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              歐司朗克服Droop效應(yīng) 大大改善高功率LED發(fā)光效率
              
                
              
                    2016/4/18 9:16:00
                    
                        
                        作者： 來源：阿拉丁新聞中心
                        
                        
                    
                    
                
              
            
              
            
            
              摘要：日前，LED光電巨頭歐司朗宣布，公司通過優(yōu)化外延工藝，可以大大減少LED芯片的Droop效應(yīng)，使LED的量子效率在電流密度為每平方毫米3安(3A/mm2)的條件下相比以往提高7.5%。
              
            
            

            
              
                
                
              　　日前，LED光電巨頭歐司朗宣布，公司通過優(yōu)化外延工藝，可以大大減少LED芯片的Droop效應(yīng)，使LED的量子效率在電流密度為每平方毫米3安(3A/mm2)的條件下相比以往提高7.5%。從而獲得LED性能上的提升，極大改善了高功率LED的發(fā)光效率。
              　　歐司朗光電克服Droop效應(yīng)大大提升高功率LED效率
              　　據(jù)悉，LED的Droop效應(yīng)是指向芯片輸入較大電力時LED的光效反而會降低的現(xiàn)象。Droop效應(yīng)決定了單個LED所能工作的最大電流，因而要實現(xiàn)大光通量必須采用多顆LED或多芯片，或者通過采用增加芯片面積的方式而減少電流密度的方法，這就會導(dǎo)致高功率LED器件的成本大幅增加。在LED業(yè)界和學(xué)術(shù)界，Droop效應(yīng)一直是大家爭相研究和攻克的技術(shù)難題。
              　　歐司朗表示，目前公司的工程師已經(jīng)克服了這個難題，實現(xiàn)了LED器件效率的顯著提高。在實驗室條件下，歐司朗驗證了在每平方毫米3安(3A/mm2)的電流密度下，可實現(xiàn)LEDQFN封裝芯片的典型光通量為740流明，這樣的表現(xiàn)比以往的典型值(6200K，CX0.319，Cy0.323，單芯片版本LDxyz)提高了約7.5%。同時在每平方毫米0.35安(0.35A/mm2)的低電流密度下，優(yōu)化后的LED仍然有4%的效率提高。
              　　“通過對LED外延片的大范圍修訂和完善，我們已經(jīng)能夠大幅減少LED芯片的Droop現(xiàn)象?！表椖拷?jīng)理AlexanderFrey博士表示，目前公司所有的LED器件都采用了基于UX：3芯片技術(shù)的新工藝。歐司朗光電表示，新工藝也將對其它大功率LED產(chǎn)品產(chǎn)生積極的影響。目前公司有計劃將新的技術(shù)成果一步步集成到現(xiàn)有的產(chǎn)品組合當(dāng)中。

              
            
              

            
              
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