美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校(簡稱UCSB)的研究人員已經(jīng)證實LED原子結(jié)構(gòu)特定類型的缺陷,導(dǎo)致LED性能降低。研究人員預(yù)計,這樣的缺陷表征可能會導(dǎo)致難以生產(chǎn)出更有效和發(fā)光更持久的LED。
美研究人員證實原子缺陷將導(dǎo)致LED效率降低
Chris Van de Walle率領(lǐng)研究團隊開展此項工作。他說,如果LED材料存在這種缺陷,利用技術(shù)可以發(fā)現(xiàn)這種缺陷。這些技術(shù)可以用來提高材料的質(zhì)量。不是所有創(chuàng)造出來的LED都是一樣的。事實上,很難制造出性能和特性一模一樣的LED。效率是LED最重要的特征。在原子層面上,LED性能在很大程度上依賴于半導(dǎo)體材料的質(zhì)量。
Van de Walle 說:“在LED中,從一個側(cè)面注入電子,從另一個側(cè)面注入電洞?!彼麄兇┻^半導(dǎo)體的晶格--基于氮化鎵的白色LED材料。然后,電子和電洞(電子缺失)會使二極管發(fā)光。當(dāng)電子遇到電洞時,它就轉(zhuǎn)變?yōu)榈湍軕B(tài),釋放光子。
有時,雖然電荷載體相遇,但不發(fā)光,產(chǎn)生所謂的肖克利讀霍爾(SRH)重組。據(jù)研究人員介紹,在相遇但不發(fā)光的晶格中捕獲缺陷的電荷載體,就會發(fā)生SRH重組。
研究人員已證實在氧和氫存在的條件下,鎵空位復(fù)合缺陷。該研究的第一作者Cyrus Dreyer 說:“這些缺陷以前在氮化物半導(dǎo)體觀察到過,但直到現(xiàn)在,才明白他們產(chǎn)生的有害影響?!?/p>
Van de Walle的合著者Audrius Alkauskas發(fā)展了理論框架,用于計算捕獲電子和電洞的缺陷率。Van de Walle說:“這將我們多年認(rèn)為的缺陷點與新的理論相結(jié)合,實現(xiàn)了突破性研究?!彼麄冊O(shè)計的方法適用于將自身于其他缺陷區(qū)別開,明確SRH復(fù)合發(fā)生的機制。
他說:“這些鎵空位復(fù)合物肯定不是唯一的有害缺陷,現(xiàn)在我們已經(jīng)找到方法,我們正在積極調(diào)查其他潛在缺陷,評估其對非輻射復(fù)合的影響?!毖芯咳藛T詳細(xì)地介紹了他們的研究結(jié)果將在4月由應(yīng)用物理快報發(fā)布,并在雜志封面附圖。這項研究由美國能源部科技辦公室和歐盟瑪麗·斯卡洛多斯卡·居里行動計劃資助。