LED與化合物半導體前景佳

　　近期參加了LED與化合物行業(yè)內(nèi)的各項論壇，現(xiàn)將參展感悟以及相關分析匯編成報告。通過參會，我們更加加深了對產(chǎn)業(yè)及相關上市公司的認知。

　　LED：新型襯底與MicroLED是發(fā)展新動力在行業(yè)經(jīng)歷瘋狂之后，LED產(chǎn)業(yè)逐步平穩(wěn)，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、產(chǎn)能過剩、新技術挑戰(zhàn)等等因素都使得深耕LED的產(chǎn)業(yè)人士，特別是處于LED最大市場的中國企業(yè)家、專家不得不尋找產(chǎn)業(yè)的新增長點——尋找優(yōu)良的襯底技術與發(fā)展MicroLED。在襯底技術方面，硅襯底材料的出現(xiàn)是結(jié)合了導熱性、成本低、工藝成熟等優(yōu)勢的融合。發(fā)展硅襯底技術能進一步推動LED照明技術革新。

　　MicroLED為LED技術的微型化和矩陣化。在智能終端小型化、物聯(lián)網(wǎng)時代趨勢帶動下，MicroLED成為平板顯示界的新熱點。

　　化合物半導體是未來核心材料從2000年開始，化合物半導體市場逐步擴大，以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵、碳化硅為首的半導體材料應用增多。第三代半導體是以GaN、Sic與ZnO，由于其極高的光電轉(zhuǎn)化效率，多制備成寬禁帶、高功率、高效率的微電子、電力電子、LED光電等器件。由于氮化鎵的應用范圍主要在中低功率產(chǎn)品，相關機構由此預估，氮化鎵半導體材料在2015年2021年期間成長率達到83%，其中電源應用占比較大，達到近60%;相比而言，碳化硅由于市場空間小，成長相對緩慢，成長率在21%左右。全球各大廠商都在布局化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領域有極大市場。我國作為相關器件的消費大國，通過提升制造能力，正以全新姿態(tài)往化合物半導體方向布局。

　　標的推薦

　　1)三安光電是我國LED芯片龍頭廠商，從2014年開始布局化合物半導體。

　　依靠其在LED領域?qū)aN技術的理解，公司能更快的轉(zhuǎn)化原有優(yōu)勢，實現(xiàn)業(yè)務的全面布局。公司2015年公布定向增發(fā)，在化合物半導體募投項目中，以36萬片/年為核心目標，目前月產(chǎn)能4千片。公司對于第三代半導體材料氮化鎵有深遠戰(zhàn)略布局，涵蓋材料供應與設備制造兩大環(huán)節(jié)。

　　2)作為我國功率器件龍頭，揚杰科技的業(yè)務覆蓋功率器件的設計、制造、封裝及產(chǎn)品銷售，產(chǎn)品包括功率二極管、整流模塊、光伏二極管、晶閘管等。公司在內(nèi)生與外延方面雙向加深，定增碳化硅器件項目在進行中。