項目名稱：
高光效LED芯片
申報單位：
華燦光電股份有限公司
綜合介紹或申報理由：
本項目高光效芯片技術有特色，產(chǎn)品有優(yōu)勢，專家認為“整體達到國際先進、部分國際領先”。申請發(fā)明專利122項，其中授權美國專利2項、中國專利30多項。以高壓、倒裝和小間距顯示屏為代表先進芯片制造技術已產(chǎn)業(yè)化，市場占有率超30%。本項目技術三年累計產(chǎn)出13.76億元，利潤3.40億元，創(chuàng)匯2000萬美元，技術在多家公司推廣，產(chǎn)品應用于國內(nèi)外幾十家著名公司間接效益巨大，節(jié)能減排效益顯著，社會效益重大。高光效LED芯片廣泛應用于半導體照明和高鐵站信息屏及央視春晚舞臺顯示等。
主要技術參數(shù)：
1、倒裝結構解決藍寶石散熱不良導致芯片功率降低難題，采用布拉格反射鏡提高出光率；垂直結構克服橫向電流局部阻塞，改善載流子輸運，提高光效；40x40 mil2倒裝芯片@35A/cm2白光光效172.7 lm/W，超同期國際主流產(chǎn)品技術指標。
2、精制新型緩沖層減少晶格失配，降低外延層缺陷密度，減少非輻射復合中心；創(chuàng)新阻擋層減小電子溢流，改善載流子注入不平衡；創(chuàng)新的多量子阱有源區(qū)設計，使內(nèi)量子效率從70%提升到90% 以上。 3、高壓芯片白光光效169.14lm/W @35A/cm2優(yōu)于國際主流產(chǎn)品，提高高壓轉換器效率，節(jié)約照明系統(tǒng)成本30%。開發(fā)AlN緩沖層PVD沉積技術，MOCVD外延生長時間大幅縮短，生產(chǎn)效率提升30%。
技術及工藝創(chuàng)新要點：
1、倒裝結構與垂直結構GaN-LED芯片及其制備技術
2、發(fā)明類超晶格緩沖層、組分漸變電子阻擋層和多量子阱結構有源區(qū)及其制備技術，提高內(nèi)量子效率。
3、發(fā)明側向光子晶體和復合透明導電膜等界面修飾集成制備技術，減少光子界面損耗，提高外量子效率；優(yōu)化制備圖形化襯底和DBR反光層，芯片出光效率提升30%；研發(fā)的小間距顯示屏專用芯片，小電流下一致性好，滿足低亮、高灰度下的高品質顯示要求。
4、創(chuàng)新高深寬比高壓LED芯片設計，隔離槽刻蝕等關鍵制備技術取得突破。
實際運用案例和用戶評價意見：
如圖
獲獎、專利情況：
發(fā)明新專利
申報單位介紹：
華燦光電股份有限公司的前身是武漢華燦光電有限公司，創(chuàng)立于2005年，2011年整體改制為股份有限公司。華燦光電是國內(nèi)領先的LED（Light Emitting Diode，發(fā)光二極管）芯片供應商。 作為“新材料、新能源”領域的高新技術企業(yè)，我們致力于研發(fā)、生產(chǎn)、銷售全色系產(chǎn)品為主的高質量LED外延材料與芯片。我們擁有國際領先的技術研發(fā)能力和成熟的生產(chǎn)工藝，基于客戶的需求持續(xù)創(chuàng)新。目前，我們服務于全國的客戶，產(chǎn)品已經(jīng)成功地應用于國內(nèi)多個重點項目。
公司成立八年以來，我們從基礎設施建設和基礎性研發(fā)起步，凝聚人才，引進設備，研發(fā)新品并量產(chǎn)，建設質量管理體系，開拓市場，和客戶及供應商建立合作伙伴關系。我們腳踏實地，又積極進取，迅速確立了技術和品質領先的行業(yè)地位。
公司將持續(xù)擴大投資，繼續(xù)引進國際先進設備，擴大生產(chǎn)規(guī)模，占領市場競爭的優(yōu)勢地位。
產(chǎn)品圖片：
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