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              上海芯元基開發(fā)半導(dǎo)體新器件獲里程碑式突破
              
                
              
                    2016/8/30 15:40:29
                    
                        
                        作者： 來源：中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)
                        
                        
                    
                    
                
              
            
              
            
            
              摘要：上海芯元基采用先進(jìn)的晶元級(jí)封裝技術(shù)，結(jié)合具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的復(fù)合圖形襯底(DPSS)以及化學(xué)剝離和晶元級(jí)芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)，開發(fā)出了一種鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結(jié)構(gòu)器件(TFFCOG)。
              
            
            

            
              
                
                
              　　上海芯元基采用先進(jìn)的晶元級(jí)封裝技術(shù)，結(jié)合具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的復(fù)合圖形襯底(DPSS)以及化學(xué)剝離和晶元級(jí)芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)，開發(fā)出了一種鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結(jié)構(gòu)器件(TFFCOG)。該器件的結(jié)構(gòu)如附圖所示自上而下為：薄膜倒裝芯片、玻璃襯底，器件的四周除出光面之外都具有反射腔結(jié)構(gòu)，形成帶反射腔的封裝器件。
              　　器件具有以下優(yōu)勢(shì)：1、采用反射鏡的腔體結(jié)構(gòu)，使整個(gè)器件的光由單一方向出射，極大的提高了光的出射密度;2、采用容易加工出光結(jié)構(gòu)的透明玻璃基板作為出光通道，采用金屬電極做為散熱通道，提高了器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性;3、采用晶元級(jí)封裝技術(shù)，器件的最終尺寸與芯片的尺寸相當(dāng);4、不需要進(jìn)行常規(guī)封裝，可降低成本三分之一以上。
              　　上海芯元基的化學(xué)剝離襯底技術(shù)和晶元級(jí)芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)是制造Micro LED 
Display的核心技術(shù)，不僅可用運(yùn)于半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)，同樣可用運(yùn)于半導(dǎo)體功率電子器件，對(duì)發(fā)展我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)意義重大，目前已經(jīng)完成了相關(guān)專利的全球布局及商標(biāo)注冊(cè)，預(yù)計(jì)2017年初可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
              　　附圖：
              　　
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