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              2016年全球半導體資本支出下降0.3%
              
                
              
                    2016/10/14 10:20:08
                    
                        
                        作者： 來源：中國半導體照明網(wǎng)
                        
                        
                    
                    
                
              
            
              
            
            
              摘要：美國高德納咨詢公司(Gartner)稱，2016年全球半導體資本支出預(yù)計將減少0.3%至 646億美元，略高于此前0.7%的預(yù)估跌幅。
              
            
            

            
              
                
                
              　　美國高德納咨詢公司(Gartner)稱，2016年全球半導體資本支出預(yù)計將減少0.3%至 646億美元，略高于此前0.7%的預(yù)估跌幅。
              　　Gartner表示2017年市場有望增長7.4%。
              　　Gartner高級研究分析師David 
Christensen說：“我們發(fā)現(xiàn)2016年的最后一季半導體行業(yè)恢復增長。2017年晶圓制造商將致力于引進大容量10納米產(chǎn)品，內(nèi)存生產(chǎn)商將把重點放在3D 
NAND閃存?！?/p>
              　　前幾年，智能手機、移動設(shè)備、固態(tài)硬盤和物聯(lián)網(wǎng)仍將引領(lǐng)半導體市場發(fā)展，特別是代工廠，為這些設(shè)備生產(chǎn)大部分晶圓芯片。
              　　雖然智能手機的出貨量放緩，但4G 
LTE在高端智能手機領(lǐng)域的快速發(fā)展帶動了晶片先進工藝技術(shù)的需求，而中國智能手機采用的指紋傳感器，觸摸屏驅(qū)動和AMOLEDs充分利用了200mm晶圓代工廠的0.18微米晶圓技術(shù)。
              　　從設(shè)備的角度來看， 
2016上半年DRAM的情況更為糟糕，年中市場觸底?，F(xiàn)在供應(yīng)緊張和需求增多導致今年下半年市場供貨不足。2017年初，疲軟的需求環(huán)境將造成技術(shù)過剩，但此后2017年和2018年行業(yè)將出現(xiàn)供不應(yīng)求的現(xiàn)象。
              　　近三年的供過于求之后，2016年第三季度NAND缺貨明顯，3D 
NAND生產(chǎn)所面臨的挑戰(zhàn)依然存在。2017年有望看到供需平衡。今年下半年，大量的新增產(chǎn)能以及3D NAND技術(shù)的成熟，將促進供需平衡。
              　　2016年，晶圓制造商的10nm產(chǎn)品和內(nèi)存制造商的3D NAND促進晶圓級制造設(shè)備支出增長6.4%。
              　
              
            
              

            
              
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