由于藍綠光與紅黃光LED價格競爭激烈，促使眾多LED廠商積極尋找新的利潤突破點，此時，紫外(UV)LED逐漸受到關注。近年來隨著紫外LED技術的提升，其市場應用也在快速成長，預期紫外LED技術將會有更大的發展前景。
國內產業格局
這幾年，我國紫外LED技術應用發展相對迅速，除了一些科研院所在紫外LED取得了豐碩的研究成果外，國內的LED企業也在紫外LED領域開拓出屬于自己的市場，在近紫外LED芯片領域以西安中為光電、亞威朗光電、華磊光電等為代表上游公司都有涉及近紫外芯片。紫外LED芯片發光的波長越短，技術難度就越大，在深紫外LED芯片領域我國也有以青島杰生為代表的優秀企業。
另外以國星光電、鴻利光電為代表的中游封裝公司都推出了各自的紫外LED產品。去年鴻利光電與青島杰生在廣州達成戰略合作協議，雙方未來將共同開發深紫外紫外LED(波長在260～320nm之間)市場，開啟紫外市場上中游全面合作新格局。我國臺灣地區的晶電、新世紀、光鋐、榮創等LED企業都在紫外LED產品開始布局。
國外產業格局
日本憑借其在藍光LED領域的先發優勢，在紫外LED方面的進展同樣舉世矚目，日本主要紫外LED包括日亞化學與DOWA等。美國在深紫外的研究方面領先，具有代表性的企業是美國的SETI公司，但是近年有被日本超越的趨勢，日本日機裝(NIKKISO)從2015年春季開始量產發光波長為255～350nm的深紫外LED。韓國廠商首爾半導體與LG Innotek也在研發紫外LED。
與藍光不同，目前紫外LED正處于技術發展期，在專利和知識產權方面限制較少，有利于占領、引領未來的技術制高點。中國在紫外LED的裝備、材料和器件方面都有了一定的積累，目前正在積極地向應用模塊發展。在紫外LED形成大規模產業之前，還需要國家的引導和支持，以便在核心技術方面取得先機。
芯片研究課題
(1)熒光材料與封裝材料
目前市場上的白光LED主要是通過藍光LED激發黃色熒光粉實現，而紫外LED通過分別激發紅色、綠色和藍色熒光材料也得到白光LED。并且得到的白光LED的顯示指數與色純度等方面更優異。因此很多致力于藍色LED開發和性能提高的研究小組近年來開始轉戰紫外LED。獲得諾貝爾物理學獎的赤崎勇和天野浩的研發小組近年來也將AlGaN類紫外LED的研究作為重要主題之一。
關于紫外LED激發熒光粉實現白光LED研究方向，由三菱電線工業與Stanley電氣、山口大學共同發布的數據顯示，波長400nm的外部量子效率是380nm的近2倍;另外是使用400nm波長，有望提高熒光體的RGB轉換效率，因為波長差距越小，波長轉換前后的光能量差也就越小。所以山口大學提出“很有可能是波長400nm的近紫外光激發出的白光亮度最高”。
一般情況下，LED芯片封裝時都用環氧樹脂進行灌膠填充，但是環氧樹脂在紫外光中出現性能惡化，因為樹脂中的苯環雙重結構容易被紫外光所破壞，加速了樹脂的氧化過程。同時目前還沒有找到400nm附近很好的光激發熒光材料。所以，當前400nm紫外LED用于白色LED所面臨的課題是：如何開發由400nm附近的光激勵的熒光材料以及不會因這種光而出現性能惡化的封裝材料。
(2)提升發光效率
紫外LED芯片還將面臨的一個問題是，現在LED芯片幾乎全部使用氧化銦錫做透明導電層，氧化銦錫材料對可見光的吸收確實很少，但是氧化銦錫對紫外光的吸收卻明顯變強，同時紫外芯片的正向電壓相對藍綠光芯片的正向電壓偏高。
晶元光電聯合臺灣儀科中心，以及中央大學薄膜技術中心，將先進材料石墨烯應用于紫外LED的制造技術，共同執行“開發電漿輔助高溫原子層沉積系統應用于紫外LED”計劃，以更適合LED使用的透明電極材料石墨烯取代氧化銦錫，希望能夠克服紫外LED發光效率降低的問題。
未來研究方向
根據紫外LED芯片的研究現狀，預計其未來研究發展方向有如下幾個方面：研究高質量的深紫外材料外延生長技術;高Al組分AlGaN材料生長技術和摻雜技術;深紫外LED結構設計;波長300nm以下LED器件芯片制作工藝和封裝技術;面向醫療、殺菌和凈化應用領域的紫外光源模塊開發和應用;近紫外LED激發熒光粉制備高性能白光LED。
未來技術問題
未來需解決的技術問題是藍寶石襯底上高質量AlN模板的MOCVD外延生長;AlGaN量子阱的發光機制研究與結構控制技術;P型高Al組分AlGaN摻雜技術研究;低歐姆接觸電極的制作;電流擁堵效應的解決;紫外LED出光效率提高技術;熒光材料的高效合成;耐熱抗紫外封裝材料的研究;深紫外LED的器件工藝和封裝技術;深紫外LED的應用模塊研制等。在國內外眾多紫外LED研究工作者的共同努力下，相信紫外LED芯片的應用前景將一片光明。
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