國家重點(diǎn)支持的新材料高新技術(shù)領(lǐng)域 硅襯底外延和OLED照明新材料登榜

　　根據(jù)科技部網(wǎng)站公布的消息，國家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域：

　　一、電子信息

　　二、生物與新醫(yī)藥

　　三、航空航天

　　四、新材料

　　五、高技術(shù)服務(wù)

　　六、新能源與節(jié)能

　　七、資源與環(huán)境

　　八、先進(jìn)制造與自動化

　　其中，半導(dǎo)體新材料制備與應(yīng)用技術(shù)被包含于“金屬材料”類別下，屬于新材料高新技術(shù)領(lǐng)域。

　　該類技術(shù)包括石墨烯制備及應(yīng)用技術(shù);大尺寸硅單晶生長、晶片拋光片、SOI片及SiGe/Si外延片制備加工技術(shù);大型MOCVD關(guān)鍵配套材料、硅襯底外延和OLED照明新材料制備技術(shù);大尺寸砷化鎵襯底、拋光及外延片、GaAs/Si材料制備技術(shù);紅外鍺單晶和寬帶隙單晶及外延材料制備技術(shù);第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料制備技術(shù);高純金屬鎵、銦、砷、鍺、磷、鎘半導(dǎo)體蒸餾、區(qū)熔提純大型連續(xù)化工藝技術(shù)，高純及超高純有色金屬材料精煉提純技術(shù)及痕量雜質(zhì)測試技術(shù);低污染硅烷法高純度電子級多晶硅提純、后處理、區(qū)熔規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)等。

　　高污染、高能耗、低光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池用單晶、多晶硅制備加工技術(shù)除外。