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              當(dāng)新一代移動(dòng)通信技術(shù)崛起,第三代半導(dǎo)體可以做些什么?

              2016/11/8 11:48:32 作者: 來(lái)源:中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)
              摘要:整個(gè)社會(huì)越來(lái)越像科幻片,教育、高清視頻、家庭智能系統(tǒng)等等都可以通過(guò)各種移動(dòng)終端實(shí)現(xiàn),各種消費(fèi)品都開(kāi)始聯(lián)網(wǎng),人類(lèi)社會(huì)萬(wàn)物互聯(lián),逐步實(shí)現(xiàn)數(shù)字化生存。高速的移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)既是擴(kuò)大消費(fèi),促進(jìn)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的硬件條件,也是重要推手。移動(dòng)通信技術(shù)的提升將刺激互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,也將極大帶動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。萬(wàn)物互聯(lián)的背景下,加上高速率的保證,移動(dòng)信息消費(fèi)潛力巨大。

                整個(gè)社會(huì)越來(lái)越像科幻片,教育、高清視頻、家庭智能系統(tǒng)等等都可以通過(guò)各種移動(dòng)終端實(shí)現(xiàn),各種消費(fèi)品都開(kāi)始聯(lián)網(wǎng),人類(lèi)社會(huì)萬(wàn)物互聯(lián),逐步實(shí)現(xiàn)數(shù)字化生存。高速的移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)既是擴(kuò)大消費(fèi),促進(jìn)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的硬件條件,也是重要推手。移動(dòng)通信技術(shù)的提升將刺激互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,也將極大帶動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。萬(wàn)物互聯(lián)的背景下,加上高速率的保證,移動(dòng)信息消費(fèi)潛力巨大。世界各國(guó)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)、設(shè)備商和運(yùn)營(yíng)商就將目光投向了移動(dòng)通信技術(shù),比如5G ,爭(zhēng)先恐后地開(kāi)展戰(zhàn)略布局和科技研發(fā)以占得先機(jī)。

                

                其中,在新一代移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料不可忽視。第三代半導(dǎo)體具備禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,是固態(tài)光源、下一代射頻和電力電子器件的“核芯”,在半導(dǎo)體照明、消費(fèi)類(lèi)電子、5G移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。預(yù)計(jì)到2020年,第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用將在節(jié)能減排、信息技術(shù)、國(guó)防三大領(lǐng)域催生上萬(wàn)億元的潛在市場(chǎng)。

                那么新一代通信技術(shù)發(fā)展的背景下,第三代半導(dǎo)體會(huì)有怎樣的作為呢?

                2016年11月15日至17日, 2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際論壇(以下簡(jiǎn)稱“跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)”)將在北京國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。此次跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì),由中國(guó)科技部與北京市人民政府主辦,將覆蓋眾多科技、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新熱點(diǎn)領(lǐng)域。同期還將舉辦第十三屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2016)。

                

                今年跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)專門(mén)設(shè)置了“第三代半導(dǎo)體與新一代移動(dòng)通信技術(shù)”分會(huì),蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千與中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所副所長(zhǎng)蔡樹(shù)軍將擔(dān)任此次分會(huì)召集人,匯集來(lái)自全球相關(guān)領(lǐng)域的科研院所、高校、大型代表企業(yè)的重量級(jí)精英,共同探討行業(yè)發(fā)展。

                

                其中,加州大學(xué)洛杉磯分校教授王康隆將擔(dān)任分會(huì)外方主席,同時(shí),分會(huì)成員星光熠熠,共同為分會(huì)提供最堅(jiān)實(shí)的支撐。

                分會(huì)成員劉新宇,中科院微電子研究所副所長(zhǎng),他還擔(dān)任中國(guó)科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任,電子學(xué)會(huì)青年工作委員會(huì)委員,是國(guó)家"核高基"重大專項(xiàng)"十二五"編寫(xiě)組專家。主要研究領(lǐng)域?yàn)?III-V族化合物(GaAs、InP、GaN)半導(dǎo)體器件和電路工藝,微波MMIC設(shè)計(jì)和研制,以及微波功率模塊研究。

                分會(huì)成員陳堂勝,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家,長(zhǎng)期從事GaAs、GaN等化合物半導(dǎo)體微波功率器件和單片電路的研制,現(xiàn)為中國(guó)電子科技集團(tuán)公司制造工藝領(lǐng)域首席科學(xué)家,目前在開(kāi)展金剛石襯底GaN HEMT、異構(gòu)集成等方面的研究。

                

