昭信半導(dǎo)體力爭推動深紫外LED技術(shù)發(fā)展

　　在半導(dǎo)體照明市場深紫外LED等利潤豐厚領(lǐng)域正吸引著眾多業(yè)者目光。昭信半導(dǎo)體繼贏得國產(chǎn)MOCVD技術(shù)領(lǐng)先后，正在推進量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備高溫技術(shù)，目標(biāo)是將量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備穩(wěn)定工作溫度提高超過1400°C。

　　超越量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備單一銷售戰(zhàn)略，昭信半導(dǎo)體以技術(shù)工程、提供全面解決方案、專業(yè)定制服務(wù)為核心，致力于MOCVD設(shè)備的自主研制，取得了多項核心技術(shù)專利。利用在加熱系統(tǒng)及真空反應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)上，多年積累的研制經(jīng)驗，在常規(guī)GaN MOCVD設(shè)備技術(shù)基礎(chǔ)上，成功開發(fā)出高溫MOCVD設(shè)備技術(shù)。

　　三年前為中電集團旗下研究所改造了MOCVD設(shè)備，目前該設(shè)備可長期在1300°C高溫下穩(wěn)定運行。一年前，應(yīng)在光電材料研究領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先地位的某高校需求，提供了一臺用于氧化物外延生長的MOCVD設(shè)備。該設(shè)備利用獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計，有效防止了電爐等零件的高溫氧化?？砷L期穩(wěn)定工作在1000°C高溫，為客戶從事氧化物外延提供了更多的研究選擇。也形成了昭信半導(dǎo)體獨特的氧化物CVD設(shè)備技術(shù)。

　　目前，昭信半導(dǎo)體正在推進量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備高溫技術(shù)，目標(biāo)是將量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備穩(wěn)定工作溫度提高超過1400°C。同時，在自主MOCVD設(shè)備上展開的AlN工藝研究也進展順利，(002)面XRD小于300arcs，(102)面XRD小于500arcs，所生長的薄膜晶體質(zhì)量良好。當(dāng)前深紫外LED是高利市場，但在此領(lǐng)域國內(nèi)尚未獲得有效突破，一個主要原因就是現(xiàn)有MOCVD設(shè)備不能滿足紫外產(chǎn)品的工藝運行，無法實現(xiàn)AlN、高摻Al的高質(zhì)量外延。相信在不久的將來，昭信半導(dǎo)體的高溫MOCVD設(shè)備技術(shù)，還將有更多新成果展示，將能推動深紫外LED技術(shù)的新發(fā)展。