英國劍橋大學(xué)(University of Cambridge)與2家半導(dǎo)體公司日前合作利用立方氮化鎵(cubic GaN;或稱3C GaN)材料,做為綠光LED發(fā)光材料,希望能解決綠光部分材料因轉(zhuǎn)換效率不佳而出現(xiàn)的綠色鴻溝(greengap)問題。
Electronics Weekly網(wǎng)站報導(dǎo),這次合作一共結(jié)合劍橋大學(xué)、Plessey Semi半導(dǎo)體公司與Anvil Semi等2家半導(dǎo)體公司。
據(jù)Plessey經(jīng)理DaveWallis所言,傳統(tǒng)6邊GaN,電場會出現(xiàn)在結(jié)晶c面(c-plane)上,雖有利于制造晶體管,但在制造LED時則會將形成光子的電子與電洞分開,因而形成所謂史坦克效應(yīng)(Quantum Confine Stark Effect)。而且一旦銦(indium)的量增加時,該效應(yīng)便會加劇,但由于增加銦的機制是為了拉長GaN LED波長,換句話說,該效應(yīng)已成為綠光GaN LED有效發(fā)射光子的主要障礙。
不過,Wallis指出,若改采立方GaN由于其對稱性會改變,電場也會消失,讓該效應(yīng)便無法繼續(xù)阻礙制造光子。該效應(yīng)是否是造成綠色鴻溝唯一元兇目前沒有定論,但采用立方GaN的綠光LED其內(nèi)部與外部量子效率較佳,每單位電子也可形成更多光子。
Wallis還指出,使用立方GaN另一益處則是綠光LED能隙比六邊GaN還低200mV,因此可節(jié)省銦的使用,但也有其缺點。因為在GaN,3C結(jié)晶晶格在熱力學(xué)上較不穩(wěn)定,因此在達到可成長磊晶的溫度時,只有六邊結(jié)晶可形成,除非能量平衡可透過人工加以調(diào)整,所幸Anvil半導(dǎo)體目前已研發(fā)出方法。采用該公司發(fā)明的成長立方碳化硅(cubic silicon carbide)方法,其晶格常數(shù)已與立方GaN相當(dāng)接近,讓立方結(jié)晶可以順利成長。
Wallis透露,劍橋大學(xué)已成功成長立方結(jié)構(gòu)低于99%的GaN并在材料上成長量子井,未來該校將繼續(xù)在量子井附近成長N與P型層,以便形成可透過偏壓將電子轉(zhuǎn)換成光子的二極管。
評論指出,Anvil制程另一好處,是可在成本較低矽晶圓上成長立方碳化硅,而且劍橋大學(xué)熟知的晶圓成長六邊GaN技術(shù)也已售給Plessey,后者也開始使用在制造藍光與白光LED上。未來等到N與P型層在劍橋大學(xué)集成后,晶圓會送至Plessey廠房并開始沈積電極,以便形成可運行的綠光LED。目前3方合作已進入第3個月,預(yù)計2016年9月可生產(chǎn)出綠光立方GaN LED。
至于發(fā)光效率如何,Wallis預(yù)期綠光效率能與藍光一致。他并指出,由于這次聯(lián)盟采用6寸晶圓,因此,將可催生采用150mm的綠光LED制程。