                分會(huì)成員張進(jìn)成,西安電子科技大學(xué)教授 ,主要研究方向?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體材料與器件。先后承擔(dān)和作為主要負(fù)責(zé)人參加了省部級(jí)以上科研項(xiàng)目20余項(xiàng)。其中,作為負(fù)責(zé)人主持國(guó)家級(jí)項(xiàng)目2項(xiàng)、省部級(jí)項(xiàng)目4項(xiàng)。作為主要負(fù)責(zé)人之一,成功研制出我國(guó)具有自主產(chǎn)權(quán)的低缺陷氮化物材料生長(zhǎng)的表面反應(yīng)增強(qiáng)MOCVD和高鋁組份GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)微波材料,性能指標(biāo)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。

                分會(huì)成員晏文德,中興通訊股份有限公司副總裁中興電源研究院院長(zhǎng),帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)中興通訊無(wú)線、有線、云計(jì)算等產(chǎn)品的電源方案設(shè)計(jì),以及模塊電源、定制電源、通信電源和新能源系統(tǒng)的研發(fā)。參與3項(xiàng)通信電源行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定,持有5項(xiàng)專利。

                強(qiáng)大的陣容團(tuán)外,精彩報(bào)告亦是不容錯(cuò)過(guò),非常值得期待。本次分會(huì)邀請(qǐng)?jiān)O(shè)置了眾多精彩報(bào)告,其中,分會(huì)外方主席、加州大學(xué)洛杉磯分校教授王康隆將做特邀報(bào)告。

                

                臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)教授邱顯欽將帶來(lái)關(guān)于高性能GaN開(kāi)關(guān)電源和RF射頻電源的研究分享,邱顯欽十幾年來(lái)專注第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,在微波砷化鎵高速器件,氮化鎵高壓器件與微波毫米波電路方面迄今發(fā)表了超過(guò)150篇國(guó)際論文,150國(guó)際會(huì)議論文,十個(gè)技術(shù)專利,他同時(shí)也是IEEE資深會(huì)員。

                國(guó)立中央大學(xué)電子工程系講座教授,臺(tái)灣聯(lián)合大學(xué)系統(tǒng)的系統(tǒng)副校長(zhǎng)綦振瀛也將分享其最新研究成果。綦振瀛主要研究領(lǐng)域?yàn)楣怆姲雽?dǎo)體磊晶技術(shù),光電元件和高速電子元件,出版及參與出版過(guò)共340多篇期刊論文,并擁有超過(guò)60個(gè)專利。他也是斐陶斐榮譽(yù)學(xué)會(huì)會(huì)員,IEEE會(huì)士及國(guó)際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)會(huì)士。

                日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)教授、國(guó)家千人計(jì)劃專家敖金平也將做特邀報(bào)告。敖金平主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作,曾在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊和國(guó)際會(huì)議上發(fā)表論文180余篇,擁有多項(xiàng)發(fā)明專利。他也是國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)高級(jí)會(huì)員,美國(guó)電氣化學(xué)協(xié)會(huì)(ESC)會(huì)員,日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)會(huì)員以及日本電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)會(huì)員。

                專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室外延部部長(zhǎng)房玉龍也將分享其研究成果。他長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體GaN、SiC的材料外延及電子器件研究工作,對(duì)寬禁帶材料與器件關(guān)系有深入的認(rèn)識(shí)。研制出世界最高遷移率的新型無(wú)應(yīng)變InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)材料,研制出國(guó)內(nèi)第一支N極性面GaN基場(chǎng)效應(yīng)晶體管。近年來(lái),一直從事新型緩變AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料和器件的研究,國(guó)際上首次報(bào)道了緩變AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)器件的高線性特性。主持或參與“973”、“863”和自然基金項(xiàng)目多項(xiàng),發(fā)表寬禁帶領(lǐng)域?qū)W術(shù)文章50余篇。

                論壇君想說(shuō),如今各種風(fēng)云際會(huì),讓人應(yīng)接不暇,這是一個(gè)群雄爭(zhēng)霸愈發(fā)激烈的年代,身處其中,誰(shuí)也逃不開(kāi)躲不掉。都說(shuō)排兵布陣有全局觀,才能運(yùn)籌帷幄,那么如今風(fēng)向局勢(shì)如何?誰(shuí)將領(lǐng)跑?何去何從?做到心中有數(shù)都是非常重要的,期待這場(chǎng)盛會(huì)與你的相遇!

                參會(huì)報(bào)名、參會(huì)聯(lián)系人

                張女士

                T:8610-82387380

                M:13681329411

                E:zhangww@china-led.net

                賈先生

                T:8610-82387430

                M:18310277858

                E:jiaxl@china-led.net

                第十三屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2016)活動(dòng)官網(wǎng):http://www.sslchina.org

                2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議(IFWS)活動(dòng)官網(wǎng):http://www.ifws.org.cn


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