日本啟動GaN開發(fā)項目，諾獎得主天野領軍

　　日本文部科學省(簡稱“文科省”)將于2016年度內啟動名為“有助于實現(xiàn)節(jié)能社會的新一代半導體研究開發(fā)”的GaN功率元件開發(fā)項目。相關負責人介紹說，“這是文科省的第一個電子元器件項目”。該項目的核心力量是2014年諾貝爾物理學獎得主——名古屋大學的天野浩教授領導的研發(fā)小組。項目為期5年，第一年(2016年度)的預算為10億日元。

　　天野教授2014年因發(fā)明藍色LED而獲得諾貝爾物理學獎，據(jù)介紹，這也是設立該項目的一個契機。在日本內閣府和經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省都有新一代功率半導體研發(fā)項目的情況下，“此項目的特點是瞄準(功率元件的)用途，回過頭去做GaN的基礎研究，解明其原理”(文科省負責人)。

　　分晶體、器件、評價3個研究領域

　　該項目設置了三大研究領域，第一是開發(fā)適合功率元件的高品質GaN晶體。這是該項目的核心。將以名古屋大學為中心，還有大阪大學及豐田中央研究所(豐田中研)等參加，項目負責人是天野教授。

　　在這個核心點上，為了制作缺陷少的高品質GaN晶體，將考慮確立在晶體生長過程中實時觀測情況，以解明缺陷機制和加以控制的技術。并且，還將通過新的晶體生長模擬來解明晶體生長過程及控制方法。目標是實現(xiàn)“第一性原理計算”、“熱力學分析”、“數(shù)值流體力學”3者無縫連接進行分析的“多物理場晶體生長模擬”。

　　第二是制作功率元件的“功率器件與系統(tǒng)領域”。這部分由曾在豐田中央研究所進行GaN類半導體元件研究、目前就職于名古屋大學的加地徹擔任負責人。有日本北海道大學、日本法政大學及豐田中研等參加。

　　第三是評價前兩個領域制成的晶體和功率元件的“評價基礎領域”。由日本物質材料研究機構的小出康夫擔任負責人。有東北大學、豐田合成及富士電機等參加。

　　2030年實現(xiàn)開關頻率1MHz以上、輸出功率100kVA以上

　　此次的項目瞄準2030年實用化，提出了5年后要達成的研究目標。2030年的實用化目標大致有兩方面。第一，實現(xiàn)開關頻率1MHz以上、且以100kVA以上的輸出功率工作的功率元件。打算主要通過在GaN基板上層疊GaN類半導體的“立式”元件來實現(xiàn)。

　　第二，實現(xiàn)在功率元件上集成控制電路等外圍電路的“智能功率器件”。設想主要通過橫式元件實現(xiàn)。

　　為了完成2030年的這些目標，5年后要達成的目標如下。

　　在晶體領域，不僅是要制作高品質的晶體，而是要制作適合功率元件的晶體。要明確晶體缺陷的發(fā)生機制，開發(fā)晶體生長模擬方法等。

　　在功率元件領域，將瞄準量產(chǎn)，開發(fā)能穩(wěn)定制作該元件的技術。在評價領域，要制定肖特基結、PN結及MIS結等“基礎元件構造”的電氣評價標準，也就是“以制作TEG(Test Element Group)為目標”(文科省負責人)。