方向：
高性能微波GaN器件技術
用于高性能微波器件的GaN外延技術
GaN微波集成電路技術
GaN微波器件及工藝的可靠性
GaN微波器件的大信號等效電路模型與物理模型
GaN器件和電路在移動通信中的應用
分會主席：
蔡樹軍--中國電子科技集團公司第十三研究所副所長
張乃千--蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
分會委員：
陳堂勝——中電集團首席科學家、中國電子科技集團公司第五十五研究所副總工程師
劉新宇--中科院微電子研究所副所長
劉建利--中興通訊股份有限公司功放總工
張進成--西安電子科技大學教授
陶國橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師
S5: 第三代半導體固態(tài)紫外器件技術
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現出巨大的應用潛力。本分會將重點兲注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的兲鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。分會面向全球廣泛征集優(yōu)秀研究成果，并將邀請多名國際知名與家參加本次會議，力圖全面呈現第三代半導體紫外發(fā)光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新迚展。
征文方向：
AlN和其他紫外光電器件用新型襯底材料
紫外發(fā)光與探測材料的設計和外延生長
高Al組分AlGaN的p型摻雜
高效紫外發(fā)光器件
高靈敏度紫外探測與成像器件
紫外光源封裝與模組的光提取、熱管理及可靠性
紫外光源與探測器應用新進展
分會主席：
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
張 韻--中科院半導體研究所所長助理、研究員
分會委員：
劉國旭--易美芯光(北京)科技有限公司執(zhí)行副總裁兼首席技術官
陸 海--南京大學教授
S6: 超寬禁帶半導體及其他新型半導體材料分會
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿?。本分會著重研討超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，旨在搭建產業(yè)、學術、資本的高質量交流平臺，共同探討超寬禁帶半導體材料及器件應用發(fā)展的新技術、新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發(fā)展。
分會將邀請國內外知名專家參加本次會議，呈現超寬帶半導體及其它新型寬禁帶半導體材料與器件研究應用的最新迚展。
征文方向：
超寬禁帶半導體材料關鍵設備制造技術
超寬禁帶半導體材料制備技術及其物性研究
超寬禁帶半導體材料電力電子器件技術
超寬禁帶半導體材料光電子器件技術
其他新型半導體材料物性研究與應用技術
分會主席：
劉 明--中科院微電子所教授、中國科學院院士
張 榮--山東大學校長、南京大學教授
分會委員：
陶緒堂--山東大學晶體材料國家重點實驗室主任
王宏興--西安交通大學教授
徐 軍--同濟大學教授
SSLCHINA2017方向(同期會議)
P201-材料與裝備技術
P202-芯片、封裝與模組技術
P203-可靠性與熱管理技術
P204-驅動、智能與控制技術
P205-生物農業(yè)光照技術
P206-光品質與健康醫(yī)療照明技術
P207-新型顯示與照明技術
征文流程
1.作者提交論文擴展摘要(Extended Abstract)。
2.通知作者投稿錄用方式：口頭報告、POSTER與入刊會議論文集等。
3.作者依據組委會的錄用通知準備材料：
1)口頭報告：作者需準備論文與演示文件(PPT/PDF);2)POSTER：作者需準備論文與POSTER文件(組委會將對POSTER進行編號并告知作者。作者攜帶制作好的POSTER至會議舉辦地點并按照編號在POSTER展示區(qū)域自行張貼)3)入刊會議論文集：作者需準備論文。作者需要根據論文模板準備論文全文。
注：
1)官方網站(http://www.ifws.org.cn/en/paper/)提供模板下載，請作者務必按照相應模板和時間要求準備材料，以便順利通過論文審核。
2)優(yōu)質論文會被遴選在IEEE Xplore Digital Library發(fā)表，IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。
征文要求
1.基本要求：
1) 尚未在國內外公開刊物或其他學術會議上發(fā)表過的論文。
2) 主題突出，內容層次分明，數據準確，論述嚴謹，結論明確，采用法定計量單位。
2.摘要要求：
投稿者需按照組委會提供的模板編寫擴展摘要。
3.全文要求：
按照組委會提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內容不超過4頁。
4.語言要求：
1) 作者須提交文體規(guī)范的英文摘要/POSTER/論文;2) 演講語言可以使用中文或英文，但必須用英文演示(PPT或PDF文檔)。
注：含有商業(yè)性宣傳內容的論文，不予安排在論壇演講。
征文摘要模板及征文通知下載：
IFWS2017-摘要模板-Abstract-Template.doc
IEEE版權協議書-IEEE-concent-form.doc
重要期限及提交方式
1.論文摘要提交截止日期：2017年6月15日
2.論文摘要錄用通知：2017年7月3日
3.論文全文提交截止日期：2017年9月15日
4.論文全文錄用通知：2017年9月30日
5.口頭報告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日：2017年10月15日
投稿請聯系：
白璐(Lu BAI)
電話：010-82387600-602
郵箱：papersubmission@china-led.net
粵公網安備 44010602001351號