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              高光效LED芯片——2017神燈獎申報技術

              2017/4/11 13:42:13 作者: 來源:
              摘要:高光效LED芯片,為 華燦光電股份有限公司2017神燈獎申報技術。

              項目名稱:

              高光效LED芯片

              申報單位:

              華燦光電股份有限公司

              綜合介紹或申報理由:

              本項目高光效芯片技術有特色,產(chǎn)品有優(yōu)勢,專家認為“整體達到國際先進、部分國際領先”。申請發(fā)明專利122項,其中授權美國專利2項、中國專利30多項。以高壓、倒裝和小間距顯示屏為代表先進芯片制造技術已產(chǎn)業(yè)化,市場占有率超30%。本項目技術三年累計產(chǎn)出13.76億元,利潤3.40億元,創(chuàng)匯2000萬美元,技術在多家公司推廣,產(chǎn)品應用于國內外幾十家著名公司間接效益巨大,節(jié)能減排效益顯著,社會效益重大。高光效LED芯片廣泛應用于半導體照明和高鐵站信息屏及央視春晚舞臺顯示等。

              主要技術參數(shù):

              1、倒裝結構解決藍寶石散熱不良導致芯片功率降低難題,采用布拉格反射鏡提高出光率;垂直結構克服橫向電流局部阻塞,改善載流子輸運,提高光效;40x40 mil2倒裝芯片@35A/cm2白光光效172.7 lm/W,超同期國際主流產(chǎn)品技術指標。 

              2、精制新型緩沖層減少晶格失配,降低外延層缺陷密度,減少非輻射復合中心;創(chuàng)新阻擋層減小電子溢流,改善載流子注入不平衡;創(chuàng)新的多量子阱有源區(qū)設計,使內量子效率從70%提升到90% 以上。 3、高壓芯片白光光效169.14lm/W @35A/cm2優(yōu)于國際主流產(chǎn)品,提高高壓轉換器效率,節(jié)約照明系統(tǒng)成本30%。開發(fā)AlN緩沖層PVD沉積技術,MOCVD外延生長時間大幅縮短,生產(chǎn)效率提升30%。

              技術及工藝創(chuàng)新要點:

              1、倒裝結構與垂直結構GaN-LED芯片及其制備技術 

              2、發(fā)明類超晶格緩沖層、組分漸變電子阻擋層和多量子阱結構有源區(qū)及其制備技術,提高內量子效率。 

              3、發(fā)明側向光子晶體和復合透明導電膜等界面修飾集成制備技術,減少光子界面損耗,提高外量子效率;優(yōu)化制備圖形化襯底和DBR反光層,芯片出光效率提升30%;研發(fā)的小間距顯示屏專用芯片,小電流下一致性好,滿足低亮、高灰度下的高品質顯示要求。 

              4、創(chuàng)新高深寬比高壓LED芯片設計,隔離槽刻蝕等關鍵制備技術取得突破。
                 

              實際運用案例和用戶評價意見:

              如圖
                 

              獲獎、專利情況:

              發(fā)明新專利
                 

              申報單位介紹:

              華燦光電股份有限公司的前身是武漢華燦光電有限公司,創(chuàng)立于2005年,2011年整體改制為股份有限公司。華燦光電是國內領先的LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)芯片供應商。 作為“新材料、新能源”領域的高新技術企業(yè),我們致力于研發(fā)、生產(chǎn)、銷售全色系產(chǎn)品為主的高質量LED外延材料與芯片。我們擁有國際領先的技術研發(fā)能力和成熟的生產(chǎn)工藝,基于客戶的需求持續(xù)創(chuàng)新。目前,我們服務于全國的客戶,產(chǎn)品已經(jīng)成功地應用于國內多個重點項目。 公司成立八年以來,我們從基礎設施建設和基礎性研發(fā)起步,凝聚人才,引進設備,研發(fā)新品并量產(chǎn),建設質量管理體系,開拓市場,和客戶及供應商建立合作伙伴關系。我們腳踏實地,又積極進取,迅速確立了技術和品質領先的行業(yè)地位。 公司將持續(xù)擴大投資,繼續(xù)引進國際先進設備,擴大生產(chǎn)規(guī)模,占領市場競爭的優(yōu)勢地位。

              產(chǎn)品圖片:

